“半导体制造技术”题库详解

以下是我们36位同学合作的结果，请大家务必珍惜。23题361分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。答快速气相掺杂RVD,RAPIDVAPORPHASEDOPING是一种掺杂剂从气相直接向硅中扩散、并能形成超浅结的快速掺杂工艺。原理是利用快速热处理过程RTP将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度，同时掺杂剂发生反应产生杂质院子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。RVD技术的优势（与离子注入相比，特别是在浅结的应用上）RVD技术并不受注入所带来的一些效应的影响，如沟道效应、晶格损伤或使硅片带电。RVD技术的劣势对于选择扩散来说，采用RVD工艺仍需要掩膜。另外，RVD仍然要在较高温度下完成。杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于表面处。应用方向主要应用在ULSI工艺中，例如对DRAM中电容的掺杂，深沟侧墙的掺杂，甚至在CMOS浅源漏结的制造中也采用RVD技术。气体浸没激光掺杂GILDGASIMMERSIONLASERDOPING的工作原理使用激光器照射处于气态源中的硅表面，使硅表面因吸收能量而变为液体层，同时气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子，杂质原子通过液相扩散进入很薄的硅液体层，当激光照射停止后，掺有杂质的液体层通过固相外延转变为固态结晶体，从而完成掺杂。GILD的优点杂质在液体中的扩散速度非常快，使得其分布均匀，因而可以形成陡峭的杂质分布形式。由于有再结晶过程，所以不需要做进一步的热退火。掺杂仅限于表面，不会发生向内扩散，体内的杂质分布没有任何扰动。可以用激光束的能量和脉冲时间决定硅表面融化层的深度。在一个系统中相继完成掺杂，退火和形成图形，极大简化了工艺，降低系统的工艺设备成本。GILD的缺点集成工艺复杂，技术尚不成熟。GILD的应用MOS与双极器件的制造，可以制备突变型杂质分布，超浅深度和极低的串联电阻。2集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺各有什么特点答按照原始扩散杂质源在室温下的相态可将扩散分为三类固态源扩散，液态源扩散与气态源扩散。1固态源扩散常见的主要有开管扩散、箱法扩散和涂源法扩散A开管扩散是把杂质源和硅片分开放置在扩散炉管中，通过惰性气体将杂质蒸汽输运只硅片表面。其特点是温度对杂质浓度和杂质分布有着直接的影响，重复性与稳定性都很好。B箱法扩散是把杂质源和硅片壮在由石英或者硅做成的箱内，在氮气或氩气的保护下进行扩散。其特点是扩散源多为杂质的氧化物，箱子具有一定的密闭性。含有杂质的蒸汽与硅表面反应，形成含有杂质的薄氧化层，杂质由氧化层直接向硅内扩散。其硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定，均匀性较好。C涂源法扩散是把溶于溶剂的杂质源直接涂在待扩散的硅片表面，在高温下由遁形其他保护进行扩散。其特点是杂质源一般是杂质的氧化物或者杂质的氧化物与惰性氧化物的混合物，当溶剂挥发后在硅表面形成一层杂质源。这种方法的表面浓度难以控制，且不均匀。可以通过旋转涂源工艺或化学气象淀积法改善。2液态源扩散是使用携带气体通过液态源，把杂质源蒸汽带入扩散炉管。其特点是载气除了通过携带杂质气体进入扩散炉内之外，还有一部分直接进入炉管，起到稀释和控制浓度作用。为了保证稳定性和重复性，源温一般控制在零摄氏度。其优点是系统简单，操作方便，成本低，效率高，重复性和均匀性好。3气态源扩散是直接将杂质气体通入炉管进行掺杂，除了气态杂质外，有时还需通入稀释气体或者杂质源进行化学反应所需要的气体。其特点是气态杂质源多为杂质的氢化物或卤化物，毒性很大，且易燃易爆。气态杂质源一般先在硅表面进行化学反应生成掺杂氧化层，杂质再由氧化层向硅中扩散。3、杂质原子的扩散方式有哪几种它们各自发生的条件是什么从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。（第二章）交换式两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。空位式由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。填隙式在空隙中的原子挤开晶格原子后占据其位，被挤出的原子再去挤出其他原子。在空隙中的原子在晶体的原子间隙中快速移动一段距离后，最终或占据空位，或挤出晶格上原子占据其位。以上几种形式主要分成两大类替位式扩散；填隙式扩散。替位式扩散主要包括交换式（所需能量高）和空位式（所需能量低，更容易发生）如果替位杂质的近邻没有空位则替位杂质要运动到近邻晶格位置上，就必须通过互相换位才能实现。这种换位会引起周围晶格发生很大的畸变，需要相当大的能量，因此只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位式扩散才比较容易发生。填隙型扩散挤出机制杂质在运动过程中“踢出”晶格位置上的硅原子进入晶格位置，成为替位杂质，被“踢出”硅原子变为间隙原子；FRANKTURNBULL机制也可能被“踢出”的杂质以间隙方式进行扩散运动。当它遇到空位时可被俘获，成为替位杂质。氧化增强扩散OED机理硅氧化时，在SISIO2界面附近产生了大量的填隙SI原子，这些过剩的填隙SI原子在向硅内扩散的同时，不断与空位复合，使这些过剩的填隙SI原子的浓度随深度而降低。