GBT 14844-1993 半导体材料牌号表示方法_第1页
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0621 14844一93半导体材料牌号表示方法of  14844一93半导体材料牌号表示方法of 晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。本标准适用于编制半导体材料的牌号。在编写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号表示方法。产品出厂时，应使用本标准规定的牌号标志。2牌号分类按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类。3牌号表示方法3.，多晶牌号半导体多晶的牌号表示为:口一口一口一(口)一口1,2,3,4,5分别代表牌号的第一项至第五项。生产方法与特殊用途的组合，分别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中:b.   c.   d.   牌号的第二项中子式表示多晶名称。别用英文第一个字母的大写形式表示，其中:a.   b.   牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂。家技术监督局1993一12一24批准1994一09一01实施 不掺杂等，其牌号相应部分可省略。3门了示例:a.   b.   c.   一口一口()一<)一一一11,2,3,4分别代表牌号的第一项至第四项。别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中:a.   b.   c.   d.   e.   号内元素符号表示掺杂剂，单晶不强调生产方法或不掺杂时，其牌号的相应部分可省略。示例: B)一(100)表示晶向为(100)的(111表示晶向为(111)的(100)表示晶向为(100)的r+O)一100)表示晶向为<100)掺铬和氧的液封直拉砷化稼单晶。月曰砂，口一口一口()一<)丁下一下 14844一931,2,3,4,5分别代表牌号的第一项至第五项。牌号的第一项表示产品的生产方法或特殊用途，1条。另以以下英文第一个字母组合的大写形式表示为:a. b.   c.   d.   牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。别用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中:a. b.   c.   d.   e.           f.           h.   牌号的第五项用密勒指数表示晶向。晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略。a.  b)-<111)表示晶向为(111)的b.  <111)表示晶向为<111)的一口一口()一()1,2,3,4分别代表牌号的第一项至第四项。34.，牌号的第一项表示外延片的生长方法，a.  b.  c.  d.  牌号第二项用分子式表示外延片的名称。号内用元素符号表示掺杂剂，分别用下列符号表示:a.  n/b.  p/p+表示在p+型衬底上生长                                      14844一93c.   n/p(或p/n)表示在底上生长导电类型相反的外延层;d.   n/I(或p/I)表示在绝缘衬底上生长延层;e.   n/p/生长他多层外延片结构表示方法以此类推。示例:a.  n+(P/<100)表示晶向为(100)衬底为重掺锑外延层掺磷的b.  n+(e)一<100)表示
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