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文档简介
1、泓域咨询/IGBT芯片生产制造项目建议书IGBT芯片生产制造项目建议书泓域咨询/规划设计/投资分析IGBT芯片生产制造项目建议书说明IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力,已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。该IGBT芯片项目计划总投资10774.59万元,其中:固定资产投资7978.34万元,占项目
2、总投资的74.05%;流动资金2796.25万元,占项目总投资的25.95%。达产年营业收入23860.00万元,总成本费用18054.53万元,税金及附加225.99万元,利润总额5805.47万元,利税总额6832.21万元,税后净利润4354.10万元,达产年纳税总额2478.11万元;达产年投资利润率53.88%,投资利税率63.41%,投资回报率40.41%,全部投资回收期3.97年,提供就业职位335个。努力做到合理布局的原则:力求做到功能分区明确、生产流程顺畅、交通组织合理,环境保护良好,空间处理协调,厂容厂貌整洁,有利于生产管理和工程分区建设。.报告主要内容:项目概论、项目背景
3、及必要性、市场研究、项目投资建设方案、项目选址说明、项目工程设计说明、工艺技术分析、项目环境影响分析、安全管理、项目风险应对说明、项目节能情况分析、实施安排方案、项目投资可行性分析、项目经济效益分析、总结及建议等。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件(分立器件的一支)和功率IC(集成电路的一支)。理想情况下,完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失,在开闭转换的时候没有任何的功率损耗,因此功率半导体这个领域的产品和技术创新,其目标都是为了提高能量转化效率。第一章 项目概论一、项目概况(一)项目名称IGBT芯片
4、生产制造项目近年来全球新能源汽车销量快速增长,全球新能源乘用车的销量将由2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆,年均复合增长率将达到32.6%,而中国作为全球最大的新能源汽车市场,占比将维持在40-50%份额。工业控制为IGBT最大市场需求领域,需求稳定增长。IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件,且已在此领域中得到广泛应用。目前,随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖,预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。(二)项目选址某科技园(三)项目用地规模项目总用地面积32476.23平方米(折合约48.69亩)。(四)项目用地控制指标该工程规划建
5、筑系数64.66%,建筑容积率1.07,建设区域绿化覆盖率7.95%,固定资产投资强度163.86万元/亩。(五)土建工程指标项目净用地面积32476.23平方米,建筑物基底占地面积20999.13平方米,总建筑面积34749.57平方米,其中:规划建设主体工程21099.40平方米,项目规划绿化面积2761.14平方米。(六)设备选型方案项目计划购置设备共计145台(套),设备购置费3085.12万元。(七)节能分析1、项目年用电量542548.49千瓦时,折合66.68吨标准煤。2、项目年总用水量13482.23立方米,折合1.15吨标准煤。3、“IGBT芯片生产制造项目投资建设项目”,年
6、用电量542548.49千瓦时,年总用水量13482.23立方米,项目年综合总耗能量(当量值)67.83吨标准煤/年。达产年综合节能量18.03吨标准煤/年,项目总节能率20.15%,能源利用效果良好。(八)环境保护项目符合某科技园发展规划,符合某科技园产业结构调整规划和国家的产业发展政策;对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。(九)项目总投资及资金构成项目预计总投资10774.59万元,其中:固定资产投资7978.34万元,占项目总投资的74.05%;流动资金2796.25万元,占项目总投资的25.95%。(十
7、)资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。(十一)项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入23860.00万元,总成本费用18054.53万元,税金及附加225.99万元,利润总额5805.47万元,利税总额6832.21万元,税后净利润4354.10万元,达产年纳税总额2478.11万元;达产年投资利润率53.88%,投资利税率63.41%,投资回报率40.41%,全部投资回收期3.97年,提供就业职位335个。(十二)进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。项目承办单位要合理安排设计、采购和设备安装的时间,在工作上交叉进行,最大限度缩短建设周期。将投资密度比较大的部分工程尽量押后施工,诸