在表面附近，过剩的填隙SI原子可以和替位B相互作用，从而使原来处于替位的B变为填隙B。当填隙B的近邻晶格没有空位时，填隙B就以填隙方式运动；如果填隙B的近邻晶格出现空位时，填隙B又可以进入空位变为替位B。这样，杂质B就以替位填隙交替的方式运动，其扩散速度比单纯的替位式扩散要快。而在氮化硅保护下的硅不发生氧化，这个区域中的杂质扩散只能通过空位机制进行扩散，所以氧化区正下方B的扩散结深大于氮化硅保护区正下方的扩散结深。磷在氧化气氛中的扩散也被增强，其机制与硼相同。氧化阻滞扩散机理用锑代替硼的扩散实验表明，氧化区正下方锑的扩散结深小于氮化硅保护区下方的扩散结深，说明在氧化过程中锑的扩散被阻滞。这是因为控制锑扩散的主要机制是空位。在氧化过程中，所产生的过剩间隙硅原子在向硅内扩散的同时，不断地与空位复合，使空位浓度减小，从而降低了锑的扩散速度。4、写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。费克第一定律C杂质浓度D扩散系数单位为CM2/SJ材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释如果在一个有限的基体中杂质浓度CX,T存在梯度分布，则杂质将会产生扩散运动，杂质的扩散流密度J正比于杂质浓度梯度C/X，比例系数D定义为杂质在基体中的扩散系数。1、杂质的扩散方向是使杂质浓度梯度变小。如果扩散时间足够长，则杂质分布逐渐变得均匀。2、当浓度梯度变小时，扩散减缓。3、D依赖于扩散温度、杂质的类型以及杂质浓度等。菲克第二定律如果假设扩散系数D为常数，这种假设在低杂质浓度情况下是正确的，则得解释菲克第二定律即为一维扩散方程沿扩散方向，从X到XX，面积为S的一个小体积元内的杂质数量随时间的变化情况。设在小体积元VXS内的杂质分布是均匀的。体积元内的杂质浓度为CX,T，经过T时间，该体积元内杂质变化量为，杂质在X处的扩散流密度分别为JX,T则在T时间内通过X处和XX处的杂质流量差为，假设体积元内的杂质不产生也不消失，可得代入第一定律方程则得到第二方程。即杂质在材料中沿某一方向浓度随时间变化率是由于扩散所引起的。5、以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。由于P2O5的晶粒较大，因此主要形成B类分布6分别写出恒定表面源扩散和有限表面源扩散的边界条件、初始条件、扩散杂质的分布函数，简述这两种扩散的特点主要特点（1）、杂质分布形式在表面浓度CS一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。（2）、结深DTACERFCDTXSBJ12（3）、杂质浓度梯度DTXSTXET4,2|,有限表面源主要特点（1）、杂质分布形式与恒定表面源扩散不同，有限表面源扩散的表面浓度CS随时间而降低，扩散温度相同时，扩散时间越长，杂DTQTCTS,0质扩散的越深，表面浓度越低。扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的越深，表面浓度下降越多。（2）、结深，对于有限源扩散来说，扩散时间较短LN4TCQTXBTJ时，结深XJ将随DT1/2的增加而增加。在杂质分布形式相同的情况下，CB越大，结深越浅。（3）杂质浓度梯度任意位置的杂质浓度,2|,TXCDTXTTXPN结处的杂质浓度BSJSXCTCJ/LN2|,杂质浓度梯度将随扩散结深的增加而减小。7什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么两步扩散采用两种扩散结合的方式第一步称为预扩散或者预淀积在较低温度下，采用恒定表面源扩散方式。在硅片表面扩散一层数量一定，按余误差函数形式分布的杂质。由于温度较低，且时间较短，杂质扩散的很浅，可认为杂质是均匀分布在一薄层内，目的是为了控制扩散杂质的数量。第二步称为主扩散或者再分布将由预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩散。主扩散的目的是为了控制表面浓度和扩散深度。两步扩散后的杂质最终分布形式主扩散起决定作用，杂质基本按高斯函数分布。8假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为QCM2。（1）如果这次预淀积进行了总共T分钟，若预淀积温度不变，引入3QCM2的杂质需要多长时间（2）预淀积后再进行推进扩散，要求推进的杂质足够深，使得最后表面杂质浓度等于其固溶度CS的1。若已知预淀积过程中的DTPREDOP，推导出推进扩散过程中DTDRIVEIN的表达式。（1），当Q变成3Q时，T为9T（2）由可知，DTPREDO2/CSCS与DTDRIVEIN的关系可表示为最后表面杂质浓度等于其固溶度CS的1，由上述两式可得DTDRIVEIN40000DTPREDOP/9、简述几种常用的氧化方法及其特点。（第二章PPT，6671页）热氧化法SI与氧或水汽等氧化剂在高温下发生化学反应生成SIO2。热氧化法制备SIO2的特点具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中等温度热处理的影响；降低SI表面的悬挂键，使表面态密度减小；很好地控制界面陷阱和固定电荷。这些特点对MOS器件和其他器件都是至关重要的。（1）干氧氧化在高温下，氧气与硅反应生成SIO2。氧化温度为9001200，为了防止外部气体的玷污，炉内气体压力应比一个大气压稍高些，可通过气体流速来控制。优点结构致密、干燥、均匀性和重复性好，掩蔽能力强，与光刻胶黏附好，目前制备高质量的SIO2薄膜基本上都是采用这种方法。