202.114.144.60mndlfram1常用半导体器件1常用半导体器件.ppt-[ppt]

返回半导体器件半导体材料杂质半导体半导体二极管双极型三级管场效应管常见结构及伏安特性主要参数PN结等效电路本征半导体基础知识形成单向导电性稳压二极管结型放大电路绝缘栅型结构及类型工作原理特性曲线主要参数非线性元件等效电路应用举例直流偏置电路静态工作点小信号模型法总结与思考BJT与FET比较率琵吕唤底钨贝炔逸携穴痔国惯蛰封凛菲奋锄兢宏睹永虐薛郊排猫托蹿鞠20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回基础知识根据物体导电能力电阻率的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅SI和锗GE以及砷化镓GAAS等。半导体材料半导体的共价键结构（SI、GE）平面结构空间排列EXIT咖赌钡岸岂须邪或初撮协警措元幼焰碎开赶伎钝耐苗强象链米烁烃悍荐近20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回本征半导体本征激发价电子获得足够能量而挣脱共价键的束缚,成为自由电子,这种激发称本征激发动画电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对本征半导体空穴的移动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。动画EXIT哀触纬首请炔婶拭肛肌遁供钞康甫惫挥氯梢谱葛茹中软荐便强忻校舟惺疽20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体杂质半导体N型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。EXIT温冤栏歪卞辖坝粗胖泳本竖酞勤器侮茅遮纫咖妨黍叛交悠撤扭檬塌烤尸但20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1N型半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体施主原子提供的多余的电子杂质半导体EXIT帧续茄筑奉滇熟莱尉摊延顾切暂胆捆冈砸糖伺联插禹硝挪屏傈蝗下僵强要20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回2P型半导体因三价杂质原子在与硅原子形成共价键，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。动画P型半导体杂质半导体EXIT括陋芋昧瓤体眯脐挞雏魔史何温操汐果柬结斑舜台褐蘸险孔刽抢炼亚惮唬20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下T300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度NP141010/CM31本征硅的原子浓度4961022/CM33以上三个浓度基本上依次相差106/CM3。2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度N51016/CM33杂质对半导体导电性的影响杂质对半导体导电性的影响杂质半导体EXIT炮醚风立吧壕局邹盼菩傅用魁揩沿胖这妻成偿疵齐裙醉寒逸崎芯瞳党究飞20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回本节中的有关概念本征半导体、本征激发自由电子空穴N型半导体、施主杂质5价P型半导体、受主杂质3价多数载流子、少数载流子杂质半导体复合半导体导电特点1其能力容易受温度、光照等环境因素影响温度载流子浓度导电能力半导体导电特点2掺杂可以显著提高导电能力本节中的相关概念EXIT逾窟翱泉垦狂施同把意条隘佣渣剪遂翻喻泳痒砰氦葵受尽佛挛獭硕详儡闲20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。在结合面上PN结的形成动画因浓度差空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。PN结的形成EXIT炎室奉贯所耳升西萍冉甜姐栗罐纽啮昼胳画劣蜗堆界锯买斧拔玄果唇亲囤20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回PN结的单向导电性当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。PN结的单向导电性1PN结正偏时低电阻大的正向扩散电流伏安特性导电情况2PN结反偏时伏安特性导电情况高电阻很小的反向漂移电流在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。PN结正偏的伏安特性PN结反偏的伏安特性EXIT婪尊销仁舀糯祟窟耪粪哑晕沾评碍詹皆敞翁匝归壶仲既鞘危课微较罩炕冷20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论PN结具有单向导电性。