微电子学概论ch集成电路制造工艺

1、集成电路制造工艺集成电路制造工艺 制造业制造业 芯片制造过程芯片制造过程 由氧化、淀积、离子注入或蒸由氧化、淀积、离子注入或蒸 发形成新的薄膜或膜层发形成新的薄膜或膜层 曝曝 光光 刻刻 蚀蚀 硅片硅片 测试和封装测试和封装 用掩膜版用掩膜版 重复重复 20-30次次 有源器件有源器件制备在同一衬底上，相互隔离制备在同一衬底上，相互隔离 （二极管、双极晶体管、（二极管、双极晶体管、MOSFET） 无源器件（电阻、电容等）无源器件（电阻、电容等） 互连引线互连引线 P N+ N+ AlAl PP 集成电路设计与制造的主要流程框架 设计设计 芯片检测芯片检测 单晶、外单晶、外 延材料延材料 掩膜版

2、掩膜版 芯片制芯片制 造过程造过程 封装封装测试测试 系统需求 系统需求 集成电路的设计过程：集成电路的设计过程： 设计创意设计创意 + + 仿真验证仿真验证 是是 功能要求功能要求 行为设计（行为设计（VHDL） 行为仿真行为仿真 综合、优化综合、优化网表网表 时序仿真时序仿真 布局布线布局布线版图版图 后仿真后仿真 否否 是是 否否 否否 是是 设计业设计业 集成电路芯片的显微照片集成电路芯片的显微照片 双极工艺双极工艺 双极集成电路双极集成电路 CMOS工艺工艺 CMOS集成电路集成电路 集成电路工艺 NPNNPN晶体管晶体管 N N沟道沟道MOSMOS晶体管晶体管 CMOS集成电路集成

3、电路(互补型互补型MOS集成电路集成电路)： 目前应用最为广泛的一种集成电路，约占目前应用最为广泛的一种集成电路，约占 集成电路总数的集成电路总数的95%以上。以上。 集成电路制造工艺 前工序：（重点）前工序：（重点） 形成半导体器件的核心部分，管芯。 后工序：后工序： 封装，测试等。 辅助工序：辅助工序： 超静卫生环境，高纯水气设备，掩膜版的 制备和材料准备等。 集成电路制造工艺集成电路制造工艺 v图形转换技术：图形转换技术：将设计在掩膜版将设计在掩膜版( (类似于照相底类似于照相底 片片) )上的图形转移到半导体单晶片上上的图形转移到半导体单晶片上 v掺杂技术：掺杂技术：根据设计的需要，将

4、各种杂质掺杂在根据设计的需要，将各种杂质掺杂在 需要的位置上，形成晶体管、接触等需要的位置上，形成晶体管、接触等 v薄膜制备技术：薄膜制备技术：制作各种材料的薄膜制作各种材料的薄膜 v隔离技术隔离技术 v封装技术封装技术 wafermask 光源 v光刻胶、掩膜版光刻胶、掩膜版 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化 学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中学结构发生变化，使光刻胶在某种特定

5、溶液中 的溶解特性改变。的溶解特性改变。 v正胶：曝光后可溶，分辨率高正胶：曝光后可溶，分辨率高 v负胶：曝光后可溶，分辨率差，适于加工负胶：曝光后可溶，分辨率差，适于加工 线宽线宽3 3 m m的线条的线条 Mask 掩膜版掩膜版 - defines the pattern Lithography 光刻光刻- to pattern silicon dioxide Photoresist 光光刻胶刻胶 - acid-resistant material before UV-light, but soluble after 正胶：曝光正胶：曝光 后可溶后可溶 负胶：曝光负胶：曝光 后不可后不可

6、溶溶 光刻的主要步骤光刻的主要步骤 涂胶涂胶 在洁净干燥的硅片表面均匀涂一层光刻胶在洁净干燥的硅片表面均匀涂一层光刻胶 方法：胶滴在硅片上，硅片高速旋转方法：胶滴在硅片上，硅片高速旋转 前烘前烘 使光刻胶中的溶剂挥发，胶层成为固态的使光刻胶中的溶剂挥发，胶层成为固态的 薄膜，附着力增加；从而使曝光和未曝光薄膜，附着力增加；从而使曝光和未曝光 的部分选择性好。的部分选择性好。 方法：热垫板等。方法：热垫板等。 曝光曝光 受光照射的光刻胶发生光化学反应。受光照射的光刻胶发生光化学反应。 确定图案的形状和尺寸；掩膜版确定图案的形状和尺寸；掩膜版 显影显影 已曝光的芯片侵入显影液中，通过溶解部分光已曝

