NorFlash测试方法介绍

1、NOR Flash存储器测试方法介绍、NQR FLAS简介NQR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NQR FLASH 支持EXeCUte QN ChiP ,即程序可以直接在 FLASH片内执行。这点和NAND FLASH 不一样。因此，在嵌入是系统中，NQR FLASH 很适合作为启动程序的存储介质。NQR FLASH 的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NQR FLASH 的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看，NQR FLASH 一般分为8位的和16位的(当然，也有很多 NQR FLASH芯片同时支持8

2、位模式和是16位模式，具体的 工作模式通过特定的管脚进行选择)。对8位的NQR FLASH 芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片来说，一个地址对应一个 BYTE(8-BIT) 的数据。在对FLASH进行写操作的时候，每个 BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1。为了 保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTQR ,一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为OxFF。这样，写操作就可以正确完成了。1. 8-BIT 的 NoR FLASH例如一块8-BIT的NQR FLASH ,假设容量为4个BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D

3、0 和2 个地址信号，A1-A0。地址OxO对应第0个 BYTE ,地址0x1对应于第1BYTE ,地址0x2对应于第2 个BYTE ,而地址 0x3则对应于第 3个BYTE2. 16-BIT 的 NOR FLASH对16位的 NQR FLASH 芯片，或是工作在16-BIT 模式的芯片来说，一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。例如，一块 16-BIT 的NQR FLASH ,假设其容量为 4个BYTE。那芯片应该有 16个数据信号线 D15-D0 和1个地址信号 A0。地址 0x0对应于芯片内部的第0个HALF-WQRD ,地址0x1对应于芯片内部的第 1个HALF-

4、WoRD 。3. NOR Flash 结构FLASH 一般都分为很多个 SECTQR ,每个SECTQR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的 FLASH ,还分为不同的 BANK ,每个BANK包括一定数目的 SECTQR 。FLASH的擦除操作一般都是以 SECTQR，BANK 或是整片 FLASH 为单位的。二、芯片资料本文档以SPANSIQN公司的S29JL064H芯片为例说明(芯片详细信息参见datasheet)。该芯片是一个 64 Megabit (8 M X 8-Bit4 M X 16-Bit) 的 Nor Flash 芯片。1. 管脚说明如下A21 -022 AddreSSeS

5、DQ14 -DQO15 Data Inputs/OUtPUtS (x16-only devices)DQ15A-1 DQ15 (Data In put/Output, word mode), A-1 (LSBAddreSS In put, byte mode)CE#ChiP En ableOE#OUtPUt En ableWE#Write En ableWP#/ACCHardWare Write PrOteCt/Accelerati On Pin RESET#=HardWare ReSet Pin, ACtiVe LowBYTE#SeIeCtS 8-bit or 16-bit modeRY/B

6、Y#Ready/Busy OUtPUtVCC3.0 volt- OnlySin gle power SUPPIy(See PrOdUCt SeIeCtOr GUide for SPeedOPti OnSandvoltage SUPPIy tolera nces)VSSDeViCe Grou ndNC=Pin Not Co nn ected In ternally2. 芯片的 BUS OPeratiOns 如下：3. 芯片的 COmmand DefinitiOnS4. 解释说明1、 读模式：读由#CE和#OE控制：当两者都为低电平时，才可以从FlaShROM中读取数据2、 写模式：FIaShRO

7、M的编程的基本单位是页”每一 页”包含一定的数据(一般为128字节或256字节)。如果要修改一页”中的某一个字节的数据，需要将这一页”的数据全部读出，修改指定的字节，再写回至FlaShROM中。在写入每一页”的时候，如果该 页”的某个字节没有被写入FlaShROM ,那么FIaShROM中的对应位置上的数据将会被擦除为0xFF。(即在写入时都是只允许将“1改成“ 0,而不允许将“ 0改成“ 1。)一般是#CE和#WE为低电平且#OE为高电平：写操作过程通常包括两个步骤：1)第一步是字节装载周期，在这个周期中主CPU将一页的数据写入FIaShROM的页缓冲区；2)第二步是内部编程周期，在这个周期

8、中 FIaShROM的页缓冲区的内容被同 时写入FIaShROM的非挥发存储器阵列注：在字节装载周期中，在#CE或#WE的下降沿两者出现的较晚的时刻地址被锁存，在#CE或#WE的上升沿两者出现较早的时刻数据被锁存。进入写操作之前要写入的命令序列为：向地址0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入 0xA0，退出写操作需要写入的命令序列为：向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555写入0x80、向地址 0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0x20。检测PrOdU

9、Ct ID 需写入的指令序列为： 向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555写入0x60 ；然后从 地址0上读取厂商代码，从地址 1上读取产品代码；退出该模式需写入的指令序列为：向地址 0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0xF0清除状态寄存器内容的一组指令是：向地址0x5555写入0xAA向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555写入0x50。Nor Flash支持扇区擦（SeCtor Era

10、Se除和整片擦除（ChiP EraSe）块擦除。向地址向地址全片擦除：向地址向地址0x5555写入OxAA、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA0x2AAA0x2AAA0x2AAA写入0x55、向地址写入0x55、向地址写入0x55、向地址写入0x55、向地址0x5555 写入 0x80、0x5555 写入 0x30。0x5555 写入 0x80、0x5555 写入 0x10。三、测试方法及流程1. 开短路测试（要求每个管脚及相邻管脚之间）No符号测试点FT规范QA规范单位Bin最小典型最大最小最大1OS_P每个管脚

