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文档简介
1、第四章场效应管基本放大电路4-1选择埴空场效应晶体管是用控制漏扱电流的。2.栅源电流b.檢源电压C.漏源电流结型场效应管发生预夹断后,管于a.关断b.迸入恒流区场效应管的低频跨导為是=a.常数b.不是常教场效应管靠导电。a. 一种载流于 b.两种载流于增强型PMOS管的开启电压_a.大于零 b小于零増强型NM()S管的开启电压1.2.34.6.7.8.c.进入饱和区c.栅源电压有关c电于C-等于零d.d.漏源电压d.可变电阻区d.栅源电压无关d.空穴或大于零或小于零a.大于零b.小于零c.等于零只有场效应管才能采取B偏压电路oa.增强型b.耗尽型c.结型分压式电路中的栅极电阻一般阻值很大,a.
2、设晝台适的静态工作点b.c提高电路的电压放大倍数d.d.或大于零或小于零d.增强型和耗尽型目的是o减小栅极电流 提高电路的输入电阻10.某场效应管的Ig为6nv, a. P沟道结型管 c.增强型PMOS管 c.增强型NMOS管Rd* VddVddHRdVT(b)TJPr-(a)(c)(d)题4-2图(e)(f)9.源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与有关。a.管子跨导 b.源极电阻氏c.管于跨导為和源极电阻氏而Ig自漏极流出,大小为8mA,则该管是b. N沟道结型管d.耗尽型PMOS管耗尽型NMOS管 解答:6.a7. b,c 8. d 9.c l().dl.b 2.b 3.b,c 4. a
3、 5.b 4-2巳知题42图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管于类型、电源吟的极性( +)、 叱的极性(0, 0, 0, “任意)分别埴写在表格中。解:图号(a)(b)(:)(0精品顶目沟道类型NPNNPP増强型或 耗尽型结型结型增强型耗尽型增强型耗尽型电源V。极 性+%极性00任意0任意43试分析如题43图所示各电站能否正常放大,并说明理由。精品(a)(b)解:题43图(d)精品(a) 不能。VT是一个N沟道JFET,要求偏雹电压5匕满足UUW 0,而电阳中VT的偏直 电压UgO,因此不能进行正常放大。(b) 能。VT是一个P沟道JFET,要求偏賈电压Uy满足0C Ugom,而电站中VT的
4、偏賣电 压UgAO,只要在0U0。电路中5辺0, 如果满足U& 0,也可能满足U0o但是D极和衬底B之间的PN 结正向导通,因此电路不能进行信号放大。(c)不能VT是一个N沟道增强型MOSFET,开启电压U 11U0,要求直流偏直电压1) UoQ,电 路中Ug汙0,因此不能进行正常放大。(0能。VT是一个P沟道耗尽型MOSFET,夹断电压U(0,放大时要求偏萱电压St满足 Ugc So,fF。电站中UgAO,如果满足Ug= 5辺血就可以正常放大。4-4电阳如题4-4图所示,n=24 V,所用场效应管为N沟道耗尽型,其参数屁尸0.9g, Utllff=-4V,跨导 S.=1.5mA/Vo 电路参
5、数 心产200kQ, &2=64kQ,心=1MQ,心=&= 7=1 Ok Qo试求:1. 静态工作点。2. 电压放大倍数。3. 输入电阻和输出电阻。题4-4图解:1. 静态工作点的计算/Crp64GS =G -Us, 二 Udd-/D/es=-x24-10/d =5.8-10/d/q| + Kq2ZvU + CH精品/DiDSsdIogi-华)2gsm4解上面两个联立方程组,得|7d = 0.64 mA(/ GS = 0.62V漏源电压为t/DS=%-/D(/?D+/ff=-lV, A=0.5mA,心为无穷大。试求:1. 静态工作点。2. 电压増益竝。3输入电阻和输出电阻。+Vdd + 18V
