场效应管放大电路.ppt_第1页
场效应管放大电路.ppt_第2页
场效应管放大电路.ppt_第3页
场效应管放大电路.ppt_第4页
场效应管放大电路.ppt_第5页
已阅读5页,还剩25页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

4.3场效应管放大电路,4.3.1FET的直流偏置电路及静态分析1.直流偏置电路FET是电压控制器件,因此它需要有合适的栅极电压。通常有以下两种偏置方式:a.自偏压电路;b.分压器式自偏压电路。,(1)自偏压电路如图所示,考虑到耗尽型FET即使在VGS=0时,也有漏源电流流R,而栅极是经电阻Rg接地的,所以在静态时栅源之间将有负栅压:VGS=-DR。电容C对R起旁路作用,称为源极旁路电容。,(2)分压器式自偏压电路这种偏压电路的特点是适用于增强型管电路。如图所示,静态时加在FET上的栅源电压为:,4.3.2应用小信号模型法分析FET放大电路如图所示的共源电路。图中rd通常在几百千欧的数量级,一般负载电阻比rd小很多,故可以认为其开路。,小信号等效电路,(1)中频电压增益,上式中的符号表示V0与Vi反相,共源电路属倒相电压放大电路。,(2)输入电阻Ri=rgs|Rg3+(Rg1+Rg2)通常rgsRg3+(Rg1|Rg2)故RiRg3+(Rg1|Rg2)(3)输出电阻R0Rd,典型的共漏电路源极输出器如图所示,试求其中频电压增益Avm、输入电阻Ri和输出电阻R0。解:下图中的中频小信号等效电路如图所示。,(1)中频电压增益由上图知:,可见,当gm(R|RL)1时,Avm1,共漏极电路属电压跟随器。和射极输出器的Av相比,可知FET的gm相当于BJT的,(2)输出电压RiRg3+(Rg1|Rg2),(3)输出电阻令Vs=0,保留其内阻Rs,将RL开路,在输出端加一测试电压VT,由此可画出求共漏极电路输出电阻R0的电路,如下图所示。由图有,例题:例:(南京航空航天大学2000年研究生入学试题)场效应管是()控制元件,而双极性三极管是()控制元件。答案:(电压),(电流)。例:(北京交通大学1997年研究生入学试题)在放大电路中,场效应管工作在()区。答案:(饱和区或恒流区)。,例:一个场效应管的输出特性如图所示,试分析:(1)它是属于何种类型的场效应管;(2)它的开启电压VT(或夹断电压VP)大约是多少?(3)它的饱和漏极电流DSS是多少?,解:由场效应管输出特性可看出,(1)VGS在正负电压一定范围内变化时,有D输出,所以视觉源栅N沟道耗尽型场效应管。(2)VGS=-3V时,D=0,所以VP=-3V。(3)DSS6mA。,讨论:根据特性曲线中,VGS=0时,iD不等于0,而且,VGS可正可负,可以判断这个管子时耗尽型绝缘栅场效应管;又根据VGS从负到正改变时,iD相应地有小到大改变,可见它是N沟道。夹断电压和饱和特性可直接从特性曲线上看出。,例:增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区别是什么?增强型的场效应管能否用自给偏压的方法的静态工作点?,答:增强型MOS管的导电沟道是在VGS增大到开启电压VT才接通,即有一定的栅源电压之后,才有漏极电流d;耗尽型MOS管的导电沟道是在VGS=0时已经形成,极栅源电压为零时才有较大漏极电流d,其VGS值可正可负。增强型的场效应管不能用自给偏压的方法获得静态工作点。,例:(北京航空航天大学1999年研究生入学试题)如图中T的DSS=2mA,VGS(off)=-3V,试求:(1)栅源电压VGS;(2)漏极电流D;(3)漏源电压VDS;(4)低频跨导gm;,解:(1)由电路图可知:,(2)场效应管为N沟道耗尽型,其转移特性曲线可用近似公式表示为:,将已知条件代入,可得:,(3)VDS可通过列出输出回路方程求得:,小结:本题的目的在于估算场效应管放大器的静态工作点。与三极管放大器相似,求场效应管放大器的工作点就是解它的直流通路。运用估算法求Q点时,必须已知DSS及VP。有时题中没有直接给出,这时可通过输出曲线间接求得。,例:(东南大学1998年研究生入学试题)某场效应管自举电路如图所示,已知VDD=+20V,RG=51M,RG1=200k,RG2=200k,RS=22k,场效应管的gm=1mA/V。试计算:(1)无自举电容C时,电路的输入电阻Ri;(2)有自举电容C时,电路的输入电阻Ri。,解:电路中跨接在电阻RG和源极S间的电容C称为自举电容,该电容将输出信号Vo馈送到栅极G,形成正反馈,从而提升了电路的输入电阻Ri。(1)不接电容C时,输入电阻Ri的表达式可直接由图所示电路写出:Ri=RG+RG1|RG2=51.1(M)(2)接有电容C时,为求输入电阻Ri,先画出微变等效电路如图所示,可得到:,无自举电容时,有自举电容时,微变等效电路如图所示,可得到:,将已知的各参数值代入上式,得Ri=969M,讨论:本题的目的是练习用微变等效电路分析场效应管放大器,同时了解在放大器中引入自举电路的作用。本例计算表明,引入自举电容C使电路输入电阻明显提高了,这正是自举电路的功能所在。,例:某放大电路如图所示,已知RS=20,Re=2k,Rb1=22k,Rb2=10k,RC=3k,RL=27k,VCC=10V,三极管的VBE=0.7V,=50,rbb=100,试计算:(1)静态工作点Q(BQ,CQ,VCEQ);(2)输入电阻Ri,输出电阻Ro;(3)电压放大倍数AV,AVS。,解:本电路是共基极放大器(简称CB电路)。(1)由直流通路可求得:,(2)画出微变等效电路如图所示,从中可求得,输入电阻为:Ri=Re

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论