模拟电子技术基础试题及答案

一、括号内用“”或“”,表示下列陈述是否正确。(1I)电路只有在放大电流和电压的情况下才被称为放大电路；()(2)可以说任何放大电路都具有功率放大效应；()(3)从放大电路输出的电流和电压都由有源元件提供；()(4)电路中各电量的交流分量由交流信号源提供；()(5)放大电路必须连接适当的DC电源才能正常工作；()(6)由于被放大的物体像一个变体，当输入信号是DC信号时，任何放大电路的输出将保持不变。()(7)只要是共源共栅电路，输出电压的底部失真就是饱和失真。()解决方案 (1)。放大的特征是功率放大，电压和电流中的一个或两个可以称为放大。放大，但放大的前提不是失真。(2) 放大的特征是功率放大。(3 ).它应该通过有源元件控制和转换输入信号来获得，而不是直接提供。.(5) .设置适当的静态工作点。.任何稳态信号都可以分解成几个正弦波的叠加。.二。尝试分析图2.2所示的每个电路是否能放大正弦交流信号，并简要说明原因。设定图表中的所有电量交流信号可视为短路。回答1 (a)否。因为输入信号受VBB影响。(a)例1-3为什么结型场效应晶体管没有增强型工作模式？一个简单的方法可以用来区分晶体管吗区分结型和绝缘栅型场效应晶体管的三个电极？解决方案所谓的增强型，即N沟道场效应晶体管，在UGs0条件下只能有导电沟道。在UGs0条件下，一个P沟道场效应晶体管必须有一个导电沟道。在这两种情况下，结型场效应晶体管会有栅极电流，这不仅会使场效应管失去高输入电阻的特性，还会造成管损坏。然而，对于绝缘栅型效应管来说，击穿现象是由于官员积累电荷引起的高电压引起的，因此这是不可能的用测试晶体管的方法来测试。对于结型场效应晶体管，其栅极可以通过确定晶体管的基极来确定。然而，源极和漏极不能通过确定集电极和发射极来确定。自测题的分析与解决判断下列陈述是否正确。用“”和“”表示判断结果，并填写空格。(1)如果足够量的三价元素掺杂在N型半导体中，则它可以被改性成P型半导体。()(2) N型半导体带负电荷，因为它的多道是自由电子。()(3)当3)PN结没有照明和施加电压时，结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管的集电极电流由多个子晶体管的漂移运动形成。()(5)结型场效应管施加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，以保证它很棒的功能。()(6)如果耗尽型N沟道金属氧化物半导体晶体管大于零，其输入电阻将显著减小。()解决方案 (1) 。当有足够空穴时，由三价元素产生的空穴正好中和五价元素的自由电子可以把n型半导体转变成p型半导体。嘿。(2 ).在N型半导体中，没有激发，电子就不能成为自由电子。(3) .由于扩散在空间中形成空间电荷区，空间电荷区中电场的增强正好阻止扩散。因此，在没有外部能量的情况下，结电流为零。.在外加反向电压的作用下，基极区的非平衡少数载流子在外电场的作用下穿过集电极。漂移电流在集电极区形成。(5).当|UGs l增大时，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当通道消失时，RGs趋于无穷大。4.因为在制作MOS管时，大量的正离子渗入Si02，在正离子的作用下，p型内衬底表面层形成反型层，由于反型层的存在，输入电阻不会显著降低。第二，选择正确答案填空。(1)当1)PN结加上直流电压时，空间电荷区将。A.b .基本不变c .扩大(2)稳压管的稳压区是其工作的地方。A.正向导通b .反向截止c .反向击穿(3)当晶体管工作在放大区域时，发射极结电压和集电极结电压应该是。A.前者是反偏见的，后者是反偏见的B.前者是积极的，后者是消极的。C.前者是积极的，后者是积极的。(4)=0，可以在恒流场效应管中工作。A.连接管8。增强型金属氧化物半导体管(1)由于外部电场的作用，多数载流子被推向空间电荷区，从而使其变窄。(2)C .当齐纳二极管反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎相同，表现出良好的稳定性。压力特性。(3)乙.当晶体管工作在放大状态时，发射极结被加上直流电压，扩散运动形成发射极电流IE反向电压施加到电结，漂移运动形成集电极电流Jc。(4)甲、丙.当结型场效应晶体管为Gs-10时，耗尽层非常窄，导电沟道非常宽，可以在恒流区工作。然而，对于耗尽型金属氧化物半导体管，由于二氧化硅掺杂了大量的正离子，所以当二氧化硅仍然存在时，漏极和源极之间存在导电电通道，所以只要有直流电压效应就有恒定电流区。第三，写入图Tl.3所示的每个电路的输出电压值，并设置二极管导通电压=0.7 v图Tl.3【解决方案】根据二极管正向导通和反向截止的原理： 1.3伏=0 1.3伏 2伏 1.3伏1.3伏 2伏四、已知调节器电压值=6V，稳定电流的最小值=5 mA。找到图Tl.4所示的电路N005中和是多少伏特？图Tl.4解决方案图(a)Dz打开，因此为6伏；图(b)Dz不导电，因此为5伏五、电路如图Tl.5所示，=100，=0.7 v。我们可以问一下吗(1)当Rb=50 k时，=？(2) Rb如果T是临界饱和的？解决方案 (1)然后(2)当临界饱和时，所以N006习题的完整解答1.1选择适当的答案来填写空白处。(1)向本征半导体中添加元素可以形成N型半导体，添加元素可以形成P型半导体。A.五价b .四价c .三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增加b .