缺点干氧氧化法的生长速率慢，所以经常同湿氧氧化方法相结合生长SIO2。（2）水汽氧化在高温下，硅与高纯水产生的蒸气反应生成SIO2。产生的H2分子沿SISIO2界面或者以扩散方式通过SIO2层“逃离”。因为水比氧气在SIO2中有更高的扩散系数和大得多的溶解度，所以水汽氧化的生长速率一般比较高。（3）湿氧氧化湿氧氧化的氧化剂是通过高纯水的氧气，高纯水一般被加热到95左右。通过高纯水的氧气携带一定水蒸气，所以湿氧氧化的氧化剂既含有氧，又含有水汽。因此，SIO2的生长速率介于干氧和水汽氧化之间，与氧气流量、水汽的含量有着密切关系。如果水汽含量很少，SIO2的生长速率和质量就越接近于干氧氧化的情况，反之，就越接近水汽氧化情况。水汽含量与水温和氧气流量有关。氧气流量越大，水温越高，则水汽含量就越大。（4）快速热氧化工艺RTO制备深亚微米器件的栅极氧化层，非常薄KS，在这种情况下线性氧化速率常数的大小主要由化学反应常数KS决定，即由硅表面处的原子经化学反应转变为SIO2的速率决定。表面化学反应速率是与硅表面的原子密度，也就是与表面的价键密度有关。111面上的硅原子密度比100面上大。因此，111面上的线性氧化速率常数应比100面上大。4）杂质影响在干分子氧中加入少量（13）卤素能够显著改善SIO2特性，最普遍使用的卤元素是氯。加速反应SIO键能为425EV，SICL键能为05EV。氯气与SI反应生成的SICL4可以与氧气反应生成SIO2，这里氯气起到了催化剂的作用。CL能够中和积累在表面的电荷。氯气能够与大多数重金属原子反应生成挥发性的金属氯化物，起到清洁作用。HCL一直是最常用的氯源，此外三氯乙烯（TCE）和三氯乙烷（TCA）因腐蚀性较小也有时被使用。15、简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。掺有杂质的硅在热氧化过程中，在SISIO2界面上的平衡杂质浓度之比定义为分凝系数。如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。ML，且在SIO2中是慢扩散的杂质，也就是说在分凝过程中杂质通过SIO2表面损失的很少，硼就是属于这类。再分布之后靠近界面处的SIO2中的杂质浓度比硅中高，硅表面附近的浓度下降。M1，且在SIO2中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SIO2表面跑到气体中去，杂质损失非常厉害，使SIO2中的杂质浓度比较低，但又要保证界面两边的杂质浓度比小于1，使硅表面的杂质浓度几乎降到零，在H2气氛中的硼就属于这种情况。M1，且在SIO2中慢扩散的杂质。再分布之后硅表面附近的杂质浓度升高，磷就属于这种杂质。ML，且在SIO2中快扩散的杂质。在这种情况下，虽然分凝系数大于1，但因大量杂质通过SIO2表面进入气体中而损失，硅中杂质只能不断地进入SIO2中，才能保持界面两边杂质浓度比等于分凝系数，最终使硅表面附近的杂质浓度比体内还要低，镓就是属于这种类型的杂质。对于M1，而且也没有杂质从SIO2表面逸散的情况，热氧化过程也同样使硅表面杂质浓度降低。这是因为一个体积的硅经过热氧化之后转变为两个多体积的SIO2，由此，要使界面两边具有相等的杂质浓度M1，那么杂质必定要从高浓度硅中向低浓度SIO2中扩散，即硅中要消耗一定数量的杂质，以补偿增加的SIO2体积所需要的杂质。16一片硅片由03UM厚的SIO2薄膜覆盖。（1）在1200下，采用H2O氧化，使厚度增加05UM需要多少时间。（2）在1200下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间所需数据见下表，玻尔兹曼常数K1381023。氧化工艺BB/A干氧C1772103UM2H1E1123EVC2623106UM2H1E220EV湿氧C1214102UM2H1E1071EVC2895107UM2H1E2205EVH2OC1386102UM2H1E1078EVC2163108UM2H1E2205EV（1）SIO2生长厚度与时间的普遍关系式0XABT其中11EXP/BCEKT22/EXP/BACEKT为初始时间，其中XI为初始氧化层厚度，X0为总氧化层厚度。2IIA推出0211/4TXB220/4/1TBXA222319078386EXP85/031/6BMH823195/1E63/12780/0A0259613M22053012889IIXAHB2056/4/560128697TH取近似时，当氧化时间很长，即时，T2203018064859XTHB（2）同理可知222319710EXP0476/0273180/6MH62319/23E85/0BA0475M892203279476IIXAHB22053/8/0531312TH取近似时，2203057912546XTHB10、SIO2界面电荷有哪几种简述其来源及处理办法。（1）可动离子电荷QM位置氧化层中的任何地方。QM最初位于栅（金属/多晶硅）SIO2界面，但是在正向偏压或者高温下，它们会向SISIO2界面移动。来源主要来源于NA等网络改变者。影响会对MOS期间的阈值电压VT和稳定性造成影响。解决办法为了降低NA的玷污，可以在工艺过程中采取预防措施包括使用含氯的氧化工艺；用氯周期性地清洗管道、炉管和相关的容器；使用超纯净的化学物质；保证气体及气体传输过程的清洁。另外保证栅材料不受玷污也是很重要的。（2）氧化层陷阱电荷QOT位置位于SIO2中和SISIO2界面附近，这种陷阱俘获电子或空穴后分别荷负电或正电来源在氧化层中有些缺陷能产生陷阱,这些缺陷有悬挂键；界面陷阱；硅硅键的伸展；断键的氧原子氧的悬挂键；弱的硅硅键它们很容易破裂，面表现电学特性。扭曲的硅氧键；SIH和SIOH键。