8、如其他配套工程等。二、报告说明投资项目报告为针对行业投资投资项目进行可行性研究咨询服务的专项研究报告,此报告为个性化定制服务报告,我们将根据不同类型及不同行业的项目提出具体要求,修订报告提纲,并在此目录的基础上重新完善行业数据及分析内容,为企业项目立项、批地、企业注册、资金申请以及融资咨询提供全程指导服务。项目报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件,如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等,从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较,并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测,从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见,为
9、项目决策提供依据的一种综合性的分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合某科技园及某科技园IGBT芯片行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进某科技园IGBT芯片产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx有限公司为适应国内外市场需求,拟建“IGBT芯片生产制造项目”,本期工程项目的建设能够有力促进某科技园经济发展,为社会提供就业职位335个,达产年纳税总额2478.11万元,可以促进某科技园区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率5
10、3.88%,投资利税率63.41%,全部投资回报率40.41%,全部投资回收期3.97年,固定资产投资回收期3.97年(含建设期),项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。4、民营企业和民间资本是培育和发展战略性新兴产业的重要力量。鼓励和引导民营企业发展战略性新兴产业,对于促进民营企业健康发展,增强战略性新兴产业发展活力具有重要意义。民营企业贴近市场、嗅觉敏锐、机制灵活,在推进企业技术创新能力建设方面起到重要作用。认定国家技术创新示范企业和培育工业设计企业,有助于企业技术创新能力进一步升级。同时,大量民营企业走在科技、产业、时尚的最前沿,能够综合运用科技成果和工学、美学、心理学、经济学等知识,对工
11、业产品的功能、结构、形态及包装等进行整合优化创新,服务于工业设计,丰富产品品种、提升产品附加值,进而创造出新技术、新模式、新业态。综上所述,项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。四、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米32476.2348.69亩1.1容积率1.071.2建筑系数64.66%1.3投资强度万元/亩163.861.4基底面积平方米20999.131.5总建筑面积平方米34749.571.6绿化面积平方米2761.14绿化率7.95%2总投资万元10774.592.1固定资产投资万元7978.342.1.1土建工
12、程投资万元2643.222.1.1.1土建工程投资占比万元24.53%2.1.2设备投资万元3085.122.1.2.1设备投资占比28.63%2.1.3其它投资万元2250.002.1.3.1其它投资占比20.88%2.1.4固定资产投资占比74.05%2.2流动资金万元2796.252.2.1流动资金占比25.95%3收入万元23860.004总成本万元18054.535利润总额万元5805.476净利润万元4354.107所得税万元1.078增值税万元800.759税金及附加万元225.9910纳税总额万元2478.1111利税总额万元6832.2112投资利润率53.88%13投资利税
13、率63.41%14投资回报率40.41%15回收期年3.9716设备数量台(套)14517年用电量千瓦时542548.4918年用水量立方米13482.2319总能耗吨标准煤67.8320节能率20.15%21节能量吨标准煤18.0322员工数量人335第二章 项目背景及必要性一、IGBT芯片项目背景分析IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、
14、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力,已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。IGBT功率半导体最大的优势是节能,传统的功率半导体损耗非常大,需要多个器件才能达到电能转换的效果。IGBT通过调节电机的转速来提升能源转换效率,从而达到节能的作用。需求上,IGBT的需求最主要来自新能源汽车带动的增长;工业领域属于稳健的需求,增量来自于新基建;新能源变电和电网来自国家政策的推动发展;轨道交通是中国的优势领域。但是,相对于传统功率半导体,IGBT工艺流程长达2.5-3个月,只要有一个参数变生偏差,就需要工艺流程重新这工,1年时间内没有几次试错的机会。IGBT广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域,