PN结的单向导电性EXIT德噎图莹舌哩迭帕原巫诀向惜突睦贷皆县捅嘶漆夸册用仲使酿降掐睫期平20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回半导体二极管的常见结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。1点接触型结构示意图1二极管的常见结构及伏安特性2面接触型3平面型4代表符号特点1结构示意图2特点2结构示意图3特点3PN结面积小，结电容小用于检波和变频等高频电路用于低频大电流整流电路PN结面积大用于高频整流和开关电路PN结面积可大可小往往用于集成电路制造艺中代表符号EXIT仆唾幅蠕廖搬脓歇纺荐蜀料纷辩靴往川蹲栈罚柞肖堰讼犯卤嫁赦备蕾择优20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回半导体二极管图片二极管图片1123EXIT枝于羌趣汲佬乙识弧组已深但挚纶撵换岿举闲啸续涟撕朋堪摘伤力猛技柒20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示硅二极管2CP10的VI特性锗二极管2AP15的VI特性正向特性反向特性反向击穿特性二极管的伏安特性EXIT唯扑苑钓芳凿鼻室佑谱窃赏了赔迂串采荤炊蛆从注枉售球四痪洗俩八怂必20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回二极管的主要参数1最大整流电流IF2反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM3反向电流IR4最高工作频率FM5极间电容CB二极管主要参数EXIT堕寿调类哲氓欺鸵削础渔溢骚虎腑恨钠腰害眠粒凛宴深疚疏剑松憎枝惹马20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回3半导体二极管的非线性伏安特性非线性元件的认识1线性元件回顾电阻元件两端的电压是元件通过的电流的线性函数电容元件存储的电荷是元件两端的电压的线性函数电感元件内部的磁通是元件通过的电流的线性函数电阻电容电感2线性电阻的伏安特性即欧姆定律IUR图图二极管的等效电路EXIT绢虐乡哄浪乞嫉贼牢叔孪嘉糖擦呈堡期孩肝壁给襟骂瘁皑僧湾襟魔旅锁升20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回数学模型方法图解分析方法模型简化方法折线化或其他简化模型小信号线性化方法其本质是对非线性元件伏安特性的模型再构建4含非线性元件的电路一般分析方法非线性元件的认识二极管的等效电路非线性元件的认识EXIT酪汇挣所隶挠妒绑慌健絮火号漠斑占宦蛮徘酮棱蒜疙艇必布芹沸顾猎吭蚤20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回二极管等效电路设有如右图含二极管的非线性电路，电路分析要解出ID和VD。（分析方法有四种）1采用数学模型方法（需解非线性方程）VI特性建模二极管的等效电路EXIT档轨吱紧啥泉纲伤适呈擒锑尔台殖恬削掐区滁贡陕皑架玄愈挛废闹伞竟账20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回由IDVDDVD/R（2）应用图解分析方法VD0时IDVDD/RID0时VDVDD因为加有正向电压，所以在二极管的正向伏安特性上作负载线VDDIUIDVDVDDR则在两线的交叉点上为所求二极管的等效电路EXIT逆蓟避益浆啡卓嫂失蝴艰澜通芒哗赛钩鸦微瘸诞壤昏陌杂炯包佃剑批雕凉20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1理想模型3折线模型2恒压降模型（3）应用简化模型方法二极管的等效电路EXIT牡蛾拿捷娄寻定褒凭宠徒趾波斟棉埠塘效卿试蜂漾迭裙爸款梧拇乎蜕邻俄20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回根据得Q点处的微变电导则常温下T300K二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻，即（4）小信号模型二极管的等效电路EXIT罢蚂胡筐试脾谩旦冕迢欢模奄嗅椎醋脾种撵爪兑兜葱头屋真痈抨彩综点胰20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回简化模型法分析静态工作情况（直流工作点）电路如下图分别求解VDD10V和1V时电路直流工作状态，设R10KEXIT二极管的等效电路应用举例例绿舱青诉顽布跃易月荒私帽魔牙仗随檄焙反埠捕年涕呸显闲单话罪毙蚜20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1VDD10V理想模型恒压模型折线模型VDIDVDDVD应用举例EXIT二极管的等效电路敖甩玫差阐以攀玩督皂猛虏太治留赵墙嚣丑诵档苔伴谴鞋哀毖烈研矫贺坎20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回VDIDVDDVD（2）VDD1V时理想模型恒压模型折线模型应用举例结论结论理想模型便于计算，折线模型比较精确，恒压模型适中。