变容二极管参数_第1页
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文档简介

1、型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值303B35p(25V)18p(3V)61000MHz2AC12p(25V)27p(3V)750MHz2CC13.6p(25V)20p(3V)4650MHz2CB143p(25V)1830p(3V)5750MHz2CC-322.5p(25V)25p(3V)4.5800MHzISV-10112p(10V)32p(2.5V)2.4100MHzAM-10930p(9V)460p(1V)15AMBB-11217p(6V)12p(3V)1.8AMISV-14930p(8V)540p(1V)18AMS-1532.3p(9V)16p(2V)7600MHzMV

2、-20911p(9V)33p(1.5V)3UHFKV-123630p(8V)540p(1V)20AMKV-131043p(8V)93p(2V)2.3100MHzIS14930p(8V)540p(1V)18AMS2082.7p(9V)17p(4V)4.5900MHzMV21056p(9V)22p(4V)2.5UHFDB3006.8p(25V)18p(3V)1.850MHzBB11210p(25V)180p(3V)16AM变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依 赖关系及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并

3、采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。ATMEL代理变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电 阻。主要参量是：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等，对于不同用途，应选用不 同C和Vr特性的变容二极管，如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管 等。 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫 法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途

4、。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、 外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐 回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。变容二极管及的作用变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。变容二极管有玻璃外壳封装（玻封）、塑料封装（塑封）、金属外壳封装（金封）和无引线表

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