15、其主要电压应用范围在600V到1200V之间。由于经济的飞速发展,我国能源需求量大幅上升,在节能减排政策的背景下,工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。低压领域:IGBT主要应用于变频白色家电,例如冰箱、空调等家用消费电子必需品与重要耗能品。在汽车领域,IGBT低导通状态压降低特性有利于传统燃油汽车电子点火系统对燃料效率的提升。同时随着新能源汽车替代率逐步上升,将持续拉动IGBT模块市场的需求。在工业领域,随着新基建步伐的加快,我国建成5G基站、人工智能产业、新能源充电基础设施快速发展。中压领域:随着信息产业与高端制造业的快速发展,新能源并网和电网工程建设工程逐步加
16、强,我国工业逆变焊机、逆变频器市场持续升温,USB电源不新能源变电市场稳步增长。IGBT行业增长动力:节能减排推动市场增长。根据各国电动汽车动力来源及碳排放量数据可知,以煤炭为主要动能的国家碳排放量最多,印度碳排放量高达370gCo2e/km。中国电动汽车同样以煤炭为主要动能,其碳排放量为258gCo2e/km。由于经济的飞速发展,我国能源需求量大幅上升,在节能减排政策的背景下,工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。二、IGBT芯片项目建设必要性分析近年来全球新能源汽车销量快速增长,全球新能源乘用车的销量将由2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆,年均
17、复合增长率将达到32.6%,而中国作为全球最大的新能源汽车市场,占比将维持在40-50%份额。2016年全球电动车销量大概200万辆,共消耗了大概9亿美金的IGBT,平均每辆车450美金。预计随着全球电动车的销量提升,IGBT在电动车领域的市场将在2022年达到20亿美金。此外,随着新能源汽车的不断普及,对于充电桩的需求日益增加,也会拉动IGBT的需求。由于中国新能源汽车市场最大,每年新增的充电桩数量也是全球最多。从2010年的1000桩左右的建设规模到2018年的30万桩左右的建设规模,2019年上半年又新增22.5万桩。直流充电桩中,IGBT是最核心的部分,占总成本达到30%。随着充电桩的
18、新增规模不断提升,也会进一步拉动IGBT的需求。随着节能环保的大力推行,具有变频功能的白色家电将具有广阔的市场前景。具有变频功能的白色家电最核心的部件之一是其内部的“变频器”,而IGBT模块作为变频器的核心元器件,其高频开闭合功能能够带来以下优点:1、较小的导通损耗和开关损耗;2、出色的EMI性能,可通过改变驱动电阻的大小满足EMI需求的同时保持开关损耗在合理范围内;3、强大的抗短路能力;4、较小的电压尖峰(对家电起到保护作用)。中国作为全球最大的家电市场和生产基地,亦孕育着大规模的IGBT市场。变频白色家电的推广不仅仅能够促进IGBT模块市场的持续扩张,更能够给IGBT模块提供稳定的市场需求
19、。近年来国内白色家电变频系列销量占比逐渐提升。空调系列:2012年到2018年,国内变频空调销量从3016万台提升到6434万台,渗透率从28.94%提升到42.70%,仍有较大的提升空间;冰箱系列:2012年到2018年,国内变频冰箱销量从363万台提升到1665万台,渗透率从4.80%提升到22.15%,仍有很大提升空间;洗衣机系列:2012年到2018年,国内变频洗衣机销量从577万台提升到2163万台,渗透率从10.36%提升到32.97%,同样有很大提升空间。新能源发电主要以光伏发电和风力发电为代表。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求,需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其整流成直
20、流电,再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。IGBT模块是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件,新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT模块行业持续增长的又一动力。近年来国内新能源发电设备容量保持快速增长趋势。从2016年到2019年,国内新能源发电设备容量一直保持快速增长,并网风电发电设备容量从14864万千瓦增加到21005万千瓦,并网太阳能发电设备容量从7742万千瓦增加到20468万千瓦,新能源发电设备容量(风电和太阳能发电)占全口径发电设备容量比重从13.74%增加到20.63%。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是
21、由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的,因而是电力电子领域较为理想的开关器件,是未来应用发展的主要方向。正是由于具有上述优点,IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速,不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR,甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域,还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。IGBT技术的发展目标是:大电流、高电压、低损耗、高频率、