产生陷阱电荷的方式主要有电离辐射和热电子注入等影响氧化层陷阱的存在会严重影响器件的可靠性。解决办法减少电离辐射陷阱电荷的主要方法有三种选择适当的氧化工艺条件以改善SIO2结构。为抗辐照，氧化最佳工艺条件，常用1000干氧氧化。在惰性气体中进行低温退火150400可以减少电离辐射陷阱。采用对辐照不灵敏的钝化层，例如A12O3，SI3N4等。3氧化层固定电荷QF位置SISIO2界面附近23NM处，是一层很薄的正电荷层，电荷密度约为1091011CM2，这一值不随常规的器件操作产生变化，通常有QFQFQF321来源通常是由SISIO2之间过渡区的结构改变引起的。该区中存在有过剩的硅离子，在氧化过程中与晶格脱开但还未完全与氧反应。影响使CV曲线横向移动，改变晶体管进入导通状态的阈值电压。解决办法快速退火能有效地减小氧化层固定电荷密度。（4）界面陷阱电荷QIT位置SISIO2界面处，能量处于硅禁带中、可以与价带或导带能够方便交换电荷的那些陷阱能级或电荷状态。来源界面处存在的不完整化合价及不饱和键，使得电子和空穴可以很容易地被俘获。影响因为QIT的能量穿越整个禁带，取决于当地的价键配置情况，所以影响较为复杂。它可以使阈值电压产生漂移；使MOS电容的CV曲线发生畸变；另外面态还可以成为有效的复合中心，导致漏电流的增加；也会减小MOS器件沟道的载流子迁移率，使沟道电导率减小，降低器件性能。处理办法界面态密度与衬底晶向、氧化层生长条件和退火条件密切有关。在相同的工艺条件下、111晶向的硅衬底产生的界面态密度最高，100晶向的最低。通过采用特殊的退火工艺可以有效减少界面态密度。11下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出16数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。（1）16分别是离子源、分析磁块和分析光阑（质量分析器）、加速器、中性束闸和中性束阱、XY扫描板、法拉第杯（2）部件2是分析磁块，其作用是作用将所需离子分选出来原理带电离子在磁场中受洛伦磁力作用，运动轨迹发生弯曲由离子源引出的离子流含有各种成分，其中大多数是电离的。离子束进入一个低压腔体内，该腔体内的磁场方向垂直于离子束的速度方向，利用磁场对荷质比不同的离子产生的偏转作用大小不同，最后在特定位置采用一个狭缝，可以将所需的离子分离出来。12离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞两种阻滞本领与注入离子能量具体有何关系解答对于核阻滞本领在离子能量较低时，离子的能量不足破坏化学键，发生的是近弹性碰撞，可以用库伦散射模型（入射离子和靶原子碰撞时，电场相互作用，将动能转化为势能，该势能能被离子和靶原子按照各自质量大小所瓜分，离子改变方向继续前进，晶格原子产生反冲）来描述这一碰撞过程，能量损失用SN表示，SN随着离子能量的增大而增大；在离子能量较高时，碰撞事件变得非常之短，使得能量损失变小，因此SN在某个能量时有最大值。对于电子阻滞本领能量损失的其他重要组成部分来自电子的作用，分为非局部电子阻滞（不改变入射离子运动方向）和局部电子阻滞（电荷/动量交换导致入射离子运动方向的改变），这两种组织形式都直接取决于离子的速度，因此，由于电子阻滞儿在每个单位长度上损失的能量用SE表示。12离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系核阻滞即由于注入离子与靶内原子核的碰撞而导致的阻滞本领。电子阻滞就是由于注入离子与靶内自由电子以及束缚电子之间的碰撞而导致的阻滞本领。（1）核阻滞本领能量损失与离子能量关系在离子能量较低时，离子的能量不足破坏化学键，发生的是近弹性碰撞，可以用库仑散射模型来描述这一碰撞过程，能量损失定义为SN，它随着离子能量的增大而增大。传递的动量由下式给出TFPD在离子能量较高时，碰撞时间变得非常之短，使得能量损失变小，因此SN在某个能量时有最大值，由下式可以近似得出SN的最大值（2）由于电子阻滞而在每个单位长度上损失的能量用符号SE表示为其中，KE为一个与粒子和靶物质有关的比例常数。在假定衬底是非晶体的最简单情况下，K基本与被注入的离子无关，可以近似认为K021015EV1/2CM2。13采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。解一级近似下，无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示其中N0为峰值浓度，RP为注入杂质的分布射程，RP为标准偏差；由于离子注入过程的统计特性，离子也有穿透掩蔽膜边缘的横向散射，因此分布应考虑为二维的，既有横向也有纵向的标准偏差，故要求掩蔽膜厚度时应该考虑边界层的影响，其浓度随深度变化图像如下图所示认为在XM处时，界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，带入数据得2410EXPMPR即8LN10429MPPPPXRR14、AS注入到轻掺杂的P型SI衬底内，能量75EV，剂量为11014CM2。硅片相对于离子束做7倾斜，使其貌似非晶。假设对注入区进行快速退火，结果得到了完全的电激活，其峰值电子浓度为多少所需参数可参考下图。解采用7的倾斜角偏离轴注入，可以减小沟道效应。靶内某次的散射结果可能会使入射离子转向某一晶轴方向，但是由于这种事件发生的概率较小，因此对注入离子峰附近的分布并不会产生实质性的影响。故采用峰值浓度公式如下其中RP为投影射程的标准偏差，为剂量。