电子技术()暑假作业

1、暑假练习题一、填空1.二极管反向饱和电流IR会随着温度的升高而_。2.二极管的主要参数包括反映正向特性的_和反映反向特性的_。3.射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数_，电压跟随性好，输入阻抗_，输出阻抗_，而且具有一定的_放大能力和功率放大能力。4.三极管起放大作用的外部条件是_、_。5.某放大器由三级组成，每级的电压增益为15dB，则放大器的总增益是_。6.当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_V，锗二极管的正向压降为_V。7.稳压管工作在_区。8、常用半导体材料是 和 ，其原子核最外层均有 个价电子。9、PN结最主要的特性是 。10、三级管的三个电极分别叫做 、 和 ，其实现电流放

2、大作用条件 。11、画出三极管符号，NPN型 、PNP型 。12、二极管实质上就是一个 ，P区引出端叫 ，N区引出端叫 ，其文字符号为 ，图形符号为 。13、多级放大器的级与级之间耦合方式有 、 和 。14、三极管输出特性曲线可划分为 区、 区和 区。15、硅管死区电压是 V，正向导通压降是 V。16、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。17、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。18、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。19、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。20、当温度升高时，三极管的等电极电流I

3、（ ），发射结压降UBE（ ）。21、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。22、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。23.已知三极管的=99，若Ib=10A, 则该管的Ic=_，Ie=_。24.在实际使用二极管时，主要考虑的参数有_、_。25.放大器的放大能力常用_表示，它包括_、_和_。放大倍数用分贝表示叫做_。26.某交流放大器的输入电压为100 mV，输出电压为1V，则放大器的增益为_。1.放大器的主要功能就是 不失真地放大。27.放大器按用途不同可分为 、 、和 ，按信号频率高低可分为 、 、和 。28.放大器的静态是指 为零时的工作状态；当有输

4、入信号时，电路中的电压、电流都随输入信号作相应变化，称为 。29表征放大器静态工作点的参数主要指 、 、和 。30.多级放大器的级间耦合方式有_、_、_和_等四种。31.放大器的频率响应，指放大器的_和信号_之间的关系，也称为放大器的_。32某二级放大器，Au1=100,Au2=1000,则总的放大倍数Au=_，总的电压增益Gu=_.33.多级放大器与单级放大器相比，电压增益教_，通频带较_。34.直流放大器的级间耦合，可采用变压器耦合。（ ）35.多级放大器的级数越多，电压放大倍数越大，通频带越宽。36.两级阻容耦合放大器的通频带，比组成它的单级放大器通频带宽。37、放大器与负载之间要做到阻

5、抗匹配，应采用（ ）耦合。A.阻容 B.变压器 C.直接38.阻容耦合放大器（ ）A.只能传递直流信号 B. 只能传递交流信号 C.交直流信号都能传递39.直接耦合放大器只能传递（ ）A.只能传递直流信号 B.只能传递交流信号 C.交直流信号都能传递40、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止41、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E）

6、 C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）42、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ ）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真43、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小44温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。45.一个多级放大器的电压放大倍数为1000，则GV= ，如果功率放大倍数为1000，则GP= 。46.在放大器中，总希望放大器的输入电阻 一些，原因是 ，总希望放大器的输出电阻 _一些，原因

7、是 。47.整流电路的负载若出现短路，将使 或 烧毁。48.整流电路的主要类型有 、 、 。49.滤波器可将输入的 变为较平滑的直流电。50.电容滤波适用于负载电流 的场合。51.电容滤波器的负载电阻越 ，滤波电容的容量越 ，滤波效果越好。52.稳压二极管工作在 区，发光二极管工作在 区，光电二极管工作在 区，整流二极管工作在 区。53.电容滤波器中电容与负载关系是 。（串、并）54.发光二极管发光时，其正向压降一般在 之间。55.光电二极管是将 能转换成 能。如图所示，已知RB=100K，RC=4K，三极管的电流放大系数为50。则该三极管作在 状态。 56. 晶体管反相器电路如上图，已知R1

8、=15K，R2=50K，RC=2K，=100，VCC=12V，VBB=6V，三极管导通时，VBE=0.7V，当输入信号VI为6V时，三极管的工作状态是（ ）57. 场效应管是 控制器件，它利用 所产生的电场效应改变导电沟道的宽窄从而控制漏极电流，用万用表判断场效应管的电极时，用欧姆档测出正反向电阻比较接近的两个电极应为 。58. 在桥式整流电路中，变压器次级输出电压的有效值为10V，如果只有电容器C开路，则输出电压VO= V，如果只有VD1开路，则输出电压VO= V。59、常用半导体材料是 和 ，其原子核最外层均有_ 个价电子。60、N型半导体中空穴为_载流子，自由电子为_载流子。61、晶体三

