常见存储器辨析

1、有关各种存储器速度性能的资料大收集，RAM 、SRAM 、SDRAM 、ROM 、 EPROM 、FRAM最后面重点搜集了 NOR FLASH 存储器的资料。常见存储器概念辨析： RAM、SRAM、SDRAM、ROM、 EPRO、M常见存储器概念辨析： RAM、SRAM、 SDRA、M ROM、 EPRO、M EEPRO、M Flash 存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和 ROM只读存储器），其中 RAM勺访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而 ROM掉电后数据不会丢失。ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是 Read Only Memor

2、y的缩写，RAM是 Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM就是计算机的内存。RAM又可分为SRAM（ Static RAM静态存储器）和 DRAM Dynamic RAM动态存储器）。SRAM是利用双稳态 触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。DRAMH利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRA M的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很

3、苛刻 的地方使用，譬如 CPU勺一级缓冲，二级缓冲。DRAR保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说 DRAMS比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM勺。而通常人们所说的 SDRAM是 DRAM的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地 址数据和控制信号。使用 SDRAMf但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系 统中经常使用。ROM也有很多种，PROM!可编程的ROM PROM和 EPRO（可擦除可编程ROM两者区别是，PROM1 一次性 的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已

4、经不可能使用了，而EPROM!通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPRO是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。Flash 也是一种非易失性存储器（掉电不会丢失），它擦写方便，访问速度快，已大大取代了传统的EPROM的地位。由于它具有和 ROM-样掉电不会丢失的特性，因此很多人称其为Flash ROM FLASH存储器又称闪存，它结合了 ROM和 RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPRQM的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM勺优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（ EPROM作

5、为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了 ROM EPROM在嵌入式系统中的地位，用作存储 bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（ U 盘）。目前Flash主要有两种 NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的 SDRAMS读取是一样， 用户可以直接运行装载在 NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM勺容量从而节约了成本。NANCFIash没有采取内存的随机读取技术 ，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的 ，通常是一次读取 512 个字节， 采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户不能直接运行 NAND Fla

6、sh 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的 开发板除了使用 NAND Flah以外，还作上了一块小的 NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH最常见的NAND FLASHY用是嵌入式系统采用的 DOC（Disk On Chip ）和我们通常用的“闪盘”， 可以在线擦除。目前市面上的 FLASH 主要来自 Intel ，AMD，Fujitsu 和 Toshiba ，而生产 NANDFlash 的主 要厂家有 Samsung和 Toshiba 。转自： bl

7、/zhspy/archive/2010/06/06/1752887.htmlFLASH存储器和EEPRO存储器的区别1首先从IO引脚占用方面比较，EEPROI只需占用两个IO引脚，时钟（elk ）和数据（data ）引脚, 外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（ elk ）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个， 也就是四个。并行的需要 8 个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。2、 从功能方面比较，EEPROI可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除（整

8、片擦除）,部分芯片 可以单字节写入（编程）,一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROI读写速度更快，可靠性更高。但比单片机片内RAM的读写还要慢。3、 价格方面比较，FLASH应该要比EEPROI贵。另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH是 基于一种浮栅管单元（Floating gate transister）的结构。EPROI的 浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPRO的单元是由FLOTOX（Floating-gate tuneling oxide transister） 及一个附加的 Transister 组成，由于 FLOTOX勺特性及两管

9、结构，所以 可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROI和 EEPROI技术达到的，很多 FLASH使用雪崩热电子注入方 式来编程，擦除和 EEPROI一样用Fowler-Nordheim tuneling 。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROH元里那个多余的 Tansister ，所以可以做 到高集成度，大容量，另FLAS H的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。其实对于用户来说，EEPROI和FLASH的最主要的区别就是1。EEPROI可以按“位”擦写，而 FLASH只能一大片一大片的擦。2。 EEPROM一般容量都不大，如

10、果大的话，EEPRO相对与FLASH就没有价格上的优势了。市面上卖 的stand alone 的EERPOM一般都是在64KBIT以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT以上（NOR型）。3。 读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPO一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。4。 因为EEPROI的存储单元是两个管子而 FLASH是一个（SST的除外，类似于两管），所以 CYCLING 的话，EEPRO比 FLASH要好一些，到1000K次也没有问题的。总的来说，对与用户来说，EEPROI和 FLASH没有大的区别，只是 EEPROI是

11、低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性较 FLASH要好一些。但对于EEPROI和 FLASH的设计来说，FLASH则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围电路设计上 来说。Flash memory指的是“闪存，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROI的改进产品。它的最大特点是必须按块 （Block） 擦除 （每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格）， 而EEPROI则可以一次只擦除一个字节（Byte）。目前“闪存”被广泛用在 PC机的主板上，用来保存BIOS程序， 便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电 低的优点，但