因为AS的能量为75EV，由标准偏差图可估计出RP002UM又11014CM2，带入上式可得N019951019（CM3）解一级近似下，无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示其中，RP为投影射程，RP为投影射程的标准偏差，为剂量。以上为浓度与深度的函数变化关系。则对于AS来说，当注入能量为75EV时，其注入深度为006UM,标准偏差是0021UM。将剂量为11014CM2代入上式中N0表达式中得N0189981015CM2由NX表达式可得，其峰值电子浓度出现在XRP处，将其代入NX式得NMAXN0189981015CM215什么是离子注入的横向效应同等能量注入时，AS和B哪种横向效应更大为什么答任何一个注入离子，在靶内所受到的碰撞是一个随机过程，因而它们在靶内分布是很分散的，那么离子就有穿透掩蔽膜边缘的横向散射，这就是离子注入的横向效应。同等能量注入时，B的横向效应更大，因为B离子更轻，在相同能量时，注入深度更大，横向扩散也大，所以其横向效应更大。16什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别答非对称性常用偏斜度SKEWNESS表示为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即XRP区域浓度增加。畸变用峭度KURTOSIS表示峭度越大，高斯曲线的顶部越平，标准高斯曲线的峭度为3。LSS的理论是呈标准的高斯分布，不同的杂质会不同程度地偏离对称的高斯分布。和的值可以用蒙特卡洛模拟得到，或更直接地测量实际分布并对结果进行拟合，其和标准的高斯分布有一定的误差。17热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。答虽然热退火温度比热扩散的温度要低得多。在退火温度下，对于完美晶体中的杂质来说，扩散系数是很小的，甚至可以忽略。但是，对于注入区的杂质，即使在比较低的温度下，杂质扩散也是非常显著的。这是因为离子注入所造成的晶格损伤硅内的空位数比完美晶体中多得多、晶体内存在大量的间隙原子以及其它各种缺陷使得扩散系数增大，扩散效应增强，而导致高斯展宽和拖尾现象。18什么是离子注入中常发生的沟道效应（CHANNELING）和临界角怎样避免沟道效应（1）沟道效应当离子速度方向平行于主晶轴时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。临界角其中，E为入射能量，单位为KEV，D为沿离子运动方向上的原子间距，单位为。如果离子的速度矢量与主要晶轴方向的夹角要大得多，则很少发生沟道效应。（2）解决办法偏离轴注入，采用7的倾斜角，但并不能完全消除沟道效应。注入前破坏晶格结构，使用SI、F或AR离子注入完成硅的预非晶化。使用薄的屏蔽氧化层，使离子进入晶体前的速度方向无序化，但会将部分氧注入晶体。19什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题（第三章PPT4748页）固相外延是一种半导体薄膜材料制备方法，它是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。没有外延的再结晶过程就不属于固相外延。如热退火的过程是一个固相外延的过程（SPE），以未损伤的下面衬底作为外延模板，杂质与移位的衬底材料一同进入生长的晶格中。过程如下图固相外延存在问题射程末端缺陷EOR。高剂量注入促使硅非晶化，而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点，非晶区以固相外延方式生长后，位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶（A/C）界面的缺陷称为射程末端EOR,ENDOFRANGE缺陷。形成射程末端缺陷的原因在于A/C界面的一侧有大量的非晶化阈值损伤。如图所示若位错环位于PN结耗尽区附近，会产生大的漏电流。位错环与金属杂质结合时更严重。选择的退火过程应当能够产生足够的杂质扩散，使位错环处于高掺杂区，同时又被阻挡在器件工作时的耗尽区之外。20简述硼和磷的退火特性。（第三章PPT4952页）硼的退火特性电激活比例自由载流子数P和注入剂量NS的比。A对于低剂量的情况，随退火温度上升，电激活比例增大。B对于高剂量情况，可以把退火温度分为三个区域在区域I中，随退火温度上升，点缺陷的移动能力增强，因此间隙硼和硅原子与空位的复合几率增加，使点缺陷消失，替位硼的浓度上升，电激活比例增加，自由载流子浓度增大。当退火温度在500600的范围内，点缺陷通过重新组合或结团，降低其能量。因为硼原子非常小，和缺陷团有很强的作用，很容易迁移或被结合到缺陷团中，处于非激活位置，因而出现随温度的升高而替位硼的浓度下降的现象，也就是自由载流子浓度随温度上升而下降的现象（逆退火特性）。在区域中，硼的替位浓度以接近于5EV的激活能随温度上升而增加，这个激活能与升温时SI自身空位的产生和移动的能量一致。产生的空位向间隙硼处运动，因而间隙硼就可以进入空位而处于替位位置，硼的电激活比例也随温度上升而增加。实际退火条件，要根据注入时靶温、注入剂量及对材料性能的要求来选择。注入剂量低，不发生逆退火现象，退火温度不需要太高。10（12）/CM2，800度，几分钟。室温注入与靶温较高时注入时，产生非晶区的临界剂量不同，退火要求也不同。磷退火特性图中虚线所表示的是损伤区还没有变为非晶层时的退火性质，实线则表示非晶层的退火性质。对于110（15）/CM2和510（15）/CM2时所形成的非晶层，退火温度在600左右，低于剂量为10（14）左右没有形成非晶层时的退火温度，这是因为两种情况的退火机理不同。