9、极管的三个电极分别称为 极、 极和 极，它们分别用字母 、 和 表示。62、由晶体三极管的输出特性可知，它可分为 区、 区和 _区三个区域。63、硅晶体三极管发射结的导通电压约为 ，锗晶体管发射结导通电压约为 。64、PN结最主要的特性是 。65、三极管放大电路共有_ _ 和_三种组态放大电路。66、PN结具有_导电性，其导电的方向是从_到_。67、点接触型二极管适用于_，而面接触型二极管适用于_。68、自然界物质按其导电能力可分三大类，分别是_、 _和_。69场效应管属于 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 控制型器件。70、空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称

10、为P型半导体。71、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ ）反之称为（ ）72、由漂移形成的电流是反向电流，它由（ ）栽流子形成，其大小决定于（ ），而与外电场（ ）。73、稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ ）偏置状态。74、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（ ）控制元件。75、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（ ）所以Ic也（ ) 。76当温度升高时，双极性三极管的将 ，反向饱和电流ICEO 正向结压降UBE 。77、自由电子为（ ）载流子，空穴为（ ）载流子的杂质半导体称为（ ）半导体。78、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（

11、），反偏时（ ）。79、扩展运动形成的电流是（ ）电流，漂移运动形成的电流是（ ）。80、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成开断。81、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（ ）控制文件。82、当温度升高时三极管的集电极电流IC（ ），电流放大系数（）83、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ ）。84三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为 和 ；饱和区，偏置为 和 ；截止区，偏置为 和 。85、硅二极管的死区电压约为 伏，而锗二极管的死区电压约为 伏。86、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为 和 两种类

12、型。87、在栅源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为_型场效应管。88、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则三个管脚分别为 极、_极和_极。89、在P型半导体中，_为多数载流子，而在N型半导体中，_为多数载流子。90、二极管由一个PN结构成，其特性是_，即给P区加_电位，N区加_电位时，二极管就导通。它的电压和电流不成正比，所以它是一种 元件。91、100 mA = A；1 A = A。92三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_失真。93三极管输入等效电阻rbe与静态工作点_关。94共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位_。95.当温度升高

13、时，半导体二极管的IRM将_。96.某放大状态的晶体三极管，当IB=20A时，IC=1mA，当IB=60A时，IC=3mA。则该管的电流放大系数值为_。97.开启电压UGS(th)0的是_场效应管。98.在三种基本组态的晶体三极管放大电路中，具有电压放大作用，且u0与ui同相关系的是_放大电路。99、在半导体中，有( )和( )两种载流子导电。100、在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成( )型半导体，如掺入五价元素，就会形成( )型半导体。101、在P型半导体中，( )为多数载流子，而在N型半导体中，( )为多数载流子。102、PN结具有( )导电性，其导电的方向是从( )到( )。103

14、、点接触型二极管适用于( )，而面接触型二极管适用于( )。104、将交流电变成单方向直流电的过程，称( )。105、单相桥式整流电路，输出侧直流电压是交流电压有效值的( )倍。106、硅二极管的死区电压约为( )伏，而锗二极管的死区电压约为( )伏。107、在交流放大电路中，当三极管的( )正向偏置，而( )反向偏置时，三极管具有电流放大作用。108、滤波电路的主要作用是( )，使输出的直流电压波形较( )。109、在单相半波整流电路中，若交流电压为10伏，输出的直流电压约为( )伏，二极管承受的最高反向电压约为( )伏。110、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，

15、则三个管脚分别为( )极、( )极和( )极。111、已知某三极管放大电路的IB=10A，IC=1mA，则该管的电流放大系数约为( )。112、在交流放大电路中，测得UCE值近似等于电源电压，集电极电流IC0，则该管处于( )状态。113、二极管由一个PN结构成，其特性是_，即给P区加_电位，N区加_电位时，二极管就导通。它的电压和电流不成正比，所以它是一种_元件。114、本征半导体是_ ，其载流子是 _ 和 _。载流子的浓度 _。 115、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 _ ，而少数载流子的浓度则与_有很大关系。116、漂移电流是_在 _ 作用下形成的。117、二极管的最主要特征

