电子电路中常用的元件PPT学习教案

1、会计学1电子电路中常用的元件电子电路中常用的元件2021年10月17日星期日第1页/共47页2021年10月17日星期日10-1.10-1.半导体的基本知识半导体的基本知识10-2.PN 10-2.PN 结结10-5.10-5.半导体三极管半导体三极管10-3.10-3.半导体二极管半导体二极管10-4.10-4.稳压二极管稳压二极管第2页/共47页2021年10月17日星期日 导电能力介于导体与绝缘体之间的物体，都是导电能力介于导体与绝缘体之间的物体，都是半导体。半导体。 如：硅、锗、硒、砷化镓以及大多数金属氧化如：硅、锗、硒、砷化镓以及大多数金属氧化物和硫化物等都是半导体。物和硫化物等都是

2、半导体。第3页/共47页2021年10月17日星期日用得最多的半导体是锗和硅。用得最多的半导体是锗和硅。8218 4+32+14第4页/共47页2021年10月17日星期日第5页/共47页2021年10月17日星期日第6页/共47页2021年10月17日星期日电子电流电子电流空穴电流空穴电流电子和空电子和空穴称为载穴称为载流子流子第7页/共47页2021年10月17日星期日特点：两种载流子导电，特点：两种载流子导电， 导电能力加强。导电能力加强。第8页/共47页2021年10月17日星期日特点：两种载流子导电，特点：两种载流子导电， 导电能力加强。导电能力加强。第9页/共47页2021年10月

3、17日星期日第10页/共47页2021年10月17日星期日第11页/共47页2021年10月17日星期日n46n电击穿第12页/共47页2021年10月17日星期日1、点接触型、点接触型2、面接触型、面接触型3、符号、符号 第13页/共47页2021年10月17日星期日第14页/共47页2021年10月17日星期日第15页/共47页2021年10月17日星期日第16页/共47页2021年10月17日星期日例：电路如图所示，已知例：电路如图所示，已知E=5V，ui=10sint V，二极管的正向压降可忽略不计，试画出二极管的正向压降可忽略不计，试画出uo的波的波形形RDEu0ui0tuiu0解：

4、解：第17页/共47页2021年10月17日星期日U(V)0.400.8-8-4I (mA)204010-20-1030-12反向正向第18页/共47页2021年10月17日星期日U iRU oR LU(V)0.400.8-8-4I (mA)204010-20-1030-12反向正向第19页/共47页2021年10月17日星期日U(V)0I (mA)反向正向第20页/共47页2021年10月17日星期日3、动态电阻、动态电阻rZ 稳压管子端电压和通过其电稳压管子端电压和通过其电流的变化量之比。流的变化量之比。稳压管的反向稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，

5、稳压效果越好。越小，稳压效果越好。ZZZIUr maxZZZMIUPU(V)0I (mA)反向正向第21页/共47页2021年10月17日星期日V3 .1111)2050(100095. 0110V6UV6U0V6UUZUZUZ很小因此选用6V左右的稳压管，具有较好的温度稳定性。第22页/共47页2021年10月17日星期日 半导体半导体三极管三极管(晶体管晶体管)是最重要的一种半导体是最重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。器件。广泛应用于各种电子电路中。第23页/共47页2021年10月17日星期日N型硅型硅P型型N型型二氧化硅保护膜CBE平面型结构N型锗铟球铟球P型P型CEB合

6、金型结构NPP发射区发射区集电区集电区基区基区发射结发射结集电结集电结CBEBECBECNNP发射结发射结集电结集电结集电区集电区基区基区CBE发射区发射区第24页/共47页2021年10月17日星期日 发射区浓度高发射区浓度高 基区薄而且浓度低基区薄而且浓度低 集电区面积大集电区面积大第25页/共47页2021年10月17日星期日uAmAmA第26页/共47页2021年10月17日星期日uAmAmA第27页/共47页2021年10月17日星期日(1). BCEIII IC(或IE)比IB大得多，(如表中第三、四列数据)5.3704.050.1BCII3.38064.030.2BCII0.00

7、1 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05IE(mA)0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IC(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IB(mA)第28页/共47页2021年10月17日星期日4002.080.004.006.05.130.2IIBC0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05IE(mA)0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IC(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IB(mA)第29页/共47页2021年10月17日星期日第30页/共47页2021年10月17

8、日星期日1、发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子 放大作用的内部条件放大作用的内部条件： 2、电子在基区的扩散和复合电子在基区的扩散和复合第31页/共47页2021年10月17日星期日3、集电区收集扩散电子集电区收集扩散电子BCCBOBCBOCBECEIIIIIIII第32页/共47页2021年10月17日星期日0BEU0CEUBECEUU0BEU0CEUBECEUU第33页/共47页2021年10月17日星期日第34页/共47页2021年10月17日星期日第35页/共47页2021年10月17日星期日AVmAVECRBIBUCEUBEICEB第36页/共47页2021年10月17日星期日00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1V第37页/共47页2021年10月17日星期日第38页/共47页2021年10月17日星期日BCII第39页/共47页2021年10月17日星期日正偏反偏反偏集电结集电结正偏正偏反偏发射结发射结饱和饱和放大放大截止截止第40页/共47页2021年10月17日星期日第