非晶层的退火效应是与固相外延再生长过程相联系的，在再生长过程中，V族原子实际上与硅原子是难以区分，被注入的V族原子P在再结晶过程中与硅原子一样，同时被结合到晶格位置上。21简述RTP设备的工作原理（第三章第62页），相对于传统高温炉管它有什么优势（第三章67页）答（1）RTP设备的工作原理RTP工艺是一类单片热处理工艺，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算（THERMALBUDGET）。RTP工艺的发展，是为了适应等比例缩小器件结构对杂质再分布的严格要求；最早的RTP工艺主要用于注入后的退火。目前，RTP工艺的应用范围已扩展到氧化、化学气相淀积和外延生长等领域。根据加热类型可以分为以下三类A绝热型宽束相干光快速脉冲；B热流型高强度点光源整片扫描；C等温型宽束非相干光辐射（2）RTP设备与传统高温炉管的优势（标红的为优势,未标红的只是区别）A传统炉管的致命缺点是热预算大，无法适应深亚微米工艺的需要；而RTP设备能大幅降低热预算。B升降温速度RTP设备的升、降温速度为10200/秒，而传统炉管的升、降温速度为550/分钟。C传统炉管是热壁工艺，容易淀积杂质；RTP设备则是冷壁工艺，减少了硅片沾污。D加热元件RTP采用加热灯管，传统炉管采用电阻丝硅片E温度控制传统炉管利用热对流及热传导原理，使硅片与整个炉管周围环境达到热平衡，温度控制精确；而RTP设备通过热辐射选择性加热硅片，较难控制硅片的实际温度及其均匀性。F生产方式RTP设备为单片工艺，而传统炉管为批处理工艺。22简述RTP在集成电路制造中的常见应用（第三章7679页）答（1）杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态，意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶度限制。例如，对砷进行数毫秒的退火，它的激活浓度可达到31021左右，大约是其固溶度的10倍。因为，在短时间的退火过程中，砷原子没有足够的时间来形成聚团并凝聚成无活性的缺陷。注意若激活不太充分，过剩的砷原子会形成深能级，若这些深能级靠近PN结会成为有效的产生/复合中心，导致PN结漏电。（瞬时增强扩散效应快速热退火过程中，注入离子的扩散率会极大地增强，人们认为这种增强效应起源于残留的注入损伤，注入后的晶圆片内存在高浓度的空位和自填隙原子。现在人们普遍认为，砷的瞬时效应比硼要小得多，这些瞬时效应随某个特征时间常数减弱，这个时间常数与衬底中缺陷湮灭的速率有关）。（2）介质的快速热加工快速热氧化RTO可以在合适的高温下通过精确控制的气氛来实现短时间生长薄氧层。（干氧方法）ARTO生长的氧化层具有很好的击穿特性，电性能上坚固耐用。B由于不均匀温度分布产生的晶圆片内的热塑应力影响了RTO的均匀性。C若适当冷却反应腔壁，可以用作冷壁工艺，防止腔壁污染后续工艺。（3）硅化物和接触的形成快速热处理也经常被用于形成金属硅化物接触，其可以仔细控制硅化反应的温度和环境气氛，以尽量减少杂污染，并促使硅化物的化学配比和物相达到最理想的状态。形成阻挡层金属也是RTP在SI技术中的一个应用，这些导电的阻挡层金属可以阻止硅衬底和用于器件互联的AL基合金之间的互扩散。另外RTP还可以在GAAS工艺中用于接触的形成，淀积一层金锗混合物并进行热退火，可以在N型GAAS材料上形成低阻的欧姆接触。23对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的（第三章PPT，6270页）答滑移产生的原因RTP工艺是一类单片热处理工艺，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算。RTP采用加热灯管作为热源，通过热辐射选择性加热硅片，较难控制硅片的实际温度及其均匀性。造成硅片受热不均的原因主要有三个（1）圆片边缘接收的热辐射比圆片中心少；（2）圆片边缘的热损失比圆片中心大；（3）气流对圆片边缘的冷却效果比圆片中心好。这些因素使得硅片边缘温度比中心低，其温度梯度通常在几十甚至上百度，在晶圆片边缘造成很大的热塑应力，从而引起滑移等缺陷。辐射分布（个人见解，仅供参考）如果温度上升速度加快，热损失和气流冷却对硅片中心和边缘温度差异造成的影响被相对减弱了，但滑移现象却变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是很不均匀的，中心受到的辐射远多于边缘受到的辐射，因此加快温度上升速度使得中心和边缘的温度梯度加大，从而导致滑移现象变得更为严重。24物理气相淀积最基本的两种方法是什么简述这两种方法制备薄膜的过程。1）物理气相淀积最基本的两种方法是蒸发EVAPORATION、溅射SPUTTERING2）这两种方法制备薄膜的过程蒸发在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。溅射基本原理如右图所示，真空腔中有一个平行板等离子体反应器，非常类似于简单的反应离子刻蚀系统。将靶材放置在具有最大离子电流的电极上，高能离子将所要淀积的材料从靶材中轰击出来。靶与晶圆片相距十分近（小于10CM），出射原子大部分能被晶圆所收集。25热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法简述其工作原理。1）热蒸发法淀积薄膜的淀积速率的影响因素当将坩埚和晶圆片放在同一个球表面上时，推导可得淀积速率ED22K4RPMART即蒸发材料、温度、腔体形状影响沉积速率2）淀积速率的测量采用的办法淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它可以在谐振频率下振荡，工作时测量其振荡频率。