16、是 _，它的两个主要参数是 _和_。118、双极型晶体管可以分成_和_两种类型，它们工作时有_和 _ 两种载流子参与导电。119、场效应管从结构上分成 _和 _两种类型，它的导电过程仅仅取决于_载流子的流动；因而它又称做 _器件。120、场效应管属于_ 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是_控制型器件。121、三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为 _ 和 _；饱和区，偏置为 _和_；截止区，偏置为_ 和_。122、温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将_，输出特性曲线将_，而且输出特性曲线之间的间隔将_。123、要使三极管具有放大电流的作用，必须满足的外部条件是_和_。124、当温

17、度升高时，半导体二极管的IRM将_。125、某放大状态的晶体三极管，当IB=20A时，IC=1mA，当IB=60A时，IC=3mA。则该管的电流放大系数值为_。126、开启电压UGS(th)0的是_场效应管。127、根据三极管结构的不同，有NPN和_两种。128、PN结的基本特性是_。129、在本征半导体中掺入三价杂质原子，形成_型半导体。130、电容滤波电路中，滤波电容容量越大时，其滤波效果_。131、半导体内的载流子越多，导电能力越_。132、NPN型晶体三极管，发射结正偏时，应是发射极电位比基极电位_。133、开启电压UGS（th）0的是_场效应管。134、单相桥式整流电路输出平均电压为

18、36V，负载RL=36，则流过整流二极管的平均电流为_A。135、在P型半导体中，_是少数载流子。136、当温度升高时，双极性三极管的将 _，反向饱和电流ICEO _正向结压降UBE_。137、 三极管内部电流分配关系是_，ICEO和ICBO之间的关系是_。138、三极管的输出特性曲线反映的是_和_关系的曲线，输出特性曲线可分为_、_、_三个区。139、P型半导体中 是多数载流子, 是少数载流子。140、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。141、晶体三极管工作在 区时,关系式IC=IB才成立,而工作在 区时,IC=0。142、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。

19、143、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。144、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。145、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。146、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。147、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ ），发射结压降UBE（ ）。148、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。149、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。150、多级放大器中，前级是后级的 ，后级是前级的 。151、 某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100 mA，V（

20、BR）CEO=30V 若它的 工作电压VCE=10V，则工作电流不得超过_，若它的工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过_，则工作电流IC=10 mA，则工作电压不得超过_。152、在交流放大电路中，如果测得IC，而UCE0，则该管处于( )状态。153、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为( )和( )两种类型。154、在栅源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为( )型场效应管。二判断1.电容滤波适用于负载经常变换的场合。（ ）2桥式整流电路中的一个二极管接反时,电路将变成半波整流电路.( )3单级共射极放大电路具有放大和反相作用.( )4射极输出器对电流,电压及功

21、率均有放大作用.( )5.电感滤波电路的输出波形比较好（与电容滤波比较）。（ ）6.整流电路加上电容滤波电路后二极管的导通时间变长。（ ）7、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）8、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）9、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）10、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）11、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）12、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）13.少数载流子是自由电子的半导体称为P

22、型半导体。（ ）14.晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以E极和C极可以互换使用。（ ）15.当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（ ） 16.三极管的主要参数有最大整流电流和反向击穿电压。（ ）17.在单相半波整流电路中，VO=0.45V2。（ ）18.光电二极管PN结只能加反偏电压。（ ）19.温度升高二极管的反向饱和电流将增大。（ ）20.多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。（ ）21.三极管在放大区具有恒流特性。（ ）22.光电二极管有光线照射时，反向电阻增大。（ ）23.稳压管的伏安特性与普通二极管相比较，其

23、反向击穿区曲线变得平缓。（ ）24.在稳定电压变化量相同的情况下，动态电阻越大越好。（ ）25.与半波相比较，全波的脉动性变小，即纹波系数变大。（ ）26.整流电路中变压器的作用是使交流电变成单向脉动电。（ ）27.稳压管与负载的关系是反向串联。（ ）28、无论是P型还是N型半导体，它们整个晶体仍是中性的，对外不显示电性。( )29、NPN、PNP二种结构形式的三极管，它们对电源的极性要求相反，因此它们各电极中的电流方向也不同。( )30、对于耗尽型绝缘栅场效应管，只有当栅源极之间加正向电压即UGS0时，才存在导电沟道。( )31、对于耗尽型绝缘栅场效应管，不论栅源电压UGS为正，还是为负或零

