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文档简介

1、实验一 MOS管的基本特性班级 姓名 学号 指导老师 一、实验目的1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；2、熟练掌握MOS管基本特性；二、实验内容及要求1、熟悉Hspice仿真工具；2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从05V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V和5V时的输出特性曲线；三、实验原理NMOS 的特性：Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）。（1）Vgs=0,没有导电沟道此时栅源短接，源区，衬底和漏区形成两个-g i d 背靠背的 PN 结，无论 Vds 的极性怎样，其中 总有一个 PN 结是反偏的，所以 d,s 之间没有 形成导电

2、沟道， MOS 管处于截止状态。（2）VgsV GS(th），出现 N 沟道栅源之间加正向电压由栅极指向 P 型衬 P 衬底 底的电场将靠近栅极下方的空穴向下排 斥形成耗尽层。再增加 Vgs 纵向电场。将 P 区少子（电子）聚集到 P 区表面。形成源漏极间的 N 型导电沟道。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流 i d。四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（个人电脑虚拟机平台，windows XP。）软件仿真平台：（在Hspui软件仿真平台上。）实验步骤：1、编写源代码，并以.sp文件扩展名存储文件。2、编译与调试。打开Hspice软件平台，选择打开nmos.sp文件。3、软件仿真运行

3、及验证。在编译成功后，点击Simulate开始仿真运行。点击Avanwaves，按照程序所述对比仿真结果。4、仿真平台各结果信息说明。五、实验仿真结果及其分析1、 仿真过程1） 源代码*Sample netlist for GSMC.TEMP 25.0000 .option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold.lib gd018.l TT* - Voltage Sources -vdd VDD 0 dc=1.8vgs g 0 0vds d 0 dc=0.9vbs b 0 dc=0* - Inverter Subcircuit -Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U* - Transient Analysis -.dc vds 0 1.8 0.01 SWEEP vgs 0 1.8 0.2.print dc v(d) i(Mnmos) .end2、 仿真结果及分析1) 仿真结果2) 仿真结果分析MOS管有三个工作区域：可变电阻区、恒流区及夹断区

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