3）其工作原理因为晶体顶部有材料蒸发淀积，所外加的质量将使得频率偏移，由测得的频率移动可得出淀积速率。26、什么是溅射产额，其影响因素有哪些简述这些因素对溅射产额产生的影响。溅射产额平均原子数入射粒子数影响因素离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性离子质量溅射产额S依赖于入射离子的原子量，原子量越大，则溅射率越高。离子能量只有当入射离子的能量超过一定能量溅射阈值时，才能发生溅射，每种物质的溅射阈值与被溅射物质的升华热有一定的比例关系。随着入射离子能量的增加，溅射率先是增加，其后是一个平缓区，当离子能量继续增加时，溅射率反而下降，此时发生了离子注入现象。靶原子质量随着靶原子序数的增加，S值是周期性变化的，材料的电子结构中，D壳层电子越多，该材料S值就越大靶的结晶性一般说来，单金属的溅射产额高于它的合金；在绝缘材料中，非晶体溅射产额最高，单晶其次，复合晶体最低。27当靶不断远离硅片时，用溅射淀积填充窄沟槽的底部的能力是如何改变的忽略任何气相碰撞的影响。随着靶不断远离硅片，溅射沉积填充沟道能力减弱。靶基距小时，沉积速率沿径向成正态分布，当靶基距增大，均匀性增强，但沉积速率明显下降。这是因为当靶材和基片距离较近时，镀膜区等离子密度较高而且气体散射的作用很小，薄膜沉积速率都很高。而随着靶基距的增大，同时等离子密度也减弱，动能减少，因此薄膜沉积速率减少，从而使得靶材粒子很难到达沟道底部。28常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。（图形只做参考，没必要画）1直流溅射原理惰性气体，如氩，送入低压下的溅射腔体，电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是顶电极为需要淀积的源材料，例如铝或铝压板，作为靶材。硅片放置于底电极上，高能粒子撞击靶材，溅射出靶原子，这些原子以蒸汽形式自由走过等离子体撞击到硅片表面，凝聚并形成薄膜。特点靶材料要具有比较好的导电性；随着气压的增加，溅射淀积的速率会出现一个极值；此外淀积速率与溅射功率成正比，与靶材和衬底之间的间距成反比。2射频溅射原理与直流溅射类似，不过电极上加的是射频交流电。特点交流电场可以经由其他阻抗形式耦合到淀积室，因此不必要求电极一定是导体，能适用于各种金属和非金属材料的溅射淀积。3反应溅射原理以纯金属作为溅射靶材，但在工作气体中通入适量的活性气体，使其在溅射淀积的同时生成特定的化合物，这种在淀积的同时形成化合物的溅射技术被称为反应溅射方法。特点随着活性气体压力和溅射功率的增加，靶材表面也可能形成一层化合物，这可能会降低材料的溅射和淀积速率。原理4偏压溅射原理在淀积前的一个短时间内，将衬底和靶的电学连接相颠倒，可以使得衬底发生溅射而不是靶材，这样可以从晶圆片表面去除自然氧化物和残留的玷污（溅射刻蚀）。对于简单的磁控系统，如果衬底和淀积材料是导体，可以调节加于衬底上的相对于等离子体的偏压，溅射刻蚀的薄膜，在低偏压下可以重新淀积于晶圆片上。特点台阶覆盖能力比较好。29下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中15各步的含义。化学反应方程式为（1）反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运（2）这些气体反应生成系列次生分子；（3）这些反应物输运到晶圆片表面，反应释放出硅，同时气体副产物解吸附；（4）副产物离开晶圆片表面的输运；（5）副产物离开反应器的输运。30对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900，质量传输系数HG10CMS1，表面反应速率系数KS1107EXP19EV/KTCMS1。现有以下两种淀积系统可供选择1冷壁，石墨支座型；2热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。解（理论见课件第4章38，41页）由，可以得出可以看见S1CS11110719/10107,且趋于0，淀积速率受质量输运速率控制。而热壁适合对温度107CS控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，冷壁适合对温度要求不高的质量输运控制。所以应选择1冷壁，石墨支座型。反应室类型热壁反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，腔内各处都发生薄膜生长。冷壁仅对硅片和支撑件加热，一般采用辐照加热和射频加热，升降温快速，但温度均匀性差，适合对温度要求不高的质量输运控制。冷壁系统能够降低在侧壁上的淀积，减小了反应剂的损耗，也减小壁上颗粒剥离对淀积薄膜质量的影响。31CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率1）两个限制步骤反应剂在边界层中的输运；反应剂在衬底表面的化学反应。2），分别为气相质量输运系数、GSSK1HCGS、表面化学反应速率常数存在两种极限情况，CS趋于CG，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量GKH主气流输运到硅片表面的表面化学反应所需要的；，CS趋于0，淀积速率受质量输运速率控制。反应剂数量表面G化学反应所需要的主气流输运到硅片表面的。32简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。1）APCVD常压下扩散系数小，APCVD一般是由质量输运控制淀积速率GSH因此精确控制单位时间内到达每个硅片及同一硅片不同位置的反应剂G1HCGN数量，对所淀积薄膜的均匀性起着重要的作用。