24、，都能起到控制电流ID的作用。( )32、N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。（ ）33.稳压管正常工作时属于热击穿而不是电击穿。（ ）34.发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态。（ ）35.多级放大电路的输出电阻主要取决于第一级电路。（ ）36.在整流电路中，已知输入电压为20V，带负载时的输出电压为24V，则电路形式为全波整流电感滤波。（ ）37、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（ ）38、P型半导体中，空穴是多数载流子，因此P型半导体带正电。( )39、当PN结的P区接电源的负极，而N区接电源的正极，PN结就会导通。( )40、一般情况下，硅二极管导通后的正向压降

25、比锗二极管的要小。( )41、二极管加反向电压时，电压过高会被击穿。（ ）42.晶体三极管具有能量放大作用。（ ）三选择1.在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V， -9.3V，则这只三极管是（ ） A.NPN型硅管 B. NPN型锗管 C. PNP型硅管 D. PNP型锗管2.稳压二极管工作在伏安特性曲线的（ ） A.死区 B.正向导通区 C.反向截止区 D.反向击穿区3.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ） A. NPN管的发射极 B.PNP管的发射极 C. PNP管的集电极 4.NPN三极管放大偏置 B.集电极为正向偏置 C.始终工作在放大区5.电路

26、如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压UAB为（ ） A.-3V B.5V器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（） A.发射极为反向C.8V D.-8V 6.3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=30V，如果将它接在IC=15 mA, UCE=20V的电路中，则该管（ ）A.被击穿 B.正常工作 C.功耗太大过热甚至烧坏7.二极管两端加上正向电压时（ ） A.一定导通 B.超过死区电压才能导通 C. 超过0.7V才能导通 D.超过0.3V才能导通8.若某一单相桥式整流电路中有一只二极管短路，则（ ） A.VO会升高 B.V

27、O会降低 C.VO不变 D.不能正常工作9.射极输出器是一种（ ）电路 A.共发射极 B.共集电极 C.共基极10.测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（ ） A. B C D3.5V 2.8V 12V 3V 2.7V 12V 6V 11.3V 12V 6V 11.7 12V11、单相桥式整流电路，变压器二次电压V2=10V，负载电阻为100，流过二极管的电流IV为（ ） A.90mA B.45mA C.22.5mA D.100mA12、三极管的=99，反向饱和电流ICBO=5A，则穿透电流ICEO=( ) A.500A B.5A C.100A D. 495A

28、13、当温度不变，PN结的反向电压增大时，将导致（ ）。 A.空间电荷区不变，反向电流减小 B.空间电荷区变窄，反向电流减小 C.空间电荷区变宽，反向电流不变 D.空间电荷区不变，反向电流不变14、有四只晶体二极管，除了和ICEO不同外，其他参数都相同，用作放大器件时，应选用（ ） A.=99 ICEO=0.5 mA B.=140 ICEO=2.5 mA C.=10 ICEO=0.5 mA D.=50 ICEO=2.5 mA15、组成整流电路是利用二极管的（ ） A.正向特性 B.反向特性 C.反向击穿特性 D.单向导电性16晶体三极管工作在饱和状态时，满足（ ）A. 发射结、集电结均正偏 B

29、. 发射结、集电结均反偏C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏17共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是（ ）A. 相位差0 B. 相位差为90 C. 相位差为180 D. 相位差为27018.二极管伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线。A.VDID B.VDRD C.IDRD D.FID19.NPN型三极管处在放大状态时是( )A.UBE0, UBC0, UBC0C.UBE0, UBC0 D.UBE020、在NPN型放大电路中，若b极和e极短路，则（ ）A、晶体管将深度饱和 B、截止 C、集电结将是正偏21、画放大器交流通路时，电容应视为（ ）A、短路 B、

30、开路 C、不变22、在三极管的放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ）A、NPN管的发射极 B、PNP管的发射极 C、PNP管的集电极 D、NPN管的基极23、三极管放大器中，各级的功率增益为：-3dB，25dB和30dB，则总功率增益为（ ）A、52dB B、47dB c、-180dB D、-2250dB24、在三极管的放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ）A、NPN管的发射极 B、PNP管的发射极 C、PNP管的集电极 D、NPN管的基极25、三极管放大器中，各级的功率增益为：-3dB，25dB和30dB，则总功率增益为（ ）A、52dB B、47dB c、-180dB D、-2250d