12、是将其用来取代 RAM就显得不合适，因为 RAM需要能够按字节改写，而 Flash ROM做不到。ROM和 RAM指的都是半导体存储器， ROM是 Read Only Memory的缩写，RAM是 RandomAccess Memory 的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态 RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储 设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic R

13、AM/DRAM） DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM慢，不过它还是比任何的 ROM都要快，但从价格上来说 DRAMS比SRAR要便宜很多，计算机内存就是 DRAM勺。DRAM分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage EDORAMSDRAM DDR RAM RDRAM SGRAI以及 WRA等，这里介绍其中的一种 DDR RAM DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作 DDR SDRAM这种改进型的 RAM 和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存， 而且它有着成本优势，

14、事实上击败了 Intel 的另外一种内存标准 -Rambus DRAM在很多高端的显卡上，也配备了高速DDRRAM来提高带宽，这可以大幅度提高 3D加速卡的像素渲染能力。ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM PROM口 EPROM可擦除可编程 ROM两者区别是，PROM是一 次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROI是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROI是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在 EEPROI中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不

15、是马上写入通过记录（通话记录保存在 EEPRO中 ），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入， 漫长的等待是让用户忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存，它结合了 ROM和RAM勺长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM的性能， 还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用 ROM（EPROI作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROI在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用 （U 盘）。目前Flash主要有两种 NORFIas

16、h和NADNFIash。NORFlash的读取和我们常见的 SDRAMS读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少 SRAM勺容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行 NANDFIash上的代码，因此好多使用NANCFIash 的开发板除了使用 NAND Flah以外，还作上了一块小的 NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND

17、 FLASH最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的 DOC(Disk On Chip)和我们通常用的闪盘， 可以在线擦除。目前市面上的 FLASH主要来自Intel ，AMD Fujitsu 和Toshiba，而生产 NANCFlash的主 要厂家有 Samsung和 Toshiba 。SRAM是 Static Random Access Memory 的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的 半导体存储器。”静态是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。 这一点与动态RAM(DRAM)同， DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将 SRAM与只读存储

18、器(ROM和 Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。随机访问是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。SRA M中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储 单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个 MOSFET对称的电路结构使得 SRAM勺访问速度要快于DRAM SRA毗DRARM问速度快的另外一个原因是 SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAMW使用行地址和列地

19、址复用的结构。SRAM不应该与 SDRAIM目混淆，SDRAI代表的是同步 DRAM(Synchronous DRAM)这与SRAM是完全不 同的。SRAM也不应该与PSRAM目混淆，PSRAH一种伪装成 SRAM勺DRAM从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS!种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和 同步SRAM(SSRAM)异步SRAM勺访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM勺所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。/mxic/NOR_Flash_b.asp并行NO

20、R Flash存储器概述NOR Flash是一种非易失性的存储器，具有存储容量大，数据保存时间长的特点，其擦写次数多达10万次，数据更新速度比 EEPRO要快很多，在断电的情况下也能保存数据，常用来保存一些重要的配置信息。应用程序可以直接在NOR Flash内运行，用户不必把代码再读到RAM中运行。NOR Flash的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益。NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行 NOR Flash和串行NOR Flash，并行NOR Flash每次 传输多个bit位的数据；而串行NOFFlash每次传输一个bit位的数据。并行NORFlash比串行NORFlas

21、h 具有更快的传输速度。旺宏电子提供了低价格、高性能、高可靠性的 NOR Flash产品。包括很多3V的并行NOR Flash产 品，其容量从4Mb到512Mb不等。此外，针对 4Mb和8Mb的产品，旺宏电子还提供了 4mrW6mm的BGA 封装，非常适合于用在空间要求严格的场所。并行NOR Flash分类标准读访问系列标准读访问系列并行 NORFIash有MX29F MX29LV和MX29SL它提供8位、16位、8位/16位可选 的数据传输方式。电源电压有5V, 3V和1.8V。页面模式读访问系列MX29GI系列产品提供先进的页模式接口，在读访问和编程操作上都进行了优化，用户可以使用页模式连

