第十三章化学气相沉积_第1页
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文档简介

1、生长设备分类闭管外延开管外延卧式立式桶式Ge+I22224 Ge+I 2GeIGeIGeGeI源区：沉积区：衬底Ge高温区低温区H2SiCl4SiHCl4242( )( )2( )( )( )2( )SiHgSi sHgGeHgGe sHg3 334()( )( )( )3( )CHGa gAsHgGaAs sCHg25 325 3226()( )()( )3( )( )6( )C HGa gC HP gHgGaP sC Hg42( )2( )( )4( )SiClgHgSi sHCl g442( )( )2( )( )8( )SiClgCClgHgSiC sHCl g242( )( )( )

2、GeIgGe sGeIg33( )2( )( )GaCl gGa lGaCl gHHHH2 ( )( )3 ( )( )A gB gC gD s32CDpABPKP PPA，PB，PC分别为A，B，C的分压；aD为D的活度424214( )4( )( )2( )SiClHpSiHClSi sHCl gSiClgHgPPKP323223( )3( )( )( )SiHClHpSiHClSi sHCl gSiHCl gHgPPKP222232( )2( )( )SiH ClpSiHClSi sHCl gSiH ClgPKP32234( )( )( )( )SiH ClpSiHClHSi sHgHC

3、l gSiHCl gPKPP222252( )2( )( )( )SiClHpSiHClSi sHCl gSiCl gHgPPKP422462( )2( )( )SiHpSiHSi sHgSiHgPKP2212ZnSeIZnISe2212ZnISeZnSeI 沉积参数反应室内的压力反应温度气体的流动速率气体通过晶片的路程气体的化学成份一种气体相对于另一种气体的比率反应的中间产品起的作用exp()kkEART111 *02ln()VrkTp p 为表面自由能；V为原子体积；P为气相中反应物的分压；P0为衬底上沉积物的平衡压力424222442342( )2( )( )4( )( )( )( )2( )2( )( )( )( )( )( )( )3( )( )( )3( )2SiClgHgSi sHCl gSiClgHgSiClgHCl gSiClgSi sSiClgSiClgHgSiHCl gHCl gSiClgHgSi sHCl g硅外延生长系统气路系统加热系统反应系统卧式反应室（水平反应室）立式反应室（竖直反应室）以分子形式附在硅表面：

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