31、B26.一个两极电压放大电路，工作时测得AV1=-20，AV2=-40，则总电压放大倍数为（ ）。A.-60 B.60 C.800 D.-80027、三极管的=99，反向饱和电流ICBO=5A，则它的穿透电流ICEO=（ ）。 A.500A B.45mA C.22.5 Ma D.100 mA28.如图所示电路处于饱和状态，要使放大电路恢复成放大状态，应采用（ ）方法。A.增大RB B.减小RB C. 增大RC D.减小RC29.当环境温度升高时，基本放大电路的静态工作点将（ ）。 A.升高 B.降低 C.由偏置电路决定 D.不变30.如图电路，如果测得VC=VCC，VB=VE=0，则该电路可能

32、发生的故障是（ ）。 A.RB1开路 .B. RB2开路 C. RC开路 D. RE开路 31.某三极管的PCM=100mW，ICM=20 mA，V（BR）CEO=30V，如果将它接在IC=15 mA，VCE=20V的电路中，则该管（ ）。 A.被击穿 B正常工作 C.功耗太大过热甚至烧坏32.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ）。A.NPN管的发射极 . B. PNP管的发射极 C. PNP管的集电极33.NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则（ ）。 A.基极电流不变 B.集电极对发射极电压VCE下降 C. 集电极对发射极电压VCE上升34、PN结加正向电压时，空间电

33、荷区将 。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽35、稳压管的稳压区是其工作在 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿36、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏37、UGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管38、在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。A. 五价 B. 四价 C. 三价39、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。A. 增大 B. 不变 C. 减小40、工作在放大区的某三极管，如果当I

34、B从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。A. 83 B. 91 C. 10041、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。A.增大 B.不变 C.减小42、如图所示电路，输出的稳压值为（ ） A.1.4V B.1V C.11V D.-11V43、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V， -9.3V，则这只三极管是（ ） A.NPN型硅管 B. NPN型锗管 C. PNP型硅管 D. PNP型锗管44、稳压二极管工作在伏安特性曲线的（ ） A.死区 B.正向导通区 C.反向截止区 D.反向击穿区45、在三极管放大

35、电路中，三极管最高电位的一端是（ ） A. NPN管的发射极 B.PNP管的发射极 C. PNP管的集电极 46、电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压UAB为（ ） A.-3V B.5V C.8V D.-8V 47、二极管两端加上正向电压时（ ） A.一定导通 B.超过死区电压才能导通 C. 超过0.7V才能导通 D.超过0.3V才能导通48.由NPN型管组成的共射放大电路，输入ui为正弦波，输出u0为 波形，则该电路产生了( )A.频率失真 B.交越失真C.截止失真 D.饱和失真49.两级放大电路，考虑到级间的相互影响后，|Au1|=100,|Au2|=1000，则两

36、级总的电压放大倍数用分贝表示为( )A.60dB B.80dBC.100dB D.120dB50.某电路中的三极管符号如题3图所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是（ ）A.放大状态 B.截止状态C.饱和状态 D.状态不能确定51三极管输入电阻rbe的计算公式是（）Arbe=300+Brbe=300+(1+)Crbe=300+Drbe=300+（1+）52、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN）53、共射极放大电路的交流输出波形上

37、半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率54、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.255题15图所示电路中，已知VCC=12V，RC=3k，晶体管=50，且忽略UBE，若要使静态时UCE=6V，则RB应取（ ）A200kB300kC360kD600k56射极输出器的特点是（）A输入电阻高、输出电阻低B输入电阻高、输出电阻高C输入电阻低、输出电阻低D输入电阻低、输出电阻高57.半波整流二极管的负载上直流电压为18V，则二极管承受的最高反向电压是 。 A.20V B.40V C.28.28V D

38、.56.56 58. 三极管组成的放大电路中，没有电压放大作用的是（ ）A 共射极放大电路 B 共集电极放大电路C 共基极放大电路 D 共集电极放大电路和共基极放大电路59.半波整流电路中，若ID =2MA，则流过负载的电流是 。A.2MA B.1MA C.4MA D.0.5MA60.在桥式整流电路中，若有一只二极管脱焊，则电路会 。A.可能烧毁元气件 B.输出电流变大 C.电流变为半波整流 D.输出电流为零61.在滤波电路中，滤波效果最好的电路是 。A.电容滤波 B.电感滤波 C.RC滤波 D .LC滤波62.在桥式整流电路中，变压器二次侧电压V2=20V，二极管承受的最高反向电压是 。A.

