SEPIC电路分析PPT课件

1、主要内容主要内容1、理想情况下的电路分析、理想情况下的电路分析2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析3、器件的选择、器件的选择4、损耗的计算、损耗的计算5、电路效率的计算、电路效率的计算第1页/共17页1、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析图1 理想情况下SEPIC电路第2页/共17页1、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析图2 当MOSFET导通时电路回路方程：RViIiVVVVOCCCLgL221121MOSFET开通时电路第3页/共17页1、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析图3 MOSFET关断时电路图回路方程：RVIIiIiVVVVVVOCCOLOCgL212112

2、101MOSFET关断时电路第4页/共17页电感伏秒平衡方程电感伏秒平衡方程0)(1CoggVVVDDV0)(1oCVDDVgCVV1gOVDDV1电容充放电平衡方程012IDDI0)(21RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo21、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析第5页/共17页2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析图4 实际情况下的电路第6页/共17页MOSFET导通时实际电路导通时实际电路图5 当MOSFET导通时实际电路 QLgLRIIRIVV)(21111122212)(CLQLVRIRIIV21IiCRViC2 回路方程： 2、实际情况下的电路分析、实际情况下的

3、电路分析第7页/共17页图6 MOSFET关断时电路图ODDLgLVVRIIVRIVV)(21111122212)(LDDLRIRIIVVV11IiCRVIIiC212MOSFET关断时实际电路2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析回路方程：第8页/共17页电感伏秒平衡方程电感伏秒平衡方程电容充放电平衡方程012IDDI0)(21RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo22、实际情况下电路分析、实际情况下电路分析111211112()()0gLQgLcDDOD VI RIIRD VI RVIIRVV1222112221()()0LCDDLDIIRI RVD VVIIRI Rc)()

4、()()(2221DDDDRRDRRDRRDDRDDRDDRVVDDDDVVVDMLQDLgDggO第9页/共17页3、器件的选择、器件的选择1） 电感的选择 确定电感的规则是，在最小输入电压时使得纹波电流的大小约为稳定值得30%。电感L1的纹波电流：dtdVLVLg11sgLDTLVi112得 %3011Ii)1 (3 . 021DITVLOSg 同理可得L2的值DITVLLoS3 . 02012第10页/共17页3、器件的选择、器件的选择2） 电容的选择 确定电容的规则是，在最小输入电压时使得纹波电压的大小约为稳定值得5%。211IdtdUCCsCTDCIUmax121电容C1的纹波电压：

5、%511CCUUgSVDTIC1 . 021同理可得C2的值oSoVDTIC1 . 01第11页/共17页3、器件的选择、器件的选择3） 功率MOSFET的选择 流过开关管的最大电流值)(2)(1)(peakpeakpeakQIII11)(1LpeakiII22)(2LpeakiII其中承受到最大反向峰峰值电压为ogRDVVV4） 电力二极管的选择 流过二极管的最大电流值)( peakQI承受到最大反向电压为ogQVVV第12页/共17页4、损耗的算、损耗的算a） MOSFET的关断损耗)(2)(1)(peakpeakpeakQIII0221)(21ttVVIIPogoff3421)(21ttVVIIPogonQRIIP2111PPPPonoffQ1） MOSFET的开关损耗b） MOSFET的开通损耗d） 一个周期内MOSFET总的损耗 图7 MOSFET关断时的波形图c） MOSFET的导通损耗第13页/共17页4、损耗的算、损耗的算2） 电力二极管的损耗rogoffQVVP)(DonRIIP221)(onoffDPPP3） 电感的的损耗1211LL