22、续读取多个数据。应用蓝牙廿电话数码相机数字电观命名规则旦胆 I - so g和；5YZ9LV/Z9GL: 3VZ95L- 1.SV29U/29GA :安全FL翻h雹度；40k : 4Nb00k ； 8Wb16s : 16Mb工艺： C : O.Uuin B ； 0.I3um E ： 0. Il速度；55 : 55 nsTO : 70ns90 :创佔10 : 100n11 : 110n2血:2S6ML块类型：T * 顶层 Root.P :底层Rgt.H：引号脂医慑高地址扇国俱护L：引导扇区，虽低地址扇区保护u： i/onEeJEMi.ssvJvrc, vrcreSA2.7v513.Bir 握肓地

23、址处關区傑护 D：工內口电JHMl.&EVJVCC,飒工电压址.7113.6?,最底地址扇医燥护 C:读惺护，盘高地址聲扇区保护F:读保护，長低地址处扇区保护封装奘型：P : PDIFM : SOPQ : PLCCT/T2 : TSOf3mm间距旳-亦n大小 XC-l. Qmn*间距生临犬小 XI-0丽血间距/d缶m犬、 XT-1. ftrd司距/D.氐颐犬小 XHF, Smm间距/0. 犬小 KT-ft.亦&司距/0. ZSmE犬“选型表标准读访问系列名称储密度访问时间（ns）封装电特性MX29F20OCT/BMb2X8/ X1670/9044-SOP,48-TSOPV5装载扇区MX29F0

24、44X70/9032-TSOP,32-PLCC5引导扇区OCMb8VMX29F404X70/9048-TSOP ,44-SOP5装载扇区OCT/BMb8/ X16VMX29F808X70/9044-SOP,48-TSOP, 48-TFBGA5装载扇区OCT/BMb8/ X16V3V系列MX29LV004CT/BMb:X0/9055R/732-TSOP,32-PLCCV3装载扇区MX29LV040CMb4X80/9055R/732-TSOP,32-PLCCV3引导扇区MX29LV400CT/BMb4X8/ X160/9055R/748-SOP,48-TSOP,48-WFBGAV48-TFBGA,

25、48-LFBGA,48-XFLGA3装载扇区MX29LV800CT/BMb8X8/ X160/9055R/748-SOP,48-TSOP,48-WFBGAJV48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGA3装载扇区MX29LV160DT/B6Mb1X8/ X160/9055R/748-SOP,48-TSOP,48-WFBG 丿48-TFBGA,48-LFBGA,48-XFLGAAV3装载扇区MX29LV161DT/B6 Mb1X169048-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-XFLGAV3装载扇区I/O口电压1.83.6VMX29LV320ET/B2 Mb3X8/

26、X167048-TSOP, 48-TFBGA,48-LFBGA, 44-SOPV3装载扇区MX29LV321DT/B2 Mb3X169048-TSOP, 48-TFBGAV3装载扇区I/O口电压 1.83.6VMX29LV640ET/B4 Mb6X8/ X167048-TSOP, 48-LFBGAV3装载扇区MX29LV11X90/1248-TSOP, 56-TSOP,3装载扇区28DT/B28 Mb8/ X16070-SSOPV1.8V系列MX29SL402CT/BMb4X8/ X169048-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-LFBGA.8V1装载扇区MX29SL80

27、0CT/BMb8X8/ X169048-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-LFBGA.8V1装载扇区页模式读访问系列名称存储密度组织访问时间(ns)封装压电特性MX29GL320EH/L32MbX8/ X167056-TSOP, 64-FBGAV3引导扇区MX29GL320ET/B32MbX8/ X167048-TSOP, 48-LFBGAV3装载扇区MX29GL640EH/L64MbX8/ X169056-TSOP, 64-FBGAV3引导扇区MX29GL640ET/B64MbX8/ X169048-TSOP, 48-LFBGAV3装载扇区MX29GL128EH/L12

28、8 MbX8/ X169056-TSOP,64-FBGA,70-SSOPV3引导扇区MX29GL128EU/D128 MbX8/ X1611056-TSOP, 64-FBGAV3I/O 口电压 1.8VMX29GL256EH/L256 MbX8/ X1690R56-TSOP,64-FBGA,70-SSOPV3引导扇区MX29GL256EU/D256 MbX8/ X1611056-TSOP, 64-FBGAV3I/O 口电压 1.8VMX29GL512EH/L*512 MbX8/ X16110R56-TSOP,64-FBGA,70-SSOPV3引导扇区资料下载 旺宏并行/串行NOR Flash对

29、比参考指南(英)694KPDF2009-12-8:2889 次 旺宏并行 NOR Flash 简介415KPDF2009-11-27:1711 次联系方式* 销售电话 销售邮箱：* 技术支持电话 技术支持邮箱：NXPARM.技术支持论坛： MX（旺宏）SPI（串口）NOR FLASH型号容量频率封装温度MX25L512512K85MHZSOP-8-40C to +85CMX25L10051M85MHZSOP-8-40C