22、功能集成化和高可靠性。传动领域(如电力牵引机车)和智能电网领域都需要大功率IGBT的应用,英飞凌、东芝、三菱、西门子等公司高压IGBT器件已可做到6500V,ARPAE(先进能源研究计划署)更是推出了SiCIGBT模块,电压能达到15kV。IGBT芯片发展趋势是:薄片工艺,主要是减少热阻,减小衬底电阻从而减小通态损耗;管芯,主要是提高器件电流密度,十余年来管芯面积减少了23;大硅片,硅片由5英寸变为12英寸,面积增加了5.76倍,折算后每颗芯粒的成本可大为降低;新材料方面主要以SiC和GaN宽禁带半导体材料为代表。第三章 项目建设单位一、项目承办单位基本情况(一)公司名称xxx(集团)有限公司
23、(二)公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,宾客至上服务理念,将一整套针对用户使用过程中完善的服务方案。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,宾客至上服务理念,将一整套针对用户使用过程中完善的服务方案。公司是全球领先的产品提供商。我们在续为客户创造价值,坚持围绕客户需求持续创新,加大基础研究投入,厚积薄发,合作共赢。公司基于业务优化提升客户体验与满意度,通过关键业务优化改善产业相关流程;并结合大数据等技术实现智能化管理,推动业务体系提升。展望未来,公司将立足先进制造业,加强国内外技术交流合作,不断提升自主研发与生产工艺
24、的核心技术能力,以客户服务、品质树品牌,以品牌推市场;致力成为产业的领跑者及值得信赖的合作伙伴。二、公司经济效益分析上一年度,xxx有限公司实现营业收入20542.75万元,同比增长30.32%(4779.11万元)。其中,主营业业务IGBT芯片生产及销售收入为19338.88万元,占营业总收入的94.14%。上年度营收情况一览表序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入4313.985751.975341.115135.6920542.752主营业务收入4061.165414.895028.114834.7219338.882.1IGBT芯片(A)1340.181786.9116
25、59.281595.466381.832.2IGBT芯片(B)934.071245.421156.471111.994447.942.3IGBT芯片(C)690.40920.53854.78821.903287.612.4IGBT芯片(D)487.34649.79603.37580.172320.672.5IGBT芯片(E)324.89433.19402.25386.781547.112.6IGBT芯片(F)203.06270.74251.41241.74966.942.7IGBT芯片(.)81.22108.30100.5696.69386.783其他业务收入252.81337.08313.0
26、1300.971203.87根据初步统计测算,公司实现利润总额5129.66万元,较去年同期相比增长643.32万元,增长率14.34%;实现净利润3847.24万元,较去年同期相比增长809.54万元,增长率26.65%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元20542.75完成主营业务收入万元19338.88主营业务收入占比94.14%营业收入增长率(同比)30.32%营业收入增长量(同比)万元4779.11利润总额万元5129.66利润总额增长率14.34%利润总额增长量万元643.32净利润万元3847.24净利润增长率26.65%净利润增长量万元809.54投资利润率59.2
27、7%投资回报率44.45%财务内部收益率28.90%企业总资产万元23385.02流动资产总额占比万元33.89%流动资产总额万元7925.11资产负债率38.00%第四章 市场研究一、IGBT芯片行业分析工业控制为IGBT最大市场需求领域,需求稳定增长。IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件,且已在此领域中得到广泛应用。目前,随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖,预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。变频器是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率,根据
28、电机的实际需要来提供其所需要的电源电压,进而达到节能、调速的目的,另外,变频器还有很多的保护功能,如过流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高,变频器也得到了非常广泛的应用。IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用,同时包含了整流部分的作用。控制器产生的正弦波信号通过光藕隔离后进入IGBT,IGBT再根据信号的变化将380V(220V)整流后的直流电再次转化为交流电输出。近年来,国内变频器行业的市场规模总体呈上升态势。2016年国内变频器行业的市场规模为416.77亿元,平均4年复合增长率为8.74%。2017年国内变频器市场规模约453.2亿元。近年来,变频器市场中国内自
