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文档简介

1.8IIVI族化合物半导体的能带结构二元化合物的能带结构ZnS(六角晶）;ZnTe,ZnSe（NaCl,面心立方）导带电子的极大和极小处于k=0价带在布里渊区中心是简并的，具有个重空穴带和一个轻空穴带，还有一个由自旋轨道耦合而分裂出来的第三个能带。CdTe:导带极小值6，价带8，分裂的7位于k=0HgTe:导带极小值6位于价带8以下。Eg0称之为：半金属或零带隙。,导带极小值6位于价带8以下。Eg0,能带类于CdTe.,2.混合晶体的能带结构CdTeHgTe:Hg1-xCdxTex的变化能带有半金属向半导体转变。,作业：1.自我复习：a.金刚石型结构；b.共有化运动,允带，禁带；c.自由电子能谱，简约的布里渊区，波矢为简约波矢；d.金刚石第一布里渊区；e.导体，半导体、绝缘体的能带；f.有效质量与能带势场，外力-电子的加速度；g.本征半导体的导电机构；h.空穴回旋共振与有效质量；i.硅和锗的导带价带结构；j.间接带隙半导体，半金属或零带隙，窄带半导体。,
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