11、-1.0-0.2-1.0-0.2V2OS N每个管脚0.21.00.21.0V测试方法、条件:1. I=-100uA2. I=100uA2. Leakage 测试测试方法、条件：1. 测 IIL: VCC=3.6V,input Pin加0 V,测试inPUt Pin电流2. 测 IIH: VCC=3.6V,input pin力口3.6V,测试inPUt Pin电流CE加CE加3. 测IOZH:VCC=3.6V,由bus OPeratiOns可知当CE为高IO Pin 处于HlGH Z状态，所以给3.6V,IO Pin 力口 3.6V,测试 IO Pin 电流4. 测IOZL:VCC=3.6V,

12、由bus OPeratiOns可知当CE为高IO Pin 处于HlGH Z状态，所以给3.6V,IO Pin 力口 0V,测试 IO Pin 电流3. 擦除整个ChiP测试方法、条件：1. VCC=3.3V,2. 向地址0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0x80、 向地址0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0x103.等待56 S擦除完成，此时芯片内的数据都为0xFF4. 工作电流测试5. Standby电流测试6. 读所有ChiP OXFF测试测试方法、条件：1.VCC=3.3V2设置#0E

13、,#CE为低电平，地址管脚 A21-A0设为OO,此时IO输出地址为OxOO内存储的数据OxFF.3. 地址加1 （地址管脚AO变为1 ,其他地址不变），此时 IO输出地址为OxOI内存储的数据OxFF.4. 地址逐步加1 （顺序改变地址管脚电压），此时 IO顺序输出地址内存储的数据OxFF。5. 逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-AO全变为1。即读完了所有地址的数据。7. VOH,测试测试方法、条件：1. VCC=3.3V2. 设置#OE,#CE为低电平，给任意地址，此时IO输出数据。3. 给IO加-2.OmA电流，读IO Pin电压。& 写并且读所有ChiP OXFF测试测试方法、条件

14、：1. VCC=3.3V3.向地址Ox5555写入OxAA、向地址 Ox2AAA 写入Ox55、向地址Ox5555写入OxAO ,向pageO初始 地址OxOO写#OO,2. 地址增加1，即向地址OxO1写OO3. 逐步增加地址，同时向地址内写入数据，直到写满1个PageO4. 重复1-3过程，更改Page初始地址，依次向 page1,2,3,4.写入00,直到写满整个 CHIP。2. 设置#OE,#CE为低电平，地址管脚 A21-A0设为00,，此时IO输出地址为OxOO内存储的数据OxFF.3. 地址加1 （地址管脚AO变为1 ,其他地址不变），此时 IO输出地址为0x01内存储的数据Ox

15、OO4. 地址逐步加1 （顺序改变地址管脚电压），此时 IO顺序输出地址内存储的数据OxOO o5. 逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-A0全变为1。即读完了所有地址的数据。9. VOL测试测试方法、条件：1.2. 向地址0x5555写入OxAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入OxAO，向任意地址写 #003. 设置#OE,#CE为低电平，读该地址数据，此时IO输出数据#00o4. 给IO加4.0mA电流，读IO Pin电压。10. 擦除整个ChiP测试方法、条件：1. VCC=3.3V,2. 向地址0x5555写入OxAA、向地址 0x2AAA 写入0x55

16、、向地址 0x5555写入0x80、向地址0x5555写入OxAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0x103.等待56 S擦除完成，此时芯片内的数据都为OxFF11. CHECKBOARD 测试测试方法、条件：1.VCC=3.3V2. 向地址0x5555写入OxAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555写入OxAO ,向pageO初始 地址OxOO写#00,3. 地址增加1，即向地址0x01写#FF4. 逐步增加地址，同时向地址内交错写入数据00和FF,直到写满1个page。5. 重复2-4过程，更改Page初始地址，向奇数 page,交错写入5

17、5/AA ,向偶数Page交错写入AA/55， 直到写满整个 CHlP。6设置#0E,#CE为低电平，地址管脚 A21-A0设为00,，此时IO输出地址为OxOO内存储的数据，即读 出步骤2-5写入的数据7. 地址加1 （地址管脚A0变为1 ,其他地址不变），此时 IO输出地址为0x01内存储的数据8地址逐步加1 （顺序改变地址管脚电压），此时IO顺序输出地址内存储的数据。9. 逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-A0全变为1。即读完了所有地址的数据。10. 重复一遍2-9操作，向奇数page,交错写入AA/55 ,向偶数Page交错写入55/AA，12. 擦除整个ChiP测试方法、条件：1

18、. VCC=3.3V,2. 向地址0x5555写入OXAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址 0x5555写入0x103.等待56 S擦除完成，此时芯片内的数据都为0xFF13. DlAGNoL 测试测试方法、条件：1.VCC=3.3V2. 向地址0x5555写入0xAA、向地址 0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555写入0xA0 ,向page0初始 地址0x00写#553. 地址增加1，即向地址0x01写#AA4. 逐步增加地址，同时向地址内写入数据AA，直到写满1个PageO5. 重复2-4过程，更改Page初始地址，向page1地址0x00写入AA ,地址0x01写入0x55,之后每Page 地址增加1 ,则往Page内的对应地址写 0x55,其他地址都写入 0XAA6. 设置#OE,#CE为低电平，地址管脚 A21-A0设为00,此时I