6、Rgi2MQRd30KQ题4-7图解:1静态工作点计算精品gsq = Udd_JdqRs 心1 +心gsq I =-0.78x30 = -23.4os of! _2 =-JAssL = JO5xO3 = 0.78mS gs. onTGS3输入电阻和输出电阻的计算。i = Rq + Rq /Rg2 = 10M + 2M /47K q 1O(MQ)/*0 = Rd = 30(K)4-8电阳如题4-8图所示。场效应管的=2mS,心为无穷大,电站中各电容对交流均可视 为短路,试求:1 电路的电压增益人。2输入电阻和输出电阻。精品c +Vdd+18VRgi占200K lCiMi+Rg5MQRi1KQRl
7、20KQRG2LR2广|三10KQ二 C51MQ、.i+Ito题4-8图解:1电站的电压增益电。加= E(gs(RdRl) = _弘(心心)UGS + gmSsRl1 + 8mK42x(20/20)“:.Air = = -6.71 + 2x12. 输入电阻/?和输出电阻心片=心 + 阳 / 心2 = 5M + 51M/200K = 5(MQ)必=z?d = 20(g)4-9 电路如题 49 图所示。巳知 Vd=20V, At=51MQ, Ari=200kQ, 7?(T2=200kC2, 7t=22 kQ,场 效应管的=2mSo试求:1. 无自举电容c时,电路的输入电阻。分析:电站中跨接在电阻&
8、和源极S之间的C称为自举电容,该电容将输出电压信号 反馈到输入端的檢极G,形成正反馈,提升了电路的输入电阻:关于负反馈电路的分析计算将在第7章详细介绍。解:精品1无自举电容c时电站输入电阻计算 根据电路可知,输入电阻为=心 +心1 心 2 =51 + 0.2/0.2 = 51.l(MQ)2. 有自举电容C时电带豪输入电阻计算 此时交流等效电路如图题4-9图a所示。题4-9图a根据等效电聒图,可知栅极对地的等效电阻为其中电流Rg输出电压 uo = (i + 8mligs )(G1G2 心)当电流4很小时,“。a g胪g$(心1 Rg2 11 Rs) 电压放大倍数为gm%l 叱2 Rs )1 +加
9、(心1 心2 如gmGS(RGl 心2 心)UGS + gmGS(心 1 心2 Rs)lx (200/200/22) 181 + lx (200/200/22) 1918心-o _ 19 1 iRg 一一石耳 丄=19心=19x51 =969MQG计算结果说明自举电容C使电路的输入电阻提高丁。4-10电路如题4-10图所示。已知=1.65MsAn=屁2=1MQ,如&=3 kQ,耦台电容 C=Co=10nFo 试求1. 电路的中频增益池。2. 估算电路的下限截止频率。3当孝虑信号源内阻时,高频增益计算公式。精品解:1. 电路的中频増益AsAj = -gm (心坨)=T & x (3 / 3) =
10、 -2.482. 估算电路的下限截止频率电路低频尊效电路如题4-10图a所示。+g 川 fgsWi Rgi Rg2 “gs i /Rd图4J0图a_gmgs Rd Rl +_丿6Xp丿RdU + j 欣山0)1 + jM/?D + RlKo增益函数2丿._(心 1 心2)gs =1(/?G1/?G2)+-整理得一 gmgs 坷(0)i(0)( 问爭心2电 (Q1 +同阳/心2以如.()= _加心(l + je心G)3(心1心2虺1 + 0(心+心氏1 +问心|/心2広显然增益函数有两个极点和两个零点和两个极点。 零点分别为/zl = 1 1/z2 =1 = 5.4Hz 2RlC0 2x3x103x10x10 极点分别为精品/pl 2(心 1/心2Q 2-(lM/lM)xlOxlO6=2.7Hzi !iP2 2 龙(心+心)Q 2兀(心+心)C。2(3 + 3)x103x10x10-6 所以下限频率为几=5.4Hz3电路高频等效电站如题40图b所示。GD图410图b高频増益函数为AUs(6y) = He% = 一gmGS Rd Rl Fj叫Rg 心2 rj叫心+心1 心2 j叫心 1 RG2 r“UsS)=
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