模拟与数字电子电路基础作业标准答案4

1、 模拟与数字电子电路基础作业答案4 作者： 日期： 2 4 作业 2015-5-13(14) 截止日期： 要求：写出步骤，独立完成 5节, 第八章1,2节，第四章第1,2,3,4,5,6内容：第七章节 10分）电路图如下，已知，求v1 （O 323RK*; 参考解答：因为：v=R*i=R*K/vv；=K*R;v=3K*R; -v=V v=V SSO 电路图如下，已知：，求v（10分）2 B 参考解答：I=V/(R+R+K/v)=v/Rv(R+R)=V-K*Rv=(V-K*R)/(R+R) BB;BBBABSBSASBABB; 求出下面电路的Thevenin等效电路，注意电路中包含一个depen

2、dent电压源，参数的单位是欧姆。（15分） 提示：计算R时，dependent source不能设为0，参考课本例3.23。 th 参考解答：先求UTH: 用节点法：I=i+i,U-*i=i*R;U=i*R2; 20F F21（I-i)*R-*i=i*R;i=R*I/(R+R+); 20 21120 U=U=i*R=(I-i)*R=R*I*(R+)/(R+R+); 102F20221TH2其次求R：R=(R+)*R/(R+R+); 2THTH121 3 课本第八章练习8.1。（20分） 2*R; -V)=V-I*R=V-0.5K(V参考解答：(1) VLSSDTOLI (2) 增益=-K*R

3、*(V-V); TIL (3) 4 有一个Gate和Drain连接在一起的MOSFET，它的参数是V和K。它的drain-to-sourceT电压和drain电流分别用v和i表示（20分） RRa. 写出该MOSFET在饱和状态下的v和i的关系表达式(vV)。 TRRRb. 建立MOSFET在operating point为(v=V)时的small signal模型，并给出v和i的关rRrR系表达式。 提示：参考课本例8.1。 222 ；)=0.5*K*(v)-v=0.5*K*(v-v)-V参考解答：a：i=i=0.5*K*(vTTTRRDSGSDS b: i/v=K*(v-V); v=i/K

4、*(v-V);当v=V时，v=i/K*(V-V) TrRrRrTRrrrRRT MOSFET在operating point为(v=V)时的small signal模型如下 ： RR r=1/K*(V-V) TR （10分）7.105 课本第七章问题。 参考解答： a ： 2 /2;-V=K*(V=0;I-V*R-I：应用： b KVLV)TGSDGSSDS 2*K; +V)-1)/R-V=(sprt(1+2RK(V*K*(V-V)/2+V=V;VR STGSSTSGSSGSTS V=(sprt(1+2RK(V+V)-1)/R*K+V; TGSTSSS2/2; *K)K(V=K*(sprt(1

5、+2R+V)-1)/R i=ISSTDSD2/2. *K)K(V+V)-1)/R=V-i*R=V-R*K*(sprt(1+2R vSSSDDDOTSS 2，V=0.5V。（。MOSFET参数K=1mA/V156 如下图所示，一个放大器使用双电压源。这里, T分） a. 当v=0V而且v=0V时，R的值是多少？ LINOUTb. 当v增加时，v会减小。用a题计算出的R的值，计算出MOSFET在饱和状态时，LINOUTv的最小值。 OUT提示：参考7.6.2的步骤，但不能直接套用7.6.2的结果。 +2+-2*R-V=V-0.5*K*(v-i*R=V-V-0.5*K*(v-V)参考解答：a：v=V*RL; DLSSSOUTINSGSLTT+-2+-2+-20=V-0.5*K*(0-V-V)*RR=2*V/(V+V)*K)=2000*V/(V+0.5) SSSSST SL; TL +-2+-2-2 +0.5)*(v-Vv=V-0.5*K*(v-V/(V-V)-0.5)*R=V-V b：SOUTSSSINLSINTS +- )=V+0.5-v*v*(Vv;SINSOUTIN-vGS=v-V; vDS=v-V; S SINOUT -+0.5; vV