7、光的芯片侵入显影液中，通过溶解部分光 刻胶的方法，使胶膜中的潜影显出。刻胶的方法，使胶膜中的潜影显出。 后烘（坚膜）后烘（坚膜） 使显影后的图形牢固粘附在硅片上。使显影后的图形牢固粘附在硅片上。 方法：热垫板等。方法：热垫板等。 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式光刻：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙接近式光刻：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10(102525 m)m)，可，可 以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低。以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低。 投影式光刻：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图

8、形投影到衬底上的曝投影式光刻：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝 光方法，目前用的最多的曝光方式。光方法，目前用的最多的曝光方式。 几种常见的光刻方法几种常见的光刻方法 v甚远紫外线甚远紫外线(EUV)(EUV) v电子束光刻电子束光刻(EBL, Electron Beam Lithography) vX X射线射线 v离子束光刻离子束光刻 光刻录像 目的：目的： 通过光刻的方法在光刻胶上得到的图形通过光刻的方法在光刻胶上得到的图形 是临时图形，必须将光刻胶上的图形转移是临时图形，必须将光刻胶上的图形转移 到硅片上，即将未被光刻胶掩蔽的部分通到硅片上，即将未被光刻胶掩蔽的部分通

9、过选择性腐蚀去掉，从而得到集成电路真过选择性腐蚀去掉，从而得到集成电路真 正的图形。正的图形。 刻蚀技术 v湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过 化学反应进行刻蚀的方法化学反应进行刻蚀的方法 关键：选择性。关键：选择性。 v干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等 离子体中的离子或游离基离子体中的离子或游离基( (处于激发态的分处于激发态的分 子、原子及各种原子基团等子、原子及各种原子基团等) )与材料发生化与材料发生化 学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀 的目的的目的 关键：对图形的控制

10、性。关键：对图形的控制性。 v湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应 用：磨片、抛光、清洗、腐蚀用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 v优点是选择性好、重复性好、生产效率高、优点是选择性好、重复性好、生产效率高、 设备简单、成本低设备简单、成本低 v缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差 刻蚀技术：湿法刻蚀刻蚀技术：湿法刻蚀 湿法化学刻蚀，一般都是湿法化学刻蚀，一般都是 各向同性，横向和纵向的各向同性，横向和纵向的 刻蚀速度相同，因此，湿刻蚀速度相同，因此，湿 法刻蚀得到的图形的横向法刻蚀得到的图形的横向 钻蚀比较严重。钻蚀比较严重。 为了

11、适应集成电路特征尺寸的减小为了适应集成电路特征尺寸的减小 提高刻蚀的各向异性。提高刻蚀的各向异性。 刻蚀技术：干法刻蚀刻蚀技术：干法刻蚀 v溅射与离子束铣蚀溅射与离子束铣蚀(Sputtering and Ion Beam (Sputtering and Ion Beam Milling)Milling)：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻 蚀，各向异性性好，但选择性较差蚀，各向异性性好，但选择性较差 v等离子刻蚀等离子刻蚀(Plasma Etching)(Plasma Etching)：利用放电产生的利用放电产生的 游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实

12、现刻蚀。游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。 选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差 v反应离子刻蚀反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching(Reactive Ion Etching，RIE)RIE)： 通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用 刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时 兼有各向异性和选择性好的优点。目前，兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIERIE已成为已成为 VLSIVLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀

13、技术工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术 干法刻蚀干法刻蚀 VS. VS. 湿法刻蚀湿法刻蚀 Thin Oxide & Polysilicon Gate Deposit a layer of thin oxide Pattern the poly gate Deposit the Poly (by CVD (Chemical Vapor Deposition) Example： 掺杂技术掺杂技术 v掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区 域中，以达到改变半导体电学性质，形成域中，以达到改变半导体电学性质，形成 PNPN结、电阻、欧姆接触结、电阻、欧姆接触 v磷磷(P

