IC工原理习题

1、第一章 外延思考题 1. 外延是 2. 名词解释 : 同质结外延 ,异质结外延正外延 ,反外延 SOS， SOI 结构 软误差， 3. 埋层外延中的图形漂移与滑移原因及解决办法。 4. 分析外延中的自掺杂效应 ,讨论解决办法。 5. 分析外延中的可能产生的几种缺陷 ,讨论解决办法。 6. 总结影响外延生长速率的几种因素 ,如何提高外延层质量。 7. 根据两种硅气相外延的原理，比较两种硅气相外延的特点。 8. 外延技术在双极及 MOS 电路的主要用途 第二章 氧化工艺 10001. 根据硅和二氧化硅的密度和分子量，说明生长厚度为x0 的氧化层，计算要消耗厚度为 _ x0 的硅层，二氧化硅的密度用

2、 2.27g/cm3,硅的密度用 2.33g/cm3，硅的原子量为 28，氧的原子量为 16。 选择题 At 10002. 氧化层厚度和氧化时间的关系式为 x0= 1 2 1 ，请化简，当氧化时间很 2 A2 / 4B 短时，即 tA2 /4B , 则 X 0= A. BA(t ) C. 2B A 10004 . 氧化层厚度和氧化时间的关系式为 (t ) D. 2 B(t ) X 0= 2 A2 / 4B ，当氧化时间很短时，即 tA2 / 4B ，它属于（ ） A. 表面反应控制 B. 扩散控制 10006 在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要 的时

3、间最长？（ ） A. 干氧B.湿氧C.水汽氧化 10008. 二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些 1杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 2杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 3二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 4二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度 A 2,4B.1,3 C.1,4 D.2,3 10010. 半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（ ） A 结晶形二氧化硅B. 无定形二氧化硅 10011. 二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有： （ ） 1 对杂质的掩蔽作用 2 对器件表面的保护和钝化作用 1 / 10 3 用

4、 于器件的电绝缘和电隔离 4 作为电容器的介质材料 5作为MOS 场效应晶体管的绝缘栅材料 A 1,2 B. 1,2,3 C. 1,2,4,5 D.1,2,3,4,5 10012. 扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（ ） 1 杂质的浓度梯度 2 温度 3 扩散过程的激活能 4 杂质的迁移率 A. 1,2 B. 2,3 C. 2,4 D.1,4 10013. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于 A. 代位式扩散 B. 间隙式扩散 填空题: 20001. 在硅 -二氧化硅系统中存在 电荷、可动电荷、界面态电荷和氧化层陷阱电荷。 20006. 温度是影响氧化速率的一个重要因素，温度越高，氧化速率

5、越 （大 /小）。 20008. 在一定的氧化条件下， 通过改变氧化剂分压可以改变氧化层生长速率， 氧化剂分压越 _ （大 /小），生长速率越慢。 20016. 清洗硅片所用的化学试剂、 去离子水和生产工具、 操作者的汗液及呼出的气体等是氧化层 中的 _离子的来源。 20017. 在用干涉法测量氧化层厚度时，光的波长为 5400? ，暗条纹数为 6 条，则氧化层厚度为 30001. 某 MOS 管在 1100下，用干氧制备栅氧化膜，时间为30min,A=0.09 m ,B=4.5 10-4 m / 10 /min, =4.56min,计算所生成的栅氧化层厚度 m .（保留两位有效数字 ） 30

6、002. 氧化温度为 1200，要求氧化层厚度为 500nm,试求湿氧 （水温 95）需要 min（只保留 整数 ），已知 A=0.05 m, B=1.2 10-2 m 2/min, =0。 30003. 氧化温度为 1200，要求氧化层厚度为 500nm,试求干氧需要 min（ 只保留整数 ），已知 干氧 A=0.04 m, B=7.5 10-4 m 2/min, =1.62min 。 30004. 氧化温度为 1200，要求氧化层厚度为 500nm,试求水汽氧化需要 min（ 只保留整数 ）， 已知干氧 A=0.017 m, B=1.457 10-4 m 2/min, =0。 30005.