29、主研发能力有所提升,特别是高压变频器在2017年的专利申请数稳定在160项以上。同时,在实体经济的拉动作用下,变频器已进入新能源领域,在冶金、煤炭、石油化工等工业领域将保持稳定增长,在城市化率提升的背景下,变频器在市政、轨道交通等公共事业领域的需求也会继续增长,从而促进市场规模扩大。未来几年,具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长,到2023年,高压变频器的市场将达到175亿元左右。逆变式弧焊电源,又称弧焊逆变器,是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频(50赫兹)交流网路电压,先经输入整流器整流和滤波,变成直流,再通过大功率开关电子元件(IGBT)的交替开关作用,逆变成几
30、千赫兹至几万赫兹的中频交流电压,同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压,后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。近年来,国内电焊机数量保持稳定增长趋势。2018年国内电焊机产量为853.3万台,同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用,是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。其中电机控制器+锂电池+汽车电机=新能源汽车动力系统,电机控制器相当于传统汽车的发动机,而其中的IGBT模块相当于是汽车动力系统的“CPU”。随着新能源汽车从48V/MHEV(轻混合电动车)逐渐向
31、PHEV/FHEV(混合电动车)再向BEV(纯电动车)发展,单台汽车中功率半导体含量大幅提升,48V/MHEV和PHEV/FHEV车型,2018年的单台汽车的功率半导体含量相对于传统汽车分别增加了75美金和300美金,而BEV纯电动车中功率半导体的含量为455美金。由于IGBT是新能源电动汽车的核心元器件之一,单台电动汽车的功率半导体含量的大幅提升,必将带来单台电动汽车IGBT价值量的提升。从新能源电动汽车成本来看,占比较大的零部件是电池、电机、电控系统、电驱动零部件等,分别大概占到40%、15%、12%、8%。IGBT模块作为电控系统的核心零部件,大概占到电控系统成本的30-40%左右,粗略
32、估计IGBT模块占到整车成本的4-5%左右。二、IGBT芯片市场分析预测功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件(分立器件的一支)和功率IC(集成电路的一支)。理想情况下,完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失,在开闭转换的时候没有任何的功率损耗,因此功率半导体这个领域的产品和技术创新,其目标都是为了提高能量转化效率。根据IHS统计,2019年全球功率半导体市场规模约为400亿美元,预计2019-2025年全球功率半导体CAGR4.5%;根据华润微招股说明书,中国是全球最大的功率半导体消费国,2018年市场需求
33、规模达到138亿美元,增速为9.5%,占全球需求比例达35.3%。功率分立器件的演进路径基本为二极管晶闸管MOSFETIGBT,其中,IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的全控-电压驱动的功率半导体,IGBT既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的,因而是电力电子领域较为理想的开关器件,也被誉
34、为“电力电子器件里的CPU”。根据Yole等相关统计,目前全球功率半导体中约50%是功率IC,其余的一半是功率分立器件;在功率分立器件销售2017年占比中,MOSFET占比最高,约占31%,其次是二极管/整流桥占比约29%,晶闸管和BJT等占分立器件约21%,IGBT占比19%,但是其复合增速是所有产品中最快的。IGBT的价格相对稳定:就算在行业下行的2019年大厂商的出厂价格都没有下降,显示出很健康的价格浮动。总结来看,IGBT芯片的更新换代相对比较慢,且是渐进式的创新,不断优化升级,具体到某款IGBT产品,可以用到10年之久;同时供给端来看,IGBT行业巨头主要是德系和日系厂商,风格相对比
35、较保守,不会激进扩张产能和打价格战。需求稳定且价格波动相对小,即使在半导体整体需求不好的2019。电路的设计核心在于逻辑设计,可通过EDA等软件,而功率半导体和模拟IC类似,需要根据实际产品参数进行不断调整与妥协,因此,对工程师的经验要求也更高,优秀的设计师需要10年甚至更长时间的经验。大学里功率半导体和模拟IC部分教材也基本相当于是过去几十年从业者的“经验笔记”,并没有像数字集成电路那样相对有“标准范式”,而研发也是通过研发工程师团队不断修改参数权衡性能和成本的过程。2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元,同比2016年增长16.5%,2018年全球IGBT市场规模在58.36亿美