一个主要问题是颗粒的形成。在气体注入器处可能发生异质淀积，在淀积了若干晶圆片后，颗粒变大剥落并落在晶圆片表面。为避免这一问题可采用多通道的喷头设计。缺点台阶覆盖性差；膜厚均匀性差；效率低2）LPCVD低压化学气相淀积系统淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。另外，在不使用稀释气体的情况下，通过降低压强就可以降低气相成核。在LPCVD系统中，因为低压使得扩散率增加，因此变大使得，GHGSH生长速率受表面化学反应控制，与气流的均匀性无关，硅片可以竖直紧密排列，容量大。缺点淀积速率慢，生长温度高3）PECVD等离子体增强化学气相淀积PECVD是目前最主要的化学气相淀积系统。APCVD和LPCVD都是利用热能来激活和维持化学反应，而PECVD是通过射频等离子体来激活和维持化学反应，受激发的分子可以在低温下发生化学反应，所以淀积温度比APCVD和LPCVD低（200350），淀积速率也更高，淀积的薄膜具有良好的附着性、低针孔密度、良好的阶梯覆盖及电学特性。由于PECVD与非等离子体CVD相比，淀积过程有更多的非平衡特点，故也可以更容易地改变薄膜性质（组成、密度、应力等），并且对于特定的应用可修正这些性能。然而，这也会使薄膜产生不希望有的组分或者性质，如副产品或气体分子结合进薄膜。33简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么1）生长过程传输反应物从气相经边界层转移到SI表面；吸附反应物吸附在SI表面；化学反应在SI表面进行化学反应，得到SI及副产物；脱吸副产物脱离吸附；逸出脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室；加接生成的SI原子加接到晶格点阵上，延续衬底晶向2）生长特征横向二维的层层生长34影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些1）温度外延温度选在高温区生长速率处于质量输运控制范围，温度的微小波动不会影响生长速率显著变化；淀积在表面的硅原子具有足够的能量和迁移能力，易找到合适的位置形成单晶；但是，外延温度太高，会使自掺杂效应和扩散效应加重2）反应剂浓度外延生长速率由以下两因素较慢放入一个决定氢还原SICL析出硅原子的速率；被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶层的速率。3）气流速率气体流速越大，边界层越薄，相同时间内转移到单位衬底表面上的反应剂数量越多，外延层生长速率也越快；当气流大到一定程度时，外延层的生长速率基本不随气体流量增大而加快。因为此时边界层厚度很薄，输运到衬底表面的反应剂数量可能超过外延温度下的化学表面反应需要的数量，此时生长速率由化学反应速率决定。4）衬底晶向不同晶面的键密度不同，键合能力存在差别，会对生长速率产生一定影响。共价键密度小，键合能力差，生长速率慢，例如晶面；共价键密度大，键合能力强，生长速率快，例如1晶面。35、下图为硅外延生长速度对H2中SICL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因随H2中SICL4的摩尔百分比的增大，硅淀积速率先增大后减少，在摩尔百分比超过027后，会出现腐蚀现象。外延生长速率由以下两因素较慢放入一个决定氢还原SICL4析出硅原子的速率；被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶层的速率。1SICL4的摩尔百分较小时，SICL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原子在衬底上排列生成单晶硅的速度，氧化还原化学反应速度控制外延层的生长速率，所以增加SICL4浓度，氧化还原化学反应速率加快，生长速度提高。2当浓度继续增大时，化学反应释放硅原子速度大于硅原子在衬底表面的排列生成单晶硅的速度，此时生长速率受硅原子在衬底表面排列生长的速度控制，易生成多晶硅。而当SICL4的浓度变高时，逆向反应明显会使生长速率变慢，所以增大SICL4的浓度，生长速率反而下降。3当浓度大于一定程度时，逆向反应速率会超过生长速率，因而会出现腐蚀现象，体现在图中摩尔百分比超过027后。36什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化扩散效应是指衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度的缓慢变化的现象。自掺杂效应是指在外延生长过程中，衬底和外延层中的杂质因热蒸发，或因化学反应的副产物对衬底或外延层的腐蚀，都会使衬底和外延层中的杂质进入边界层中，改变了边界层中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中杂质的实际分布偏离理想情况的现象。扩散效应导致的结果如图1所示。自掺杂效应导致的结果如图2所示。图1扩散效应导致偏离理想曲线示意图重掺杂情况轻掺杂情况图2自掺杂效应导致偏离理想曲线示意图这两种效应都将导致杂质浓度的突变型分布不能实现，在实际中都将以缓变型分布出现。注如果题目分值较少，不需要答出这四幅图，直接略过即可，最后一句话是重点37、解释为什么导热型规表在超高真空下不能工作答因为超高真空的导热性很差，所以用导热型规表不能实时地测量出腔内压力的变化，所以其在超高真空下不能工作。PS物质导热性都是通过分子或者晶格振动来完成的，即能量的传递必须以物质为载体，超高真空中物质较少，所以导热性能