模拟电子技术基础课后习题答案

1、模拟电子技术基础课后习题答案篇一：模拟电子技术基础,课后_题答案 模拟电子技术基础 第一章 1.1 电路如题图1.1所示，已知uit，二极管导通电压降UD3.7V时，uo3.7V3.7V时，uo0 采用恒压降模型来说，UAO0.7V 1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID 解：（b）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出： 25 1.5V 18510 U右1510U左 故此二极管截止，流过的电流值为ID0 （c）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出： 52 2.5V，U左2.50.5V 25210 U右

2、1510U左115U左 0.5 1kRLRL 解得ro0.6V，ICEO、ICES可忽略不计，试分析当开关 S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。 解：ICS3mA，IBS0.0375mA (1) 开关打在A上：IB0.6 IBS，故三极管工作在饱和区。 40 IC3mA (2) 开关打在B上：IB0.6 IBS，故三极管工作在放大区。 500 ICIB20uA，IC3V, VCC VCCV300k，RC3k IBIC (3) UOMUCEQ,UCEQmin(4.50.8)及AVS。 VCC A ICIBVCC4V （2）简化的H参数

3、小信号等效电路如图解3.4.2所示。 （3）求rbe rbc200(1863VR0L（4）A116 VrberbeVi V AVSARsRs画出波形图. (2) us (3) Rb2减小将会产生饱和失真 2.15 电路如题图2.11所示。 (1)画出放大电路的微变等效电路； UCC UBRb2 UBRe2 (2) 写出电压放大倍数Au1Re时的输出电压uo1、uo2的波形（输入ui为正弦波，时间关系对齐） 解：（1） 26 rbe12.5k38 rbeRb1/Rb2/Re1Rc ri ARs Uo1Ui . . Au2Is1)表示。 式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是

4、一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q，为温度的电压当量（其单位与V的单位一致），其中玻尔兹曼常数k101.6021773119C(库伦)，则VTIsIS1201212012lg20lge2.18AA，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？ 答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。 4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？ 答：能实现稳压，二极管应该正向偏置，硅二极管的正偏导通电压为0.7V；因此硅二极管的正向特

5、性，可以实现稳压，其稳压值为0.7V。 5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？ 答：齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，其空间电荷区较窄，击穿电压较低（如5V以下），一般反向击穿电压小于4Eg/q（EgPN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。 发生齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN结才能达到。击穿后并不意味着PN结损坏，当加在稳压管上的反向电压降低以后，管子仍然可以恢复原来的状态。但是反向电流和反向电

6、压的乘积超过PN结容许的耗散功率时，就可能由电击穿变为热击穿，而造成永久性的破坏。电击穿PN结未被损坏，但是热击穿PN结将永久损坏。 主观检测题 2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设ISA ） 解：由公式 IDqVDe/KTDVeT/V 由于ISA， VT=0.026V 正向偏置VD=0.26V时 IDVD/VT101101220264A0.22A A 篇三：模拟电子技术基础(国防工业出版社)课后_题 题1.1 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移

7、，加宽（7）、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。 题1.2 二极管电路如图T1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压UO 。设二极管的导通压降为UD=0.7V。 (a)(b)(c)(d) 图 T1.2 解：（a）UO=UAUD=5V0.7V=5.7V （b）UO=UB=UC=5V （c）UO=UA=0.7V （d）UO=UA=9.3V 题1.3 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知uit(mV) ，E100ID(5t)mA uDud0.01sin 41 20)6110V,UA525 (b) UA10(4V 2201 UB15

8、UB, 二极管截止。 110V,题1.7 已知稳压管DZ的稳压值UZ O2IR 假设成立，所以UO1=6V ； (b)若稳压管DZ能够稳压则：IZIRLUZUZ 5mAUZUZIZmin， RRL RL R 假设不成立，稳压管不导通，所以Uo2 题1.8 电路如图T1.8所示，已知E=20V，R1=400，R2=800。稳压管的稳定电压UZ=10V，稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=20mA求流过稳压管的电流IZ=UZUZ IZI2IZmin, R1R2 假设成立，且IZ12.5mA，如果R2断开，稳压管中电流过大将被烧坏；IZI2UZUZ IZmax ，R2的最大值为2k。

9、 R1R2题1.9测得放大电路中的两个晶体管的两个电极电流如图T1.9所示。 （1） 另一个电极的电流，并在图中标出实际方向； （2） 判断它们的管型，并标出e、b、c极； （3） 估算它们的值和=200，ICEO=50， ICEO=10A，其它参数大致相同，用作放大时最好选用哪只管？ 解：B管。（选用BJT时，一般希望极间反向饱和电流尽量小些，以减小温度对BJT性能的影响）。 题1.11 在放大电路中，测得三只晶体管各个电极的电位如下， A管：2V，2.7V，6V B管：2.2V，5.3V，6V C管：4V，1.2V，1.4V 试判断晶体管的类型、材料、电极。 解：A管：NPN型，硅，e，b

10、，c； B管：PNP型，硅，c，b，e； C管：PNP型，锗，c，e，b。 题1.12 用万用表直流电压档测得某电路中三只晶体管各电极的电位如下， A管：UC=18V，UB=12.3V，UE=12V ；B管：UC=+6V，UB=+0.1V， UE=0.2V；C管：UC=+5.3V，UB=+5.3V，UE=+6V。试判断晶体管的工作状态。 解：A管：放大状态，B管：放大状态，C管：临界饱和状态。 题1.13工作在饱和状态的PNP型晶体管，三个电极电位的关系哪一组正确？ （1）UEUB，UCUB，UEUC； （2）UEUB，UCUB，UEUC； （3）UBUE，UBUC，UEUC； 解：（1）组正

11、确 题1.14 电路如图T1.14所示，已知晶体管=50， V |UBE|=0.2V，饱和管压降|UCES|=0.1V；稳压管的稳定电压UZ=5V，正向导通电压UD=0.5V。试问：当uI=0V和uI=5V时uO的值各为多少？ 解：ui=0V时uO=UZ=5V； ui=5V时uO=0.1V。 题1.16 某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V。试问： （1）若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过多少？ 图 T1.14 图 T1.15 （2）若工作电流IC=1mA，则工作电压UCE不得超过多少？解：（1） IC不得超过5mA （2） UCE不得超过30V 题