36、元左右,同比增长11%,在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。我国IGBT行业发展至今,已取得较大进展,虽然仍需大量进口,但已有一部分企业具备规模化生产能力。2010年我国IGBT功率电器模块产量为190万只,2018年增长至1115万只。国内的IGBT需求增长远超全球增长:根据智研咨询的数据,2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元,同比增长22.19%,增速显著高于全球平均水平;受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展,预计未来国内IGBT的复合增速继续保持20%以上。IGBT市场竞争格局较为集中,主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等,2017年全球
37、前五大IGBT厂商的份额超过70%,国内企业目前的市场份额普遍偏小。国产替代空间广阔。目前国内IGBT模块打入全球前10的只有斯达半导,但也仅仅是占全球IGBT模块市场份额2.2%,由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域,我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域,因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国,未来几年我国的IGBT市场需求占比将从2019年不35%提升到2025年的50%或以上,为我国的IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件,国产IGBT厂商市场份额和业务量的提升潜力非常大。按照2019年单车IGBT平均用量为460美元,受益于BEV占
38、比持续提升,预计2019-2022年单车用量逐年增长至2022年的490美元/车,2023年开始,SIC-MOS的成熟后单车平均IGBT用量逐渐下滑至2025年的430美元/车,2025年预测新能源车销量504万辆(根据国家新能源汽车产业发展规划2025年电动乘用车渗透率约25%推算得出。)按照以上假设思路,简单测算中国2025年车载IGBT市场规模达22亿美金,同时算个大数,届时全球新能源车数量预计为国内的3倍(即海外销量为国内的2倍),全球车载IGBT市场规模达66亿美金,相当于再造一个IGBT市场(2019年全球总的IGBT在60亿美金量级)。风电和光伏中的整流器和逆变器都需要用到IGB
39、T模块。根据能源局数据,2019年国内光伏装机30.11GW,全球光伏装机115GW。国内2019年光伏发电量占总发电量3%,未来持续提升潜力大。根据联合国马德里气候变化大会的中国2050年光伏发展展望,从2020年至2025年这一阶段开始,中国光伏将启动加速部署;2025年至2035年,中国光伏将进入规模化加速部署时期,到2050年,光伏将成为中国第一大电源,约占当年全国用电量的40%左右,未来光伏发展的空间和潜力仍然较大。风电和光伏2025年对应IGBT的全球需求量级在15亿美金:由前述智研咨询和英飞凌预计的IGBT总体空间和新能源发电占比可以推算出(IGBT2018年全球市场空间58亿美
40、金,其中光伏风电等IGBT应用占比9%),2018年光伏风电IGBT市场空间约5.22亿美金。目前的能源结构里,太阳能和风能合计占比不足10%。在全球节能减排大背景下,降低对化石能源的依赖,增加太阳能、风能的使用已经成为世界各国的共识。据BloombergNEF预测,预计2025年全球光伏新增装机接近300GW,风电也比照光伏5年2.5倍左右的增长,则测算风电和光伏2025年对应IGBT的全球需求量级在12-15亿美金。IGBT是“变频器”的核心部件之一,变频白色家电的推广可以为IGBT的IPM带来稳定的市场。目前白色家电的变频渗透率还有提升空间:根据产业在线网,近年来国内白电变频渗透率在持续
41、提升:1)空调:2012年到2018年,国内变频空调销量从3016万台提升到6434万台,渗透率从28.94%提升到42.70%;2)冰箱:2012年到2018年,国内变频冰箱销量从363万台提升到1665万台,渗透率从4.80%提升到22.15%;3)洗衣机:2012年到2018年,国内变频洗衣机销量从577万台提升到2163万台,渗透率从10.36%提升到32.97%。Yole预计2022年白色家电变频驱动IGBT市场规模达9.9亿美金,较17年增长22%。变频白电这块的IGBT国产化低:国内仅有士兰微和华微电子有一些白电IPM模块出货,家电IPM模块虽然单价较低,替换供应商的动力不强,并
42、且下游集中,目前龙头企业的供应商均为日本,美国的企业,例如美的主要是Sanyo、Fairchild;格力/海尔主要是Mitsubishi,还有一些IR、LS等在供应,在供应链安全因为外部环境受到威胁时,国内的IGBT厂商未来在这一块利基市场还是有比较大的替代潜力。我国变频器行业的市场规模总体呈上升态势。IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用,亦包含了整流部分的作用。2016年我国变频器行业的市场规模为416.77亿元,平均4年复合增长率为8.74%。2017年我国变频器市场规模约453.2亿元。未来几年,具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长,到2023年,高压变频器的
