半导体物理学第4章_第1页
半导体物理学第4章_第2页
半导体物理学第4章_第3页
半导体物理学第4章_第4页
半导体物理学第4章_第5页
已阅读5页，还剩88页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、半导体物理半导体物理 练习练习 1、载流子的热运动在半导体内会构成电流、载流子的热运动在半导体内会构成电流。（。（ ） 2、载流子在外电场的作用下是（、载流子在外电场的作用下是（ ）和（）和（ ） 两种运动的叠加，因此电流密度大小（两种运动的叠加，因此电流密度大小（ ）。）。 3、什么是散射、什么是散射 si的导带底附近e(k)k关系是长轴沿方向的6个旋转椭球等能 面，而ge的导带底则由4个长轴沿方向的旋转椭球等能面构 成。若令 ，那么对于si、ge晶体 称c为电导迁移率，mc称为电导有效质量。半导体中电导率与平均自由 时间的关系为 n型半导体 p型半导体 tltlc * n m2mmm3mm

2、 c n cn m q * p p 2 * n n 2 pn m pq m nq pqnq * n n 2 n m nq nq * p p 2 p m pq nq 电阻率与掺杂的关系 n n型半导体型半导体 p p型半导体型半导体 ap dn nq nq 1 1 电阻率与温度的关系 本征半导体本征半导体 本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降 杂质半导体杂质半导体 （区别于金属）（区别于金属） 速度饱和 在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移在低电场作用下，载流子在半导体中的平均漂移 速度速度v v与外加电场强度与外加电场强度e e呈线性关系；随着外加电呈线性关系；随着外加电 场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均场的不断增大，两者呈非线性关系，并最终平均 漂移速度达到一饱和值，不随漂移速度达到一饱和值，不随e e变化。变化。 n-gen-ge: : d 2 7 10/v cm d e（呈线性） 23 7 10/5 10/v

人人文库> 全部分类> 生活休闲 > 科普知识

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论