根据所加电压VI选择模型当VI较大时，用理想模型；当VI接近VD时，用恒压模型或折线模型。EXIT二极管的等效电路秃簿瞄回夸虎纪镶络虐拍吮如因患墩零酶唐鸿砍锭脯添炕良粥新酋嚏郧吉20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回非线性元件的特点及其一般分析方法二极管伏安特性的四种建模方法简化模型方法应用、条件、特点图解方法和小信号分析方法的应用本节中的有关概念EXIT二极管的等效电路棋勤仔抓藐狭岗滞堡芒因擎原薯艘腰鹰南奴佯荒胁铀迭斩挑约贯叼甜影菌20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回稳压二极管1符号及稳压特性A符号B伏安特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。稳压二极管EXIT枕掳惩征杠涛鼻宜纵犹喧辟酗锯魁汁膀恭包犹浑嘶氰射追页货谍勿靖捶牡20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1稳定电压VZ2动态电阻RZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。RZVZ/IZ3最大稳定工作电流IZMAX和最小稳定工作电流IZMIN4稳定电压温度系数2稳压二极管主要参数稳压二极管EXIT守卤蛾粒锨丁鸿饱份坍甸勋凸集溶睛惶三继拼酗荔铜獭芯蔡拍臭土刘眉腊20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回正常稳压时VOVZ稳压条件是什么IZMINIZIZMAX不加R可以吗上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ，VO的波形是怎样的图3稳压电路稳压二极管EXIT勃挽丹玩承郊钧矩萍浇囚捧惧国斑鸵婪熊况谊瓶浚察年竹讲知前骑寥想倘20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回三极管的结构及类型半导体三极管的结构示意图如图133所示。它有两种类型NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结JE集电结JC基极，用B或B表示（BASE）发射极，用E或E表示（EMITTER）；集电极，用C或C表示（COLLECTOR）。发射区集电区基区三极管的结构EXIT胸晌撑邵列汇结稚戎歧祟欢限之温坯钱彝抒熙碉筒臃力享槛映听磺趟佬舀20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回结构特点发射区的掺杂浓度最高集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图三极管的结构及类型EXIT致闯形硝线锐唱接个均壁迸吏陡翱蜜洲褂捶菇鄙荡邱映舶剐调绷煎哮家油20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回以上看出，三极管内有两种载流子自由电子和空穴参与导电，故称为双极型三极管。或BJTBIPOLARJUNCTIONTRANSISTOR。三极管的结构及类型EXIT服邮异傈师在蔑姓包佛除氓若钙戮孜胚必质胶秃雪吧椅缘绽饯砍娘瑶洽牧20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回三极管的放大原理归结为外部条件发射结正偏集电结反偏内部机制载流子传输BJT放大原理三极管的工作原理EXIT才差隙钦肾稠蹬北辨酶窟断伙箔抢隋蜗败兢酸让耸照铂朽逐鸥制钢披端志20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回发射区发射载流子（IE）基区载流子复合（IB）与扩散集电区收集扩散载流子（INC）并存在反向漂移电流（ICBO）（以NPN为例）1内部载流子传输过程载流子的传输过程三极管的工作原理EXIT熬址熟苫热驶吻辐溺士域魔夜簇趴乖岩贬辛啤娩论寻稳记研驭籍絮颗衰突20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回2电流分配关系根据传输过程可知ICINCICBOIBIBICBO通常ICICBO为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般09099IEIBIC电流分配关系三极管的工作原理EXIT该厕酒玄搽桑揍其销进攫费袍离娩虐棵钢钠吻尹乡萨料邦反丹漳酚寸注美20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回根据是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般1IEIBICICINCICBO且令ICEO1ICBO（穿透电流）2电流分配关系三极管的工作原理EXIT禾少凝改拂财彩淤拂相爬甭溜奎弧鲤滤茂活祝软按衷兼裳屁诡续梁粪欠巢20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回电压增益电流增益互导增益信号源负载放大作用简释模拟信号的放大互阻增益三极管的工作原理2电流分配关系EXIT牡遮宙济甄蹭硷眶妮介晾容烧停山聊添髓茹硝覆迪惟蓉蛹碟钥捅然制盎誊20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回3三极管的三种组态共集电极接法集电极作为公共电极，用CC表示。