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文档简介

衬底晶格常数(A)晶格失配度GaN/衬底%热膨胀系数X10-6/K热膨胀系数失配度GaN/衬底%GaNGaN3.1893.189-5.595.59-蓝宝石蓝宝石(0001)(0001)4.7584.7581616缓冲层解决缓冲层解决7.57.5-34-346H-SiC(0001)6H-SiC(0001)3.083.0835354.24.22525Si(111)Si(111)5.435.43-16.9-16.93.593.593636以上晶格常数在300K下测量，热膨胀系数在1073K下测量GaN的异质外延中，TMGa/TEGa为Ga源，NH3为N源。缓冲层技术的采用大大改善了体材料的晶体质量其生长过程为准二维生长模式，即经历孤立成岛、岛长大、高温退火（重结晶）、准二维体材料生长等步骤。其生长过程和质量可由工艺参数(/比、生长温度和压力等)去控制和调节

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