14、)(P)、砷、砷(As) (As) N N型硅型硅 v硼硼(B) (B) P P型硅型硅 P 掺杂掺杂 电阻电阻 P N+ N+ AlAl PP MOSFET v杂质浓度和分布：影响器件的阈值电压、器杂质浓度和分布：影响器件的阈值电压、器 件的电流电压特性、击穿电压等件的电流电压特性、击穿电压等 杂质浓度：杂质浓度：cmcm-3 -3 杂质分布：结深杂质分布：结深 v掺杂技术掺杂技术 扩散（结较深、线条较粗）扩散（结较深、线条较粗） 离子注入（浅结、细线条）离子注入（浅结、细线条） N P N+ N+ AlAl 结深结深 掺杂技术：扩散扩散 v替位式扩散：替位式扩散： 、族元素族元素 杂质原子

15、边有空位，杂质本身有足杂质原子边有空位，杂质本身有足 够能量克服晶格势垒够能量克服晶格势垒 一般要在很高的温度一般要在很高的温度(950(9501280)1280) 下进行下进行 v间隙式扩散：间隙间隙式扩散：间隙 NaNa、K K、FeFe、CuCu、Au Au 等元素等元素 扩散系数要比替位式扩散大扩散系数要比替位式扩散大6 67 7个个 数量级，扩散温度较低数量级，扩散温度较低 硅原子硅原子 空位空位 v选区扩散选区扩散 不能用光刻胶作掩蔽不能用光刻胶作掩蔽 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远 小于在硅中的扩散系数，可利用氧化层作为杂小于在硅

16、中的扩散系数，可利用氧化层作为杂 质扩散的掩蔽层质扩散的掩蔽层 扩散系统结构图扩散系统结构图 固态源扩散：如固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等等 扩散视频 v离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导 体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子 的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的 数目数目( (剂量剂量) )决定决定 掺杂的均匀性好掺杂的均匀性好 温度低：小于温度低：小于600600 可以精确控制杂质分布可以精确控制杂质分布 可以注入各种各样的元素可以注入

17、各种各样的元素 横向扩展比扩散要小得多。横向扩展比扩散要小得多。 可以对化合物半导体进行掺杂可以对化合物半导体进行掺杂 P B 离子注入系统的原理示意图离子注入系统的原理示意图 v注入时，表面有氧化层等薄膜,做掩蔽层。 N 衬底衬底 P 阱阱 光刻胶光刻胶 有效掩蔽层有效掩蔽层 不有效掩蔽层不有效掩蔽层 v 离子注入的特点 掺杂纯度不受杂质源纯度的影响 可以精确控制注入杂质的数目：剂量和能量 可以注入各种各样的元素 温度低：小于600，二氧化硅、氮化硅、光 刻胶、铝作为掩蔽层 横向扩展比扩散要小得多：几乎垂直射入 可以对化合物半导体进行掺杂 扩散扩散 VS. VS. 离子注入离子注入 链接链接

18、：硅栅：硅栅MOSMOS结构和自对准技结构和自对准技 术术 问题的提出：问题的提出： P N+ N+ Al P N+ N+ 铝栅铝栅MOSMOS结构结构 Al 沟道无法和源漏连上沟道无法和源漏连上 栅氧化层栅氧化层 ？ 考虑到光刻的对准误差，要求栅氧化层和栅金属电极均考虑到光刻的对准误差，要求栅氧化层和栅金属电极均 要与源漏有部分交叠。要与源漏有部分交叠。 寄生电容寄生电容 解决方法：硅栅自对准离子注入 采用多晶硅作为栅电极材料，在形成源漏区进 行扩散或离子注入时栅材料起到掩膜的作用，自动 地保证了栅金属与源漏区对准问题，此技术称为自自 对准工艺对准工艺 v对晶格的影响 离子与原子核碰撞级联碰

19、撞晶格 损伤 离子离子 损伤区损伤区 退 火 v退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有 的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过 程都可以称为退火。程都可以称为退火。 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到 晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流 子，起到杂质的作用子，起到杂质的作用 消除损伤消除损伤 v退火方式：退火方式： 炉退火炉退火 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束等快速退火：脉冲激光法、扫描电子束等 离子注入视频离子注入视频 薄膜制备：氧化工艺氧

