课题一任务2二极管的检测和选用

1、任务任务2 2 二极管的检测和选用二极管的检测和选用学习目标学习目标 1.了解二极管的型号命名和主要参数2.能够正确选用二极管3.能正确完成二极管的检测（重点难（重点难点）点）4.掌握二极管的伏安特性（重点难点重点难点）1、什么是半导体及杂质半导体的分类、什么是半导体及杂质半导体的分类2、半导体有哪几种类型、半导体有哪几种类型3、PN结的概念及其导电特性是什么结的概念及其导电特性是什么复习回顾 一、二极管的命名方法序号序号功能功能 二极管二极管2材料材料如如2DW5表示序号为表示序号为5的由的由P型硅材料制成的稳压二极管型硅材料制成的稳压二极管。（ ） 二、二极管的伏安特性反向击穿反向击穿电压

2、电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+（）（） 正向特性正向特性 硅硅二极管的死区电压二极管的死区电压Uth=0.5 V左右，左右， 锗锗二极管的死区电压二极管的死区电压Uth=0.2 V左右。左右。 当当0uDUth时，正向电流为零，时，正向电流为零，Uth称为死称为死区电压或开启电压。区电压或开启电压。 当当uD0即处于正向特性区域。正向区又分为即处于正向特性区域。正向区又分为两段：两段： 当当uDUth时，开始出现正向电流，并按指数规时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。律增长。正向特性正向特性工作状态工作状态条件条件特点特点备注备注正向正向截止截止0uDUth正向电流为零正向

3、电流为零，硅管：硅管：Uth=0.5 V锗管：锗管：Uth=0.2 V正向正向导通导通uDUth开始出现正向开始出现正向电流，并按指电流，并按指数规律增长。数规律增长。硅管：硅管：UD(on)=0.7V锗管：锗管：UD(on)=0.3 V理想二极管导通时的管压降为理想二极管导通时的管压降为0（）（） 反向特性反向特性当当uD0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当当UBRuD0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流反向饱和电流I IS

4、 S 。当当uDUBR时，反向电流急剧增加，时，反向电流急剧增加，UBR称为称为反向击穿电压反向击穿电压 。工作状态工作状态 条件条件特点特点备注备注反向反向截止截止UBRuD0反向电流很反向电流很小，约为小，约为IS（反向饱和（反向饱和电流）电流）硅二极管的反向电硅二极管的反向电流一般在流一般在纳安纳安(nA)级；锗二极管在级；锗二极管在微微安安( A)级。级。反向反向击穿击穿uDUBR反向电流反向电流急剧增加。急剧增加。UBR：反向击穿电反向击穿电压压 反向特性反向特性三、二极管的主要参数 最大整流电流最大整流电流IF（最大正向电流最大正向电流）允许通过二极管的平均电流平均电流的最大值最大

5、值。2 最高反向工作电压最高反向工作电压UR（耐压值）（耐压值）允许加在二极管两端反向电压反向电压的最大值最大值。一般情况下UR=0.5UBR 3 反向饱和电流反向饱和电流IR在规定的反向电压和环境温度下的反向电流。IR越小，二极管单向导电性能越好，工作越稳定。IR对温度很敏感。4 最高工作频率最高工作频率fM二极管正常工作的上限频率四、正确选用二极管1.参数的选择参数的选择。 不超过二极管规定的最大额定值不超过二极管规定的最大额定值2.材料的选择材料的选择。 硅管受温度的影响较小，工作较为稳定，使用较多。硅管受温度的影响较小，工作较为稳定，使用较多。3.结面积大小的选择。结面积大小的选择。

6、点接触型允许通过的电流小，工作频率高；面接触型和点接触型允许通过的电流小，工作频率高；面接触型和平面型则相反。锗平面型则相反。锗点接触，硅点接触，硅面接触和平面型面接触和平面型4.用途的选择。用途的选择。5.替换原则替换原则：类型相同、特性相近、外形相似类型相同、特性相近、外形相似五、用万用表检测二极管的方法测得的正反向电阻一小一大，则二极管良好；测得测得的正反向电阻一小一大，则二极管良好；测得的阻值较小的一次黑表笔所接为正极的阻值较小的一次黑表笔所接为正极如果正向压降为如果正向压降为000，表示二极管内部短路，表示二极管内部短路硅管和锗管的区分：硅管和锗管的区分：测试二极管的正向电阻，可根据表头指针的偏转角度来进行判断若指针指示若指针指示 刻度中间偏右一点刻度中间偏右一点硅管硅管靠近靠近0的位置的位置锗管锗管1. 硅稳压二极管硅稳压二极管：工作在反向击穿区：工作在反向击穿区2. 发光二极管：工作在正向电压发光二极管：工作在正向电压3. 光电二极管：工作在反向电压，加反向电压，但光电二极管：工作在反向电压，加反向电压，但 无光线照射时，二极管不导通；受