39、20V B.28V C.24V D.56V63.整流电路中电压经滤波之后 。A.变为正弦波 B.变的更加平滑 C.变的更加平稳 D.变的频率更高64.桥式整流电容滤波电路中，VO=30V，若电容短开，则输出电压为 。A.36V B.22.5V C.33.3V D.11.25V65.半波整流电路中，负载电阻并联一只电容后，电路的输出电压将 。A.升高 B.降低 C.不变 D.变化不定66.桥式整流电路中，若负载电流ID=1.2A，则流过每只二极管电流为 。A.0.6A B.1.2A C.2.4A D.0.3A67.有一整流电路，当V2=10V时，其VO=4.5V，则此时整流电路为 。A.半波整流

40、 B.全波整流 C.桥式整流68.在桥式整流电容滤波电路中，变压器二次侧电压V2=20V，二极管承受的最高反向电压是 。A.20V B.28V C.24V D.56V69.在稳压电路中，稳压二极管与负载关系是 。A.反向并联 B.反向串联 C.正向并联 D.正向串联70.在电容滤波电路中，若变压器二次电压V2=10V，则电容的耐压值为 。A.14V B.28.28V C.12V D.10V71.在桥式整流电容滤波电路中，电容的耐压值为28V，则有一只二极管虚焊，则电容的耐压值为 。A.28V B.14V C.56V D.7V72.场效应管的线形放大区是A 可调电阻区B 饱和区D 击穿区73.对

41、某处于放大状态的三极管各电极测试对地电位如图所示，下面对管型，管脚电极，材料正确的判断是 A NPN型硅管 1E、2B、3C B NPN型锗管1C，2B，3EC PNP型硅管1B，2C，3E D PNP型锗管1E，2B，3C74、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是A 三极管把小能力放大成大能量B 三极管把小电流放大成大电流C 三极管把小电压放大成大电压D 三极管用较小的电流控制较大电流75当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将( )。 A减小 B 增大 C不变 76.晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ic将( )。 A随IB增加而增加 B随IB增加而减小 C 与IB无关，只决定于Re和v

42、G77.当硅晶体二极管加上0.3v正向电压时，该晶体二极管相当于( )。 A小阻值电路 B阻值很大的电阻 C内部短路78.当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于( )。 A大电阻 B断开的开关 c接通的开关79.晶体二极管的正极电位是10v，负极电位是-5v，则该晶体二极管处于( )。 A零偏 B反偏 C正偏80.单相半波的输出平均值为2.25V，求它的电源电压次级电压是 A5VB 3V C 6VD 881.单相全波电路中V2=20，RL=10K则二极管电流是A 0.9MAB 0.45C 2MAD 1MA82.在桥式整流电路中，如果一只二

43、极管虚焊则会出现A 半波整流 B 二极管击穿 C 正常工作D全波整流 83.下列说法正确的是A.单相半波整流电路输出电压小，带负载能力大B.电感滤波电路输出直流较小，带负载能力大。C.LC型滤波电路负载能力强，但滤波时直流电压损耗大。D.型滤波电路适合负载较轻，对直流稳压度要求较高的场合。84.变压器中心抽头式全波整流电路中每个二极管承受的反向峰值电压为（ ）AV2 B V2C 2*1.4V2D 2V285.某单相桥式整流电路中有一只整流二极管断路则AVO会升高 B VO会降低 C不能工作D仍可工作86.在安装变压器中心抽头式全波整流电路时，若将其中一只二极管接反了则 A VO=0B VO=0

44、.9V2 C电路正常工作 D两只二极管都有可能被烧坏87.在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出电压为60V，则变压器的次级电压应为A.50VB.60VC.72V D.27V88. 如图所示电路，设二极管的正向压降为0.7V，则电路中O点的电位是（ ）A.3V B.2.3V C.-6V D.-0.7V39. 如图所示的电路中，设二极管是理想的，则A.O两点之间的电压VAO是（ ）40.稳压二极管工作在伏安特性的（ ）、A 死区 B 正向导通区 C 反向截止区 D 反向击穿区41.将脉动直流电变成平滑直流电的过程，称为（ ）A 整流 B 稳压 C 调压 D 滤波42. 单相全波整流电路，电源变压器次级电压V2=10V，负载电阻为100，流过二极管的电流IV是（ ）A、90mA； B、45mA； C、22.5mA； D、100mA43. N沟道增强型绝缘场效应管的电路符号为（ ） 44.桥式整流电路中，若有一只二极管开路，则造成电路（ ）