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1、 (如何由Fermi能级来判断非简并、简并、强简并和弱简并?什么是杂质能带和能带尾?什么是禁带变窄效应?什么是载流子屏蔽效应?是否简并、是强简并还是弱简并?)Xie Meng-xian. (电子科大,成都市)简并与否是半导体的一种基本特性。简并半导体具有其独特的性质简并化效应。(1)简并化的标准:因为简并半导体中的载流子浓度很大,则其Fermi能级必然很靠近导带底(对n型半导体)或者靠近价带顶(对p型半导体),甚至还有可能进入到能带里面去。Fermi能级进入到了能带里面的半导体,有时特称为强简并半导体。实际上,对n型半导体,在EF与EC接近、还相差2kT时,就已经开始出现简并化效果了,所以往往
2、就把 (ECEF) 是否小于2kT的条件作为判断出现简并化与否的标准,即:当然,本征半导体因其Fermi能级在禁带中央,它必然是非简并半导体。掺杂浓度越高、温度越低,就越容易产生简并化。(2)简并化效应:简并半导体具有许多独特的性质,对半导体器件工作影响较大的一些效应主要有: 出现杂质能带和杂质导电:对于高掺杂的简并半导体,当其中分散的各个杂质原子的外层电子的轨道发生相互重叠(即杂质原子上的基态电子可在各个杂质原子之间作“共有化”运动)时,即将出现所谓杂质能带(即杂质能级展宽为杂质能带,类似于原子组成晶体时而出现能带一样)。在图中即示出了简并n型半导体的施主杂质能带。虽然杂质能带不一定很宽(因
3、为杂质原子的间距比晶格常数大得多,则轨道的重叠不会太多),其中“载流子”的迁移率不是很大,但是在低温下(这时主能带的导电贡献将很小),杂质能带的导电作用却往往不可忽视,这就产生所谓低温杂质导电现象。注意:虽然说杂质能带中的电子也作“共有化”运动,但这些电子并不像晶体价电子那样是真正的共有化电子Bloch态的电子,因为杂质原子的分布并不规则,并且更谈不上具有周期性。 产生导带和价带的能带尾:在掺杂浓度很高时,大量杂质中心的电势即会影响到晶体的周期性势场,从而对能带产生扰动,使得在禁带中、在靠近导带底或价带顶的附近处出现所谓能带尾,并与杂质能带相连(见图)。禁带宽度变窄:对于高掺杂的简并半导体,由
4、于杂质能带和能带尾的出现,当杂质能带随着掺杂浓度的提高而展宽、并达到与导带底或价带顶相连接时,即就相当于使得禁带宽度变窄了(如图所示,禁带宽度由原来较宽的Eg变为了较窄的Eg)。在室温下,n型Si中由于高掺杂(杂质浓度为ND)而使禁带宽度变窄的量可给出为:禁带宽度的变窄即相应地使本征载流子浓度大大增加。因而,少数载流子的浓度也相应地大大增加。可见,禁带宽度变窄的效应对少数载流子浓度有很大影响,从而对依靠少数载流子工作的BJT等半导体器件会产生严重的影响。但是,禁带宽度变窄效应一般对多数载流子浓度没有什么影响(因为在室温下杂质往往是全电离的,多数载流子浓度掺杂浓度)。出现载流子屏蔽效应:例如,对
5、于n型半导体,在电子浓度大于施主杂质浓度时,每一个施主中心都可被很多电子所包围,从而减弱了该施主中心对其外层价电子的束缚势能;当电子浓度足够高时,就会造成施主中心完全丧失了对价电子的束缚作用,即就使得杂质的电离能降到0。对于p型半导体,情况类似。实验表明,在Si中,当ND231017cm3,或NA71018cm3时,相应杂质的电离能即已经减小到0。此外,在出现载流子屏蔽效应时,杂质中心散射载流子的作用也将大大减弱,这将使得载流子的迁移率明显提高。载流子屏蔽杂质中心的这种效应,在低掺杂半导体和稀释电解质中特称为Debye-Huckle屏蔽效应;在简并半导体和金属中则往往称为Fermi-Thomas屏蔽效应。总之,对于简并半导体,随着掺杂浓度的提高,杂质电离能将下降;并且当掺杂浓度提高到一定程度后即出现杂质能带及其导电现象;若掺杂浓度再进一步提高时即发生杂质能带与主能带重叠,同时能带尾伸长,导致禁带宽度变窄。 此外,处在低温下的载流子往往需要考虑简并化效应。例如,对于n型Si,在100K以上时,其中的施主一般将会全部电离(即所有施主都能够提供载流子);在100K以下时则只有部分电离(即只有部分施主能提供载流
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