7、 氧化温度为 1100，先干氧 10min , 再湿氧 40min（T 水=95 ），再干氧 10min, 求总的氧化层 厚度_ _ m 。（ 答案保留两位有效数字） 已知：干氧 A=0.09 m, m, B=4.5 10-4 B=0.85 10 湿氧 A=0.11 30006. 已知 3DK3 开关管硼预淀积的温度为 2/min, =4.56min 。 2/min, =0min 。 950，淀积时间共 11 分钟；硼再分布温度为 1180， 时间共 40分钟。在扩散过程中，对硼起掩蔽作用所需最小SiO2层厚度为（ ）? 。（只保留整数 ） （预淀积扩散系数为 10-17厘米 2/秒，1180

8、下，扩散系数为 410-15 厘米 2/秒） 30007. 3DK 3 开关管 ,基区硼扩散温度为 1180，（硼的扩散系数为 410-15 厘米 2/秒），时间为 40 分钟，发射区磷扩散温度为 1050（硼的扩散系数为 310-16 厘米 2/秒）， 时间为 25 分钟，因此，在基区硼扩散和发射区磷扩散过程中，对硼起掩蔽作用的最小SiO 2层厚 度为（ ）? 。（只保留整数 ） 30009. 某双极型晶体管制备 SiO2 膜时，先在 1000下湿氧（ T 水=95）氧化 60min, 后来又在 1200用湿氧（ T 水=95）氧化 60min,求出两次氧化后所生成的氧化层总厚度（）? 。（

9、只保留 整数 ）。 已知： 1000 湿氧 A=0.226 m,B=0.48 10-2 m2/min。 =0 1200 湿氧 A=0.050 m,B=1.2 10-2 m2/min。 =0 30010. 某一硅片上面已覆盖有 0.2 m 厚的 SiO2 层，现需要在 1200下用干氧氧化法再生长 0.1 m厚的氧化层，问干氧氧化的时间是（） min.已知： 干氧 A=0.04 m,B=7.510-4 m2/min,=1.62min 。 第三章 扩散工艺 ） :1 杂质的浓度梯度 2 温度 3 10012. 扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（ 扩散过程的激活能 4 杂质的迁移率 A. 1,

10、2 B. 2,3 C. 2,4 D.1,4 10013. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于 A. 代位式扩散B.间隙式扩散 10014. 下面哪个方程是扩散方程（ B. j D N C. N(x,t) t 2 D 2N(x,t) N(x,t)2N(x,t) D t x2 10015. 以下过程不属于恒定表面源扩散的有 （ ）。 隐埋扩散 B.隔离扩散的硼预淀积C. 基 区扩散的硼预淀积 D. 基区主扩散 10016. 下面选项属于预扩散的作用有（ ）。 A. 调节表面浓度B.控制进入硅表面内部的杂质总量C. 控制结深 10017. 下面选项属于主扩散的作用有（ ）。 1.调节表面浓度2.控制进

11、入硅表面内部的杂质总量3.控制结深 A. 1B. 2 C . 3D. 1,3 10018. 以下说法错误的是： （ ） A. 扩散是微观粒子的一种热运动方式，运动结果使浓度分布趋于均匀。 B. 间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动称为间隙式扩散。 C. 以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小的杂质原子。替位式扩散就是替位杂质和近邻晶格位 置上的原子互换。 10019. 下面哪个条件不属于恒定表面源扩散（ ） A. N（0,t） Ns B. 0N（x,t）dx Q C. N( ,t) 0 D. N(x,0) 0 , x0 10020. 预扩散是在较 温度下 （与主扩散相比） ，采用 扩散

12、方式， 在硅片表面扩散一层数 量一定， 按 形式分布的杂质。 （ ） A 高、恒定表面源、余误差函数B高、有限表面源、高斯函数 C低、恒定表面源、余误差函数D 高、有限表面源、余误差函数 10021. 下面对扩散层薄层电阻的说法错误的是（ ） A. 薄层电阻就是表面为正方形、厚度为 Xj 的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻 B. Rs / Xj , 就是扩散表面杂质的电阻率。 C. 扩散层薄层电阻反映了扩散到半导体内部的杂质总量。 D. 扩散层薄层电阻 Rs 仅与扩散层厚度和平均电阻率有关。 10022. 以下说法错误的是（ ） A 采用恒定表面源扩散可以比较准确地控制扩入硅片表面的杂质总量和

13、获得高的表面浓度。 B 采用恒定表面源扩散可以获得任意控制的表面浓度。 C 有限表面源扩散的杂质分布为 3 / 10 Q 为常量 N(x,t) Q exp( x2 ),在扩散过程中 Dt 4Dt D 有限表面源扩散，当温度保持恒定，随着扩散时间的增加，杂质扩散深度增大，表面杂质浓度不断下降 10023. 结 深 表 达 式 可 统 一 写 成 ： Xj A Dt ， 对 于 恒 定 表 面 源 扩 散 ， A= （ ） A 2erfc 1(NBN ) B2(lnNNBS)2 10024. 结深表达式可统一写成： Xj A Dt ， 对于有限表面源扩散， A=( ) A 2erfc 1( B2(