无变化c .减少(3)如果在放大区工作的三极管从12 mA增加到22mA时从1 mA变为2mA，那么它的测试版是关于。公元83年8.91年100月(4)当场效应管的漏极DC电流从2 mA变为4mA时，其低频跨导将为。A.增加b .无变化c .减少五价元素取代硅原子在晶格中的位置，形成n型半导体，硅晶体中掺杂人三价元素取代了硅原子在晶格中的位置，形成了P型半导体。(2)A .温度的升高加强了载流子的运动，从而加剧了漂移运动，因此反向饱和电流将增加。(3)C .根据公式，p-a瓷砖ic a魅力-1 000(4)A .Gm是传递特性曲线上某一点的切线斜率，可从公式中导出，以及gm与切点之间的位置由于传递特性曲线的非线性，iD越大，gm越大。N007(N050)自测题的分析与解决首先，现有的基本放大器电路：A.共发射极电路b共集电极电路c共基极电路d共源极电路e共漏极电路根据要求，选择合适的电路组成两级放大电路。(1)输入电阻要求为1k至2k，电压放大系数大于3000。第一阶段应该采用，第二阶段应该采用。(2)输入电阻要求大于l0M，电压放大系数要求大于300。应采用第一阶段，第二阶段应为收养。(3)输入电阻要求在100k到200k之间，电压放大系数大于100。应采用第一阶段，应采用第二级。(4)要求电压放大系数大于10，输入电阻大于l0M，输出电阻(5)将信号源设置为大内阻的电压源。需要将输入电流转换为输出电压，并且|=|1000。第一级和第二级应采用输出电阻R100。(1)甲(2)丁(3)乙(4)丁(5)丙共射共基放大器电路具有高放大系数和低输入电阻。降低输出电阻会影响电路的放大系数。号码。共集电极电路，电压放大系数小于1，输入电阻高，信号源内阻不是很低，仍然可以获得较大的输入信号，输出电阻小，所以负载能力强，所以它主要用于输入级和输出级，共基极放大电路：电压放大系数与共发射极相同，输入电阻小于共发射极电路，输出电阻相同，共基极电路常用于要求高频特性的场合。第二，选择正确的答案填空(1)直接耦合放大器电路中零漂移的原因是。a、元件老化b、晶体管参数受温度影响c、放大系数不稳定d、电源电压不稳定(2)集成放大器电路采用直接耦合的原因是。a、易于设计b、放大交流信号c、难以制作大容量电容器(3)选择差动放大电路的原因是。克服温度漂移b，提高输入电阻c，稳定放大系数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入信号，共模信号是两个输入信号。a、b和c的平均值(5)用恒流源代替长尾差分放大器电路中的发射极电阻Re，使电路达到。差模放大因子的值增加。抑制共模信号的能力增加。差模输入电阻增加(6)互补输出级采用的公共集合形式。a电压放大系数大，b无失真输出电压大，c波段负载能力强。(1)甲、乙、丁(2)丙(3)甲(4)丙(5)乙(6)丙3.电路如图3.3所示。所有晶体管都是硅管，为200，静态时| 0.7V。尝试找到：(1)静态时管T1和管T2的发射极电流。(2)如果静态下为“0”，应如何调整Rc2的值使其=0V？如果静态=0V，Rc2=？电压放大系数是多少？解决方案 (1)图3.3(2)如果静态下为0，Rc2应降低至=0 V当static=0和=0时，T4管的集电极电流可以由此导出。通过Rc2的电流可以计算为(N051结束)自测题的分析与解决。选择正确的答案并填空。1)测试放大电路输出电压的幅度和相位变化，以获得其频率响应，前提是。A.输入电压幅度不变，改变频率B.输入电压频率不变，变化幅度C.输入电压的幅度和频率同时变化2)当高频信号起作用时放大电路的放大系数值下降的原因是，而低频信号起作用放大率下降的原因是。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管电极间电容和分布电容的存在性C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3)当信号的频率等于放大电路的fH或fH时，放大因子的值下降到中频。A.0.5 B.0.7 C.0.9也就是说，增益降低。3分贝4分贝5分贝.4)对于单管共源共栅电路，当f=时，相位关系为。A.不列颠哥伦比亚省.当时，与相的关系是。A.-不列颠哥伦比亚省.(1)a(2)b(3)b a(4)cN081结束(1)所谓放大电路的开环是指：A.无信号源b .无反馈路径c .无电源d .无负载所谓的闭环指的是。jA.考虑信号源b的内阻。存在反馈路径C.接收功率d .接收负载2)在恒定输入条件下，如果引入反馈，则引入的反馈为负反馈。A.输入电阻增加B.产量增加C.净投入增加D.净投入减少3) DC负反馈指的是。A.直接耦合放大电路中引入负反馈只有在放大DC信号时才会出现负反馈C.直流路径中的负反馈4)A.RC耦合放大器电路中引入负反馈B.仅当放大交流信号时才出现负反馈C.交流路径中的负反馈5)为了达到以下目的，应引入A.直流负反馈b .交流负反馈(1)为了稳定静态工作点，应引入；(2)为了稳定放大率，应引入；(3)为了改变输入电阻和输出电阻，应引入；(4)为了抑制温度漂移，应引入；(5)为了扩大宽带，应引入：(1)开环系统没有反馈，闭环系统有反馈。2)D .减少放大器电路净输入的反馈。3)C .反馈存在于DC路径中。4)C .反馈存在于交流路径中。5)甲乙丙丁.直流负反馈主要用于稳定静态工作点和抑制温度漂移。6.2选择正确的答案并填写。a电压b电流c串联d并联1)为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈；2)为了稳定放