20、化工艺 v目的：在硅及其他衬底上制备目的：在硅及其他衬底上制备SiOSiO2 2 层层 vSiOSiO2 2是一种十分理想的电绝缘材料，是一种十分理想的电绝缘材料， 它的化学性质非常稳定，室温下它它的化学性质非常稳定，室温下它 只与氢氟酸发生化学反应只与氢氟酸发生化学反应 硅衬底硅衬底 SiO2 氧化硅层的主要作用氧化硅层的主要作用 v在在MOSMOS电路中作为电路中作为MOSMOS器件的绝缘栅介质，器件器件的绝缘栅介质，器件 的组成部分的组成部分 v扩散时的掩蔽层，离子注入的扩散时的掩蔽层，离子注入的( (有时与光刻胶、有时与光刻胶、 SiSi3 3N N4 4层一起使用层一起使用) )阻挡

21、层阻挡层 v作为集成电路的隔离和绝缘介质材料作为集成电路的隔离和绝缘介质材料 v作为电容器的绝缘介质材料作为电容器的绝缘介质材料 v作为多层金属互连层之间的作为多层金属互连层之间的 介质材料介质材料 v作为对器件和电路进行钝化作为对器件和电路进行钝化 的钝化层材料的钝化层材料 SiOSiO2 2的制备方法的制备方法 v热氧化法：栅氧化层、场氧化层热氧化法：栅氧化层、场氧化层 干氧氧化：干氧氧化： 水蒸汽氧化：水蒸汽氧化： 湿氧氧化：湿氧氧化： 干氧湿氧干氧干氧湿氧干氧( (简称干湿干简称干湿干) )氧化法氧化法 氢氧合成氧化氢氧合成氧化 v化学气相淀积法：化学气相淀积法： 金属化的介质层和扩散

22、掩蔽层等。金属化的介质层和扩散掩蔽层等。 高温下，直接通入氧气。结构 致密，均匀性、重复性好、对 杂质扩散的掩蔽能力强、钝化 效果好， 与光刻胶附着好 与高温水蒸气发生反应，氧 化速度快，结构疏松，含水 量大，掩蔽能力差 氧化剂包含氧气和水汽，光 刻胶的附着性不是很好。 将高纯度的氧气和氢气 通入氧化炉中，反应生 成水，并汽化。 进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图 随着随着VLSIVLSI集成度的提高，集成度的提高，MOSMOS器件的栅氧器件的栅氧 化层厚度也随之减小。化层厚度也随之减小。 超薄栅氧化层质量的保证超薄栅氧化层质量的保证 氧化层越薄，漏电和栅氧击穿问

23、题越严重。氧化层越薄，漏电和栅氧击穿问题越严重。 高介电常数（高介电常数（HighHighK K）栅材料的开发）栅材料的开发 栅极漏电随着栅氧厚度的减少而指数增加，需栅极漏电随着栅氧厚度的减少而指数增加，需 采用高介电常数的栅材料。采用高介电常数的栅材料。 低介电常数（低介电常数（LowLowK K）栅材料的开发）栅材料的开发 用作布线金属层之间的绝缘介质材料，减小布用作布线金属层之间的绝缘介质材料，减小布 线电容。线电容。 v化学汽相淀积化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)(Chemical Vapor Deposition)： 将反应剂蒸气引入反应室，通过气态

24、物质的化学反将反应剂蒸气引入反应室，通过气态物质的化学反 应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 四乙氧基硅烷四乙氧基硅烷 硅烷热分解硅烷热分解 化学汽相淀积(CVD)分类 v常压化学汽相淀积(APCVD) v低压化学汽相淀积(LPCVD)：均匀性好， 台阶覆盖性好。 v等离子增强化学汽相淀积(PECVD)：增 加射频等离子能力，淀积温度低。 APCVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图 LPCVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图 平行板型平行板型PECVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图 化学汽相淀积(CVD)应用 v单晶硅的化学汽相淀积单晶硅的化学汽相淀