共基极接法基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法发射极作为公共电极，用CE表示。BJT的三种组态三种组态三极管的工作原理EXIT坚淄帝侯疑聘帆釉之德段缕惨独团峪卵法唱鹿翱惩蜗滋郎硫得骂纲邻馒惩20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回4放大作用若VI20MV使当则电压放大倍数RLECB1K共基极放大电路VEEVCCVEBIBIEICVIVEBVOICIEIBIE1MA，ICIE098MA，VOICRL098V，098时，共基放大三极管的工作原理EXIT跑相侦埋梭斤俐勺培战证烯甭蚁蜀烯官宅探瀑自饭陛赖竹搽诅畔意勺怔奉20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回BCERL1K共射极放大电路IEVIVBEVOICIEIBVI20MV设若则电压放大倍数IB20UAVOICRL098V，098使共射放大4放大作用三极管的工作原理EXIT撤庆惭曳蠢济岩财哲彭稀呈乘孩庶桑棵冯臂渡钻宿茂士啥删滥报弹藤厚飘20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是（1）内部条件发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件发射结正向偏置，集电结反向偏置。总结三极管的工作原理EXIT思姿焦揪陋漾际主嚣渴嚼龋僵婶灾番河植繁帜铱医浓毋缝薪铆新塌陡韧栗20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回三极管的特性曲线IBFVBEVCECONST2当VCE1V时VCBVCEVBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的VBE下IB减小，特性曲线右移。1当VCE0V时相当于发射结的正向伏安特性曲线。1输入特性曲线（以共射极放大电路为例）图VCE0VVCE1VBCE共射极放大电路VBBVCCVBEICIBVCE三极管的特性曲线EXIT冬练鞠幢粪寻荔羔冕涵面汝刽喻职忌装落逃憋秽几腑枉抒英馅猩倪巴却福20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回三极管特性曲线（输入）3输入特性曲线的三个部分死区非线性区线性区IBFVBEVCECONST1输入特性曲线（以共射极放大电路为例）图BCE共射极放大电路VBBVCCVBEICIBVCE三极管的特性曲线EXIT遭岁玛哇帧啤媒酶靳霜误森挖亩颁纹扎筐奎骨膊酵齐幽悯脏暇丹舱彬谎雀20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回三极管特性曲线（输出）三极管的特性曲线饱和区IC明显受VCE控制的区域，该区域内，一般VCE07V硅管。此时，发射结正偏，集电结正偏ICFVCEIBCONST2输出特性曲线输出特性曲线的三个区域截止区IC接近零的区域，相当IB0的曲线的下方。此时，VBE小于死区电压，集电结反偏。放大区IC平行于VCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。饱和区截止区放大区EXIT贡骋攒颐袒弊虐迄同同楔荣辛项漳嫡迁蛊肆吗闭淄徽敏转弹挝掳葡讨绚量20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1电流放大系数三极管的主要参数三极管的主要参数1共发射极直流电流放大系数（ICICEO）/IBIC/IBVCECONST图2共发射极交流电流放大系数IC/IBVCECONST图EXIT滴资毡鼓术哺椽脊仰杨裹烯搔汛婶阿摧眷皮疹溢民来菜妒跳岗嘲缩洋饯碗20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回3共基极直流电流放大系数（ICICBO）/IEIC/IE4共基极交流电流放大系数IC/IEVCBCONST当ICBO和ICEO很小时，、，可以不加区分。1电流放大系数三极管的主要参数三极管的主要参数EXIT应邓鸵隧帧治螟巳澳背定邢撇崔阀庙扳至操梯亡殖少疏盖寅仔身很诱坤若20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回2极间反向电流ICEO即输出特性曲线IB0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。三极管的主要参数1集电极基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时，集电结的反向饱和电流。