模拟电字技术基础赵进全1.4

1、上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1.4 特种二极管特种二极管1.4.1 硅稳压二极管硅稳压二极管特点特点a. 正向特性与普通管类似正向特性与普通管类似稳压管稳压管通常工作于通常工作于反向电击穿状态反向电击穿状态伏安特性伏安特性+ +izuzuzqbaouziziz uz iz符号符号b. 反向击穿特性很陡反向击穿特性很陡上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1. 硅稳压管的主要电参数硅稳压管的主要电参数(1) 稳定电压稳定电压uzzzziur (2) 动态电阻动态电阻(3) 最大允许工作电流最大允许工作电流izm(4) 最大允许功率耗散最大允许功率耗散

2、pzmu (5) 温度系数温度系数uzqbaouziziz uz iz上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础温度每变化温度每变化1 c时时uz的相对变化率。即的相对变化率。即%100zz tuuu uz 6v管子出现雪崩击穿，管子出现雪崩击穿，u 为正；为正；uz 4v 出现齐纳击穿，出现齐纳击穿，u 为负为负; ;4v uz 03u=0u0)ll pn+上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础pn结变宽结变宽空间电荷层中空间电荷层中的电荷量增大的电荷量增大b. 当当pn结正向偏置电压降低时结正向偏置电压降低时可见，空间电荷量随着可见，空间电荷量随着pn结偏置

3、电压的变化而变化。结偏置电压的变化而变化。这种电容效应用势垒电容这种电容效应用势垒电容cb表征。表征。u- u ( u0)ll pn+上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础小结小结pn结结电容结结电容cjcj = cd + cb 当当pn结正偏时结正偏时djcc bdcc 当当pn结反偏时结反偏时bjcc dbcc 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础变容二极管的特点变容二极管的特点b. 电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。a. 当二极管反向偏置时，因反向电阻很大，可当二极管反向偏置时，因反向电阻很大，可作电容使用。

4、作电容使用。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础变容二极管的符号及变容二极管的符号及cu 特性曲线特性曲线符号符号202406080100046810 12/vdu/pfcudccu 特性曲线特性曲线上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 变容二极管及其应用示例变容二极管及其应用示例谐振频率谐振频率lcf21 j1j1ccccc 式中式中高高频频放放大大器器lc1dcr+v+udu1上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础由于由于j1cc jj1j1cccccc j21lcf 故谐振频率故谐振频率高高频频放放大大器器lc1dcr+v+udu1上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础思思 考考 题题1. 在图示稳压电路中，输出电压稳定的条件是什么？在图示稳压电路中，输出电压稳定的条件是什么？2. 在