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1、半导体物理半导体物理 练习练习 1、载流子的热运动在半导体内会构成电流、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（。（ ） 2、载流子在外电场的作用下是（、载流子在外电场的作用下是（ ）和（）和（ ） 两种运动的叠加，因此电流密度大小（两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）。）。 3、什么是散射、什么是散射 si的导带底附近e(k)k关系是长轴沿方向的6个旋转椭球等能 面，而ge的导带底则由4个长轴沿方向的旋转椭球等能面构 成。若令 ，那么对于si、ge晶体 称c为电导迁移率，mc称为电导有效质量。半导体中电导率与平均自由 时间的关系为 n型半导体 p型半导体 tltlc * n m2mmm3mm
2、 c n cn m q * p p 2 * n n 2 pn m pq m nq pqnq * n n 2 n m nq nq * p p 2 p m pq nq 电阻率与掺杂的关系 n n型半导体型半导体 p p型半导体型半导体 ap dn nq nq 1 1 电阻率与温度的关系 本征半导体本征半导体 本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降 杂质半导体杂质半导体 （区别于金属）（区别于金属） 速度饱和 在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移 速度速度v v与外加电场强度与外加电场强度e e呈线性关系；随着外加电呈线性关系；随着外加电 场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均 漂移速度达到一饱和值，不随漂移速度达到一饱和值，不随e e变化。变化。 n-gen-ge: : d 2 7 10/v cm d e（呈线性） 23 7 10/5 10/v
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