43、市场将达到175亿元左右。逆变式弧焊电源,又称弧焊逆变器,是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频(50赫兹)交流网路电压,先经输入整流器整流和滤波,变成直流,再通过大功率开关电子元件(IGBT)的交替开关作用,逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压,根据国家统计局数据,2018年我国电焊机产量为853.3万台,同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。全球工控IGBT下游市场较为分散:根据集邦咨询数据,2019年全球工控市场IGBT市场规模约为140亿元,中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散,单一下游需求的增长
44、难以拉动整体行业需求提升,因此工控IGBT市场需求较为稳定,假设未来每年保持3%的规模增速,预计到2025年全球工控IGBT市场规模将达到170亿元。这一块是IGBT行业的基本盘,需求稳定且波动相对较小。全球多家功率半导体巨头均有布局下一代基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半导体,为在市场上与传统硅基功率半导体件进行对决奠定基础。成本下降和产品稳定需要时间验证,国产厂商的核心矛盾是国产替代。SiCMOSFET产品的稳定性需要进一步验证,根据英飞凌2020年功率半导体应用大会上专家披露,目前SiCMOSFET真正落地的时间还非常短,在车载领域才刚开始商用,一些诸如短路耐受时间等技术指标
45、没有提供足够多的验证,一个高端功率半导体从客户认证到产品试应用再到产品批量应用要比较长的时间,因此,未来3-5年IGBT还是主流的高端功率半导体产品,SiC会在部分高端新能源车领域有一些逐步缓慢的渗透。但是对于国内厂商来说,未来5年核心矛盾是国产替代(龙头市占率从2%到20%)。因此,目前来看,SiC产业链被国外高度垄断,未来2-3年当SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍,并且国内SIC上下游产业链也更加成熟、打破国外垄断时,预计SIC才会在国内开始提升渗透率,并且SiC只是一种基材,未来随着SiC技术的逐渐成熟,也会有SiCIGBT相关产品。总结来看,未来3-5年SiIGBT还是应用主
46、流,国内厂商的核心逻辑在于工控家电新能源领域进行国产替代提升份额,5年后SiC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下,相信国内的技术领先优质的龙头功率半导体也能够积极储备相关技术和产品,积极拥抱迎接这一行业创新。第五章 项目工程设计说明一、建筑工程设计原则建筑立面处理在满足工艺生产和功能的前提下,符合现代主体工程的特点,立面处理力求简洁大方,色彩组合以淡雅为基调,适当运用局部色彩点缀,在满足项目建设地规划要求的前提下,着重体现项目承办单位企业精神,创造一个优雅舒适的生产经营环境。undefined二、项目总平面设计要求应留有发展或改、扩建余地。应有完整的绿化规划。本工程项目位于项目建设地,本次设计
47、通过与建设方的多次沟通、考察、论证,最后达成共识。三、土建工程设计年限及安全等级根据建筑结构可靠度设计统一标准(GB50068)的规定,投资项目中所有建(构)筑物均按永久性建筑要求设计,使用年限为50.00年。根据建筑结构可靠度设计统一标准(GB50068)的规定,投资项目中所有建(构)筑物均按永久性建筑要求设计,使用年限为50.00年。砌体结构应按规范设置地圈梁及构造柱,建筑物耐火等级为级。四、建筑工程设计总体要求该项目建筑设计及结构设计在满足生产工艺要求的前提下,尽量贯彻工业厂房联合化、露天化、结构轻型化原则,并注意因地制宜。对采光通风、保温隔热、防火、防腐、抗震等均按国家现行规范、规程和
48、规定执行,努力做到场房设计保障安全、技术先进、经济合理、美观适用,同时方便施工、安装和维修。本项目设计必须认真执行国家的技术经济政策及现行的有关规范,根据国民经济发展的需要,按照市规划和环境保护等规划的要求,统筹安排、因地制宜,做到技术先进、经济合理、安全适用、功能齐全、确保建筑工程质量。undefined五、土建工程建设指标本期工程项目预计总建筑面积34749.57平方米,其中:计容建筑面积34749.57平方米,计划建筑工程投资2643.22万元,占项目总投资的24.53%。第六章 项目选址说明一、项目选址原则项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求,同时具备便捷的陆路交通和
49、方便的施工场址,并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。二、项目选址该项目选址位于某科技园。园区突出产业发展重点。全面落实制造强省建设1274行动计划(即先进轨道交通装备、工程机械等12个重点产业,制造业创新能力建设工程、智能制造工程等7大专项行动,标志性产业集群等4大标志性工程),加强对各级产业园区的分类指导,进一步强化国家级和省级新型工业化产业示范基地在产业聚集发展中的先导作用,积极引进国内外龙头企业,通过引进新技术,开发新产品,不断优化产业结构,积极淘汰落后产能,延伸产业链条,提升质量水平。园区是1994年经省人民政府批准成立,并于2006年3月经国家发改委审核通过的省级经济