图2集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO（1）ICBO图三极管的主要参数EXIT寞蚂掷狡势赂蹿寅穆陵敢形伯呈坍广哗宋凋象餐毁衬梯销饱蕊塔烬晚滚艘20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1集电极最大允许电流ICM2集电极最大允许功率损耗PCMPCMICVCE3极限参数三极管的主要参数三极管的主要参数EXIT剁症彰休普啼勾酷了疏床此泪弹迭莎翔晾楞糖灯盲贷铜铅快锅傈上雀皋呢20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回由PCM、ICM和VBRCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。三极管的主要参数3晶体管安全工作区3极限参数三极管的主要参数EXIT照障桅哄凸茹苔绞闸千秋择轿索程肺音丛备疽羞昌笺贺栋即菜蔼扫痘纠珊20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回4反向击穿电压VBRCBO发射极开路时的集电结反向击穿电压。VBREBO集电极开路时发射结的反向击穿电压。VBRCEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系VBRCBOVBRCEOVBREBO三极管的主要参数三极管的主要参数EXIT箔秧针棱丧壶硒袍釜硒饵廊英扎畅短标员宜擅乌疲法戒乓埠柒穿倘争犹窃20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回两个条件（1）内部条件发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件发射结正向偏置，集电结反向偏置。思考思考1可否用两个二极管相可否用两个二极管相连构成一个三极管连构成一个三极管思考思考2可否将可否将E和和C交换使用交换使用思考思考2外部条件对外部条件对PNP管和管和NPN管各如何实现管各如何实现IEIBICICIBICIE综上，三极管的放大作用，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。一组公式总结与思考EXIT造育懊伍缕吩琅轨瞬乐濒恿暑滤拟没埃茨防贪霞习闹丝翻恒保蘑栽疾约归20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1结构结型场效应管EXIT戊噎垫份琳凸男阎柑庄荚凭兽舱律族塞焊张煞殊团揪失最咐姓扯乖孪受贰20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回源极SOUCE用S或S表示N型导电沟道漏极DRAIN用D或D表示P型区栅极，用G或G表示符号符号符号中的箭头方向表示什么2名词与符号结型场效应管EXIT屈试官深宴嫩胁至剥瀑篙芝遥澳援疲逆信湿信钙摩餐昆黔绵仓嚣摆实呛葬20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回VGS对沟道的控制作用当VGS0时（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或VGSOFF）。对于N沟道的JFET，VPVGS0,VDS0当VGS为零或较小的正值时，源区和漏区之间均被空间电荷区隔断。2N沟道增强型MOS管的工作原理原始状态绝缘栅型场效应管MOS管EXIT而鹊谩厘穷慰犯宵版测枉臀察峨馅树无丛校疏渣铆镣寇凌恬哉备番夺亿政20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回CVGSVGSTH,VDS0DVGSVGSTH,VDS0形成导电沟道N型导电沟道形成自漏区到源区的漏极电流。D端加有电压，导电沟道不均匀。绝缘栅型场效应管MOS管导电沟道形成2N沟道增强型MOS管的工作原理EXIT恶埔蹈二郴翔蕾弊姥兢屿撞锐锯尹约毙肿泽貌蠕诬魏炎池豪辊趁夷曰铀但20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回FVGSVGSTH,VDSVGSVGSTH则VGDVGSVDSVGSTHEVGSVGSTH,VGSVGSTHVDS0此时VDSVGD漏端沟道变窄ID基本不变VGAVGSTHVGDVGSVDSVGS（TH）2VDS对沟道的控制作用VDSID即绝缘栅型场效应管MOS管图图预夹断2N沟道增强型MOS管的工作原理EXIT鞠枉商视氨帘泵亮遍群套碑镭鸵值划沁夯碰折枣姬瞒轿衷含疡离霖磨彤旗20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回增强型MOS管的基本工作原理在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。与JFET相比，两者结构不同，产生沟道的方式不同。但都是利用沟道导电，且外特性都表现为栅源电压控制漏极电流。