25、积( (外延外延) )：一般地，将在：一般地，将在 单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延，生 长有外延层的晶体片叫做外延片长有外延层的晶体片叫做外延片 v二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时二氧化硅的化学汽相淀积：可以作为金属化时 的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的的介质层，而且还可以作为离子注入或扩散的 掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物掩蔽膜，甚至还可以将掺磷、硼或砷的氧化物 用作扩散源用作扩散源 低温低温CVDCVD氧化层：低于氧化层：低于500500 中等温度淀积：中等温度淀积：500500800800 高温淀积：高温淀积：900

26、900左右左右 v多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶硅替代 金属铝作为金属铝作为MOSMOS器件的栅极是器件的栅极是MOSMOS集成电路集成电路 技术的重大突破之一，它比利用金属铝作技术的重大突破之一，它比利用金属铝作 为栅极的为栅极的MOSMOS器件性能得到很大提高，而且器件性能得到很大提高，而且 采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准 离子注入，使离子注入，使MOSMOS集成电路的集成度得到很集成电路的集成度得到很 大提高。大提高。 化学汽相淀积化学汽相淀积(CVD)(CVD)应用应用 由于氮化硅氧化速率极低：局域氧化的掩蔽

27、阻挡层。由于氮化硅氧化速率极低：局域氧化的掩蔽阻挡层。 对水和钠离子在氮化硅中的扩散系数很小：钝化层。对水和钠离子在氮化硅中的扩散系数很小：钝化层。 由于氮化硅膜介电常数大，所以可用于电容介质。由于氮化硅膜介电常数大，所以可用于电容介质。 物理气相淀积(PVD) v利用物理过程实现物质转移，原子或分子有利用物理过程实现物质转移，原子或分子有 源转移到衬底表面，淀积成薄膜。源转移到衬底表面，淀积成薄膜。 v作用：作用： 淀积金属薄膜，形成欧姆接触，实现接触和互淀积金属薄膜，形成欧姆接触，实现接触和互 连，连，Al连线。连线。 淀积其他薄膜，包括化合物薄膜。淀积其他薄膜，包括化合物薄膜。 v蒸发、

28、溅射蒸发、溅射 蒸蒸 发发 原原 理理 图图 应用：接触和互连应用：接触和互连 接触：自对准多晶硅接触：自对准多晶硅/ /硅化物结构（硅化物结构（salicidesalicide） 互连：多层互连、铜互连铜互连技术（二次互连：多层互连、铜互连铜互连技术（二次 镶嵌技术）镶嵌技术） 当金属作为电极从半导体中引出电流时，希当金属作为电极从半导体中引出电流时，希 望载流子在进出半导体时少受阻力。望载流子在进出半导体时少受阻力。 形成良好的欧姆接触。形成良好的欧姆接触。 金属和半导体接触金属和半导体接触 金属和轻掺杂半导体接触金属和轻掺杂半导体接触 互连金属化材料的要求：互连金属化材料的要求： 导电性

29、能好，引起的损耗小。导电性能好，引起的损耗小。 与半导体之间有良好的接触特性与半导体之间有良好的接触特性 性能稳定：金属化材料不和硅发生反应。性能稳定：金属化材料不和硅发生反应。 台阶覆盖性能好：防止台阶处金属化层变台阶覆盖性能好：防止台阶处金属化层变 薄甚至出现断条情况。薄甚至出现断条情况。 工艺相容：不改变已有器件的特性。工艺相容：不改变已有器件的特性。 集成电路工艺 v图形转换：图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电 子束光刻子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 v掺杂：掺杂： 离子注入离子注入 退火退火 扩散扩散

30、v薄膜制备：薄膜制备： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射：蒸发、溅射 集成电路中的晶体管与分立晶体管的主要区别集成电路中的晶体管与分立晶体管的主要区别 是集成电路中晶体管的所有电极都比须制作在集成是集成电路中晶体管的所有电极都比须制作在集成 电路芯片的表面，而且每个晶体管之间必须在电学电路芯片的表面，而且每个晶体管之间必须在电学 上相互隔离开，防止器件间的相互影响。上相互隔离开，防止器件间的相互影响。 隔离技术隔离技术 n常用的隔离技术：常用的隔离技术： pnpn结隔离、等平面氧化层隔离结隔离、等平面氧化层隔离( (场隔离）、场隔离）、 沟槽隔离、介质隔离等。沟槽隔离、介质隔离等。 n双极集成电路隔离工艺双极集成电路