50、园区。园区地处全国区域经济增长最具潜力的长江三角洲地区。核定规划面积60平方公里。园区按照“布局集中、用地集约、产业集聚、平安和谐”的总体要求,坚持“高起点规划、高标准建设、高效能管理、高效益经营”开发建设理念,经过近20年的开发建设,规模从小到大,功能逐渐增强,服务不断升级,设施不断完善,配套日益齐全。园区不断保持适应新常态的战略定力,以战略提升为导向谋划实现高水平的科学发展。随着国家全面深化改革,统一开放、竞争有序的市场体系正逐渐形成。部分优惠政策弱化或终结,环境承载能力已经达到或接近上限,生产要素成本持续增加,投资和出口增速明显放缓,主要依靠资源要素投入、规模扩张的粗放发展模式已经难以为
51、继。国家高新区必须要保持发展定力,理性看待资源环境约束带来的发展压力,更加注重用好智力和科技成果以及形成的无形资产的产出,坚定不移推动创业发展,把培育中小企业、提高经济质量、增强内生增长动力放到与经济发展同样重要的位置上,持续深入探索产业组织创新,持续优化管理体制,坚定不移推进集约集聚发展,真正实现创新驱动、战略提升。三、建设条件分析项目建设得到了当地人民政府和主管部门的高度重视,土地管理部门、规划管理部门、建设管理部门等提出了具体的实施方案与保障措施,并给予充分的肯定;其二,项目建设区域水、电、气等资源供给充足,可满足项目实施后正常生产之要求;其三,投资项目可依托项目建设地成熟的公用工程、辅
52、助工程、储运设施等富余资源及丰富的劳动力资源、完善的社会化服务体系,从而加快项目建设进度,降低建设成本,节约项目投资,提高项目承办单位综合经济效益。项目承办单位已经培养和集聚了一大批具有丰富经验的项目产品生产专业技术和管理人才,通过引进和内部培养,搭建了一支研究方向多元、完整的专业研发团队,形成了核心技术专家、关键技术骨干、一般技术人员的完整梯队。当地相关行业的前列,具有显著的人才优势;项目承办单位还与多家科研院所建立了长期的紧密合作关系,并建立了向科研开发倾斜的奖励机制,每年都拿出一定数量的专项资金用于对重点产品及关键工艺开发的奖励。四、用地控制指标建设项目平面布置符合行业厂房建设和单位面积
53、产能设计规定标准,达到工业项目建设用地控制指标(国土资发【2008】24号)文件规定的具体要求。根据测算,投资项目建筑容积率符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标(国土资发【2008】24号)中规定的产品制造行业建筑容积率0.80的规定;同时,满足项目建设地确定的“建筑容积率1.50”的具体要求。五、地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数64.66%,建筑容积率1.07,建设区域绿化覆盖率7.95%,固定资产投资强度163.86万元/亩。土建工程投资一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米32476.2348.69亩2基底面积平方米20999.133建筑面积平方米34749.57264
54、3.22万元4容积率1.075建筑系数64.66%6主体工程平方米21099.407绿化面积平方米2761.148绿化率7.95%9投资强度万元/亩163.86六、节约用地措施七、总图布置方案(一)平面布置总体设计原则(二)主要工程布置设计要求场区道路布置满足安装、检修、运输和消防的要求,使货物运输顺畅,合理分散物流和人流,尽量避免或减少交叉,使主要人流、物流路线短捷、运输安全。项目承办单位项目建设场区道路网呈环形布置,方便生产、生活、运输组织及消防要求,所有道路均采用水泥混凝土路面,其坡路及弯道等均按国家现行有关规范设计。(三)绿化设计场区绿化设计要达到“营造严谨开放的交流环境,催人奋进的工
55、作环境,舒适宜人的休闲环境,和谐统一的生态环境”之目的。场区绿化设计要达到“营造严谨开放的交流环境,催人奋进的工作环境,舒适宜人的休闲环境,和谐统一的生态环境”之目的。(四)辅助工程设计1、项目所在地供水水源来自项目建设地自来水厂,给水压力0.30Mpa,供水能力充足,水质符合国家现行的生活饮用水卫生标准。2、项目建设区域位于项目建设地,场区水源为市政自来水管网,水源充裕水质良好,符合国家卫生要求,场区给水系统采用生产、生活、消防合一给水系统。投资项目水源来自场界外的项目建设地市政供水管网,项目建设区现有给、排水系统设施完备可以满足投资项目使用要求。生活粪便污水经级化粪池处理后与一般生活废水一
56、起排到项目建设地污水处理站集中处理达标后排放;雨水经收集口与地表水一起以暗管系统直接排到项目建设地市政雨水管网。3、投资项目供电负荷等级为级,场区降压站电源取自国家电网,电源符合国家标准供配电系统设计规范(GB50052)的规定。车间电缆进户处要做重复接地,接地电阻小于10.00欧姆,其他特殊设备的工作接地电阻应按满足相应设备的接地电阻要求。4、场外运输主要为原材料的供给以及产品的外运;产品的远距离运输由汽车或铁路运输解决,项目建设地社会运输力量充足,可满足投资项目场外远距离运输的需求。5、厂房内部散发较大热量的生产设备区域,采用局部封闭进行机械送、排风;当排出废气不能达到排放标准时必须设置空气净化设备。车间采用传统的热水循环取暖形式,其他厂房及办公室采用燃气辐射采暖形式。有空调要求的办公室和生活间夏季设置空调,空调温度范围要求为26.00
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