30、 to +85CMX25L20052M85MHZSOP-8-40C to +85CMX25L40054M85MHZSOP-8-40C to +85CMX25L80058M85MHZSOP-8-40C to +85CMX25L160516M86MHZSOP-8-40C to +85CMX25L320532M86MHZSOP-8-40C to +85CMX25L640564M86MHZSOP-8-40C to +85CMX旺 宏）Parallel（并口）NOR FLASH型号容量读取速度封装温度MX29LV002C2M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV400CMX29LV040C

31、4M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV800CMX29SL800C8M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV160D16M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV320D32M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV640D/E64M110nsTSOP-40C to +85CMX29LV128D/E128M130nsTSOP-40C to +85CMX29LV256EH/LT2I256M150nsTSOP-40C to +85CaWiH h * 7“型号ST（意法）SPI（容量并口）NOR FLASH频率封装温度M25P05A512K33

32、MHZSOP-8-40C to +85CM25P10 M25PE10 M45PE101M33MHZSOP-8-40C to +85CM25P20 M25PE20 M45PE202M33MHZSOP-8-40C to +85CM25P40 M25PE40 M45PE404M50MHZSOP-8-40C to +85CM25P80 M25PE80 M45PE808M50MHZSOP-8-40C to +85CM25P16 M25PE16 M45PE1616M50MHZSOP-8-40C to +85CM25P32 M25PE32 M45PE3232M66MHZSOP-8-40C to +85CM2

33、5P6464M80MHZSOP-8-40C to +85CSST（超捷）SPI（串口）NOR FLASH型号容量频率封装温度SST25VF512A512K33MHZSOP-8-40C to +85CSST25LF010A SST25VF010A1M33MHZSOP-8-40C to +85CSST25LF020A SST25VF020B2M40MHZSOP-8-40C to +85CSST25LF040A SST25VF040B4M50MHZSOP-8-40C to +85CSST25LF080A SST25VF080B8M50MHZSOP-8-40C to +85CSST25VF016B16

34、M50MHZSOP-8-40C to +85CSST25VF032B32M66MHZSOP-8-40C to +85CSST（超捷）Parallel（并口）NOR FLASHSpansion（飞索）Parallel（ 并口）NOR FLASH型号容量S29AL008D70TFI0208MS29AL016D70TFI02016MS29GL032N90TFI04032MS29GL064N90TFI04064MS29GL128P10TFI010128M读取速度封装温度70nsTSOP-48-40C to +85C70nsTSOP-48-40C to +85C90nsTSOP-48-40C to +8

35、5C110nsTSOP-48-40C to +85C130nsTSOP-56-40C to +85C型号容量读取速度封装温度SST39VF0101M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF0202M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF0404M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF1601 SST39VF160216M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF1681 SST39VF168216M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF3201 SST39VF320232M70nsTSOP-40C to +85CSST3

36、9VF6401B SST39VF6402B64M70nsTSOP-40C to +85CWinbond（华邦）SPI（串口）NOR FLASH容量1M33MHZSOP8-40C to +85C2M40MHZSOP-8-40C to +85C4M50MHZSOP-8-40C to +85C频率温度型号W25P10 W25X10 W25Q10W25P20 W25X20 W25Q20W25P40 W25X40 W25Q40W25P80 W25X80 W25Q808M50MHZSOP-8-40C to +85CW25P16 W25X16 W25Q1616M50MHZSOP-8-40C to +85CW

37、25P32 W25X32 W25Q3232M66MHZSOP-8-40C to +85CW25P64 W25X64 W25Q6464M80MHZSOP-8-40C to +85C并行NOR Flash在SOPC开发中的应用随着FPGA技术的发展，出现了一种新概念的嵌入式系统，即SOPC（System OnProgrammable Chip ）。SOPC技术融合了 SoC和FPGA勺优点，将处理器、片上总线、片上存储器、内部外设、I/O接口以及自定义逻辑集成在同一片FPGA中，而且软硬件可裁剪、可升级、可修改，具有软硬件在系统编程能力，在保证高 性能的同时具有非常高的灵活性。由于大部分功能部件在

38、 FPGA内实现，外部只需要很少的器件，如大容量的RAM Flash、DAG ADC等。在系统需要脱离计算机独立运行时（绝大部分情况如此），非易失的存储器 件Flash是必不可少的。Flash可以用来存储配置比特流、代码、数据或参数等重要信息。本文以IntelStrataFlash 3V Memory系列的 JS28F128J3D75并行 NORFIash （简称“ J3D）和 Xilinx FPGASpartan3E 系列的XC3S1600E（简称“ 1600E ）为背景，在结合项目开发经验和参阅相关文献的基础上，介绍了并行NOR Flash在SOP（开发中的4种不同应用。1存储FPGA配置