14、ln NNBS)2 10025. 如果用脚码 “1”表示预扩散有关参数， 用脚码“2”表示主扩散有关参数， 则当 D1t1D 2t2 时，杂质分布为： （ ） A 高斯分布B. 余误差分布 C Smith 分布 10026. 如果用脚码 “1”表示预扩散有关参数， 用脚码“2”表示主扩散有关参数， 则当 D1t1k S,即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD 系 统中，淀积过程主要是质量转移控制 （对 /错） 20033.在 LPCVD 中，由于 hGk S,即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD 系 统中，淀积过程主要是表面反应速率控制 （对 /错） 2003

15、4.LPCVD 淀积多晶硅，其掺杂方法有三种： CVD 法、 法和离子注入法。 20035.LPCVD 淀积多晶硅，其掺杂方法有三种： CVD 法、扩散法和 法。 20036.气相掺杂将影响多晶硅的淀积速率，如与不掺杂多晶硅相比，掺As 约减少 7 倍，掺 P 约 减少 2.5 倍，掺 B 提高 2 倍，原因是这些杂质在表面的吸附， 起着抑制或促进 SiH4分解反应的作 用。这句话 （正确/错误 ） 20037.LPCVD 淀积 SiO2采用正硅酸乙酯 Si（ OC2H5）4，（TEOS），热分解法，用 O2作稀释气 体，并通入一定量的 N 2，反应式为： 500 Si（OC2H5）4+12O

16、2 500 SiO2 +10H 2O+8CO 2 这句话 （正确 / 错误） 20038.LPCVD SiN 4 的淀积温度为 800-850，温度偏高，不适用于多层布线的绝缘介质膜及金属 化后的表面钝化膜可用 CVD 淀积 SiN4 作绝缘介质膜和钝化膜。 第六章光 刻 -第七章刻蚀 10061.不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1刻蚀 2. 前烘 3. 显影 4. 去 胶 5涂胶6. 曝光 7. 坚膜 . 以下选项排列正确的是： （ ） A. 2561437B.5263471 C. 5263741 D.5263714 10062.以下关于正胶的说法错误的是（） A 分辨率高 B.

17、抗干法腐蚀能力和抗热处理能力强 8 / 10 B. 粘附性好 D. 抗湿法腐蚀能力差 10063. 以下有关负胶的说法错误的是（） A 对环境因素不太灵敏，感光速度高B. 粘附性好 C. 抗蚀性好D. 分辨率高 10064.光刻胶的性能有： A 感光度B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蚀性 E. 针孔密度 F. 留膜率 G稳定性 哪个是表征光刻胶对光敏感度的性能指标（ ） 10065.光刻胶的性能有： A 感光度B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蚀性 E. 针孔密度 F. 留膜率 G稳定性 哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因 素有关（ ）

18、10066.光刻胶的性能有： A 感光度B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蚀性 E. 针孔密度 F. 留膜率 G稳定性 生产上要求光刻胶具有一定的（ ），即要求光刻胶在常温和光（主要是紫外光）屏蔽的情况下， 即使加入增感剂，光刻胶也不会发生暗发应。若进行烘烤干燥，加热到一定温度时，也要求光刻 胶不发生交联。 10067.光刻胶的性能有： A 感光度B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蚀性 E. 针孔密度 F. 留膜率 G稳定性 生产上要求光刻对酸、碱化学腐蚀液具有良好的（ ） 10068. 以下关于涂胶的说法错误的是： （ ） A. 涂胶工艺中必须注意的问题主要是防止胶层与硅片表面粘附不牢。 B. 胶膜太厚，针孔较多，抗蚀能力差 C. 胶膜太厚，分辨率低。 D. 为了保证光刻质量，涂胶应在超净台或在防尘操作箱内进行。 10069. 下面哪个不属于涂胶的基本要求： （ ） A 膜厚符合要求B. 胶层厚度均匀性好 C. 胶层和硅片表面粘附性好 D. 胶层中心厚，两边薄 10070.为了使胶层粘附牢，通用的办法不包括（） A 胶层越薄越好 B. 涂胶