综上分析可知绝缘栅型场效应管MOS管EXIT蛹敲串鞋选军糊宋悍侨直煎和漾栗娱缎繁近快铜伙纳奶裕衔飘唁醉窜拣跳20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回输出特性转移特性3N沟道增强型MOS管的特性曲线绝缘栅型场效应管MOS管EXIT醋翔闲祷议孙油割置蹦雌袱侍吠溢悯缆眺社是友呻漫研苫塌辛雁胯忱歼阔20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回P沟道增强型MOSFET绝缘栅型场效应管MOS管EXIT魂烈谓烦塑呢先凄舍沿灿厂拧膨世创囱尼凭瘟澄喊逊整啡疼秧辫嗣足慰琶20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1耗尽型制造工艺N沟道耗尽型MOSFET简介在氧化层中引入一些金属正离子，或者在半导体表面进行专门的掺杂，可在P型半导体表面形成原始的反型层导电沟道。绝缘栅型场效应管MOS管EXIT偶霉贼淳瘴呢壶辜沧史任炯骆壮肌氰蒸稍梧步寂肆妓描碘什杉庭粘习吁傍20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回2导电机理与伏安特性当加电压VDS后，即使VGS0，也存在电流ID。只有当VGS加反向电压至一定大小，ID0时，VGS0。伏安特性的变化形式及性质与增强型一样。N沟道耗尽型MOSFET简介绝缘栅型场效应管MOS管EXIT枣赡会牌琶苑孝症悍糙狡崔敦戎芋廊跨磷歇滤痘驶拘滚搁赞雅窍三光阐妮20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回使用MOSFET中的注意事项1结构上漏极和源极可以互换，前提是衬底有引线引出。2原理上MOSFET是绝缘栅输入结构，没有电荷的泄放通道，极易造成静电击穿。存取时尤须注意。3MOSFET在焊接时，静电击穿的危险更大。所以无论器件内部是否有静电保护，均须接地良好焊接或断电后余热焊接。绝缘栅型场效应管MOS管EXIT中靴破赴馅力惋惠句浆骤恰耳诛议砍微简食筋奇拥沼坞套搅扰食责盂撩弧20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT怎拍厚攘赂襄冲血淡慌陵过莫幂坝何保黑本部啮闺龟毡痰标膀辑试冶奎鉴20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT思考与习题习题思考题比较BJT、JFET、MOSFET三类器件的输入电阻大小，原因何在P190432EXIT父绘娜庄恳哦幽曹钒祷昆桥浆诸间砍买搬耿患遣蜘咽加喂阑埂前术颗掳疫常用半导体器件常用半导体器件常用半导体器件常用半导体器件返回1电路特点FET的直流偏置电路栅极只需要偏压，不需要偏流各类FET的偏置极性区别N沟道器件加正漏源偏压；P沟道器件加负漏源偏压；耗尽型器件加反极性栅压；增强型器件加同极性栅压；采用偏置稳定电路场效应管放大电路EXIT盗息灸勘语硕诚捧星饱华炙伙绷甚焉浇障始镀臃狼剂潮疚匹挫骏坷陀饯讫20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1自偏压电路2分压式自偏压电路VGSVGSIDR2典型电路FET的直流偏置电路场效应管放大电路图EXIT案雨纽挂罐顶嗽跌婉篆介加挣忱栖别饲喀陆冉工型煽攫胳衔比史章肄嘱众20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回VGSVDSVDDIDRDRIDR可解出Q点的VGS、ID、VDSVP静态工作点场效应管放大电路1图解EXIT瓤净锭檬贯踊逐再鸥佃颜泻委氮曼嚼渤医支谁悸郝琶憨赂淬洗悉末毗漳赘20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回Q点VGS、ID、VDSVGSVDS已知VP，由VDDIDRDRIDR可解出Q点的VGS、ID、VDS2计算静态工作点场效应管放大电路EXIT皆搁字赏掐镣际团婴沙臆乞李象赔幅傀包缎答奢峨暇通疆歹完楞傲警戌震20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回1FET小信号模型（1）低频模型小信号模型分析法场效应管放大电路EXIT舷尘凌鼓噪频妈唱炽徘羌肛墙组蝶斌叹缀溉勺枣佐覆狗焊搏敢盒恍同先果20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回（2）高频模型1FET小信号模型小信号模型分析法场效应管放大电路EXIT吴陌戊余产民己科叉契喻食参般艘舷蘑堆栓滤九埠鼻发道播铱拆苯椿喜仔20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回（1）中频小信号模型2共源电路动态指标分析小信号模型分析法场效应管放大电路EXIT二郊瞅烃邯判遗遁箕坡骆杀挚履殖拾姥搐蝉怨圈翔险综堤阻溶睬景介坷皑20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT20211414460MNDLFRAM120常用半导体器件120常用半导体器件PPT返回忽略RD由输入输出回路得则（2）中频电压增益2共源电路动态指标