39、比特流1600E工作在BPI （Bytewide Peripheral InteRFace ）配置模式时，通过专门的引脚与J3D连接，这些引脚在配置完成后可以作为用户I/O使用。连接时，大部分引脚参考1600E的数据手册直接连接即可，但有些引脚需要特别注意。J3D有X 8 （数据总线宽度为 8位）和X 16 （数据总线宽度为 16位）两种工作模式。配置时应工作在X8模式，配置完成后，根据需要可以设置为X8或X 16模式。图1为1600E与J3D引脚连接示意图。图1 1600E与J3D引脚连接示意图若配置后需要切换至X 16模式，则需综合考虑1600E的HSWA脚。HSWA接高电平时，1600E

40、所 有用户I/O的内部上拉电阻禁用，HDC通过4.7k Q电阻接高电平，LDC2通过4.7 k Q电阻接地，LDC1和LDC0通过4.7k Q电阻接高电平，同时这 3个信号应分别连到 J3D的BYTE# OE# CE0脚。这样上电后的 瞬间，J3D工作在X8模式，且因CE0脚被拉高而处于非选中状态，不会导致对J3D的误操作；然后在1600E的控制下进入配置状态，配置结束可通过控制 LDC2输出高电平而将J3D切换为X 16模式。HSWA接低电平时，1600E所有用户I/O的内部上拉电阻使能，LDC1 LDC0和HDC无需外接上拉电阻；而 LDC2应接340Q 的下拉电阻，以使上电后 J3D工作

41、在X8模式，从而顺利进入配置状态，配置结束后可将J3D切换为X 16模式。若配置后工作在X8 模式，则J3D的BYTE#却接低电平，1600E的LDC2悬空。当HSWA接高电平 时，LCD1和LCD0分别连至 OE# CE0脚，同时应通过 4.7k Q电阻上拉；HSWA接低电平时，LCD1和LCD0不用上拉。配置比特流文件首先通过 iMPCT转换成 MCS文件，再通过 PicoBlaze NOR Flash Programmer（/products/boards/s3estarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_pro

42、gramme r.zip ）下载到 J3D 中。J3D可以同时配置多块 FPGA也可对同一块FPGAt行多比特流配置。例如先配置一个诊断测试 比特流，测试成功后，再重新配置应用比特流。2 存储可引导的软处理器代码首先利用Xilinx嵌入式开发工具箱EDK创建一个嵌入式工程，包括MicroBlaze硬件平台和相应的软件工程。在EDK界面下，用鼠标选中创建的软件工程，右击并在弹出的菜单中选择Generate LinkerScript. 项，进入 Generate Linker Script 对话框。将 Sections、Heap和 Stack 指定到 BRAM或外部 RAM （一般将Heap和St

43、ack指定到BRAM代码和数据段指定到外部RAM，并指定输出脚本文件名及路径，如图2 所示。 图 2 Generate Linker Script 对话框双击相应软件工程下的 Compiler Options 选项，进入 Set Compiler Options 对话框，设定 Link Script 项为刚才产生的脚本文件，并指定 Output ELF File 项的路径与名称。现在可以编译相应的软件工 程，产生相应的可执行 ELF文件，设为Bootable.elf 。在 EDK主界面下，用鼠标选择Device Configuration 宀 P rogram Flash Memory, 进入

44、 ProgramFlash Memory对话框，并按图 3进行设置。单击 OK按钮，会把Bootable.elf 文件自动转为 SREC格式， 并下载到 J3D 的指定地址处，同时产生名为 bootloadr_0 的软件工程。 bootloadr_0 工程编译后产生的可 执行文件 executable.elf 用来执行引导装载功能，应将其合并到系统比特流 system.bit ，从而生成 dowload.bit 。dowload.bit 经iMPCT转为MCS文件后下载到配置 PROM（若使用同一片J3D，注意不能与 Bootable.elf发生地址空间冲突）。这样，系统上电后，首先对FPGAS行配置，然后引导加载J3D中的代码至相应的BRAM或 SDRAM（具体映射位置已在 Generate Linker Script对话框中设定）。图 3 Program Flash Memory 对话框3 存储可直接执行的软处理器代码这里仍然使用上面创建的 EDK工程，由于J3D具有类似SRAM勺接口，上电后可以直接像SRAM一样进行读操作，但却