减薄、划片工艺介绍PowerPoint 演示文稿

1、减薄与划片工艺介绍,减薄与划片流程图 减薄工艺简介 划片工艺简介,芯片生产工艺流程图,外延片,下料清洗,蒸镀,黄光作业,刻蚀,合金,减薄,划片,测试,分选,减薄、划片位于芯片生产工艺的中游,减薄、划片,COW（chip on wafer,COT (chip on wafer,减薄、划片,减薄、划片工艺中主要使用的机台,研磨机,抛光机,减薄、划片工艺中主要使用的机台,激光划片机,裂片机,减薄、划片工艺流程图,减薄定义,减薄:顾名思义是通过特定的工艺手法将物体由厚变薄的过程,430m,80m,我司减薄的过程是要将厚度约为430m的COW片（chip on wafer）减薄至80m5m左右,上蜡,定

2、义： 将芯片固定在陶瓷盘上便于减薄的过程,上蜡,步骤： 清洁陶瓷盘 上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量级的操作，任何细微的杂质都可能导致意想不到的异常状况,上蜡,步骤： 涂蜡 将陶瓷盘加热至140，保证蜡条能迅速融化，涂蜡过程中需注意要使蜡均匀分布在陶瓷盘表面,上蜡,步骤： 贴片 将需要减薄的芯片小心放置于陶瓷盘上，注意需要赶走芯片与蜡层之间的气泡,上蜡,步骤： 加压冷却 通过加压的方式使，陶盘与芯片之间的蜡均匀分布，并凝固将芯片固定,研磨,定义： 使用钻石砂轮将芯片快速减薄到一定厚度，研磨后芯片厚度值为1205m，此步骤大约耗时15min,430m,15mi

3、n,120m,研磨,步骤： 修盘 每次研磨前需使用油石将钻石砂轮修整一遍。此动作意义类似于切菜的前磨刀,研磨,步骤： 归零 归零实际是设置研磨起始点，归零又分为手动归零和自动归零,研磨,步骤： 研磨 砂轮高速自转（1050rpm）并以一定的规律进给将芯片减薄到指定厚度,抛光,定义： 如果说研磨是快速减薄的过程，抛光则是一个缓慢减薄的过程，同时使芯片表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面,研磨,步骤： 镶盘 将锡盘上均匀布满钻石液的过程,抛光,步骤： 抛光 通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片,卸片,定义： 将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过程,卸片,步骤： 浸泡 将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加

4、热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥离,卸片,步骤： 夹取 用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程中需非常小心,清洗,定义： 使用一定的化学试剂通过水浴浸泡，QDR冲洗的方式将芯片上蘸有的残蜡清洗干净,清洗,步骤： 去蜡液ACEIPAQDRIPA烘干,划片定义,划片:是采用激光切割与劈刀裂片配合的方式，将连在一起的管芯分割开来,划片,贴片,定义： 使用蓝膜或白膜将减薄后芯片固定的过程,贴片,步骤： 准备工作 用IPA加至无尘布上擦拭chuck表面和滚轮。把vacuum开至off。减薄后80m芯片很脆弱，需要注重每一个细节,贴片,步骤： 取片 把贴片机vacuum开

5、至off处。小心将贴好的芯片取下,贴片,步骤： 贴片 放铁环，需注意对准卡栓，用平口镊子夹取芯片，放片时芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片,切割,使用激光在芯片背面，沿切割道划片。不同尺寸芯片，划片深度不一，深度区间为25至40m之间。 注意：并未将芯片划穿,裂片,在芯片正面（激光划芯片背面），沿着激光划片的痕迹使用裂片机将管芯完全分离开,倒膜,定义： 将完全分离的管芯由正面贴膜翻转成背面贴膜,倒膜,步骤： 去杂质 将切割与劈裂过程中产生的一些碎屑杂质粘掉,倒膜,步骤： 贴膜 剪一方形蓝膜(大小为 20cm*20cm，长宽误差不大于2cm)，将Wafer背面贴于蓝膜中间位置,倒膜,步骤： 加压 蓝

6、膜在下，白膜在上放于倒膜机加热平台上，盖上硅胶片，硅胶片需覆盖整个片子区域，按下下降按钮，加压盘下降，等待4秒后加压盘自动上升，即加压一次完成,倒膜,步骤： 撕膜 从加热平台上取下，左手按住贴有Wafer的蓝膜，右手贴着膜平撕下表面的白膜，倒膜完成，管芯由正面贴膜变成了背面贴膜,扩张,定义： 通过扩张蓝膜的方式，增大管芯之间距离，以便于目检作业,扩张,步骤： 扩张前准备 开机，打开电源，查看引伸盘控温器上的温度显示值是否为40 5,异常红灯会亮,扩张,步骤： 扩张前准备 放扩张环 ，打开压盖，将扩张环的内环放入底盘中，注意光滑面朝上，将扩张环的外环放入压环盘中，注意光滑面朝下,扩张,步骤： 放蓝膜 将贴有芯片的蓝膜平铺于底盘上，贴有芯片的一面朝上,扩张,步骤： 扣紧压盖 放下压盘，将“锁紧放松”按钮置于锁紧端，使得压盘和底盘锁紧；此机台具有延时机制，压盘和底盘锁紧之后的5秒之内引伸盘上升按钮将会失效，5秒之后恢复正常,“电源指示灯”自动亮起,扩张,步骤： 扩张 按下引伸盘上升钮，这时贴有芯片的蓝膜会被扩张,扩张,步骤： 压环 引伸盘伸到顶后，将环外套下压装置轻轻推到引伸盘上方