MOS电容学习教案

1、会计学1MOS电容电容(dinrng)第一页，共34页。第1页/共33页第二页，共34页。为什么有为什么有P+？氧化层的厚度氧化层的厚度(hud)为什么不为什么不一样？一样？栅氧栅氧场氧场氧第2页/共33页第三页，共34页。第3页/共33页第四页，共34页。0GFBVV剖面图剖面图能带图能带图有效栅压有效栅压第4页/共33页第五页，共34页。表面表面(biomin)势势sq第5页/共33页第六页，共34页。oxoxoxCt第6页/共33页第七页，共34页。第7页/共33页第八页，共34页。剖面图剖面图能带图能带图GFBMGVVV第8页/共33页第九页，共34页。第9页/共33页第十页，共34页

2、。111oxdCCC第10页/共33页第十一页，共34页。第11页/共33页第十二页，共34页。特征点特征点第12页/共33页第十三页，共34页。第13页/共33页第十四页，共34页。反型层反型层费米能级的变化表示费米能级的变化表示(biosh)了什么？了什么？弱弱 反反 型型 第14页/共33页第十五页，共34页。n尽层宽度决定。尽层宽度决定。第15页/共33页第十六页，共34页。能带图能带图剖面图剖面图GFBTVVV第16页/共33页第十七页，共34页。2sF第17页/共33页第十八页，共34页。使表面势达到的栅压被定义为阈值电压阈值电压2FTV第18页/共33页第十九页，共34页。第19

3、页/共33页第二十页，共34页。2gSSFEqqq第20页/共33页第二十一页，共34页。FiFqEElnlnAiDiNkTqnFNkTqnfor Pfor N第21页/共33页第二十二页，共34页。msq2gmsmsFEqqqqq第22页/共33页第二十三页，共34页。第23页/共33页第二十四页，共34页。P型衬底的MOS电容(dinrng)阈值电压：N型衬底的MOS电容(dinrng)阈值电压：222sATFBFFoxqNVVC2sAoxqNC22TFBFFVV2sDoxqNC22TFBFFVV第24页/共33页第二十五页，共34页。12FBFBFBVVV1FBmsV02FBoxQVC

4、第25页/共33页第二十六页，共34页。MOS电容(dinrng)的工艺参数及相应的物理参数值 参数参数符号符号值值衬底掺杂浓度衬底掺杂浓度NA21016cm-3栅氧厚度栅氧厚度tox30nm氧化层电荷密度氧化层电荷密度Q0/q51010cm-2栅的类型栅的类型N+多晶硅多晶硅本征载流子浓度本征载流子浓度ni1.021010cm-3带隙宽度带隙宽度Eg1.12eV室温下的热电压室温下的热电压Vt=kT/q0.026二氧化硅介电常数二氧化硅介电常数 ox3.4510-11F/m硅介电常数硅介电常数 s1.0410-10F/m第26页/共33页第二十七页，共34页。第27页/共33页第二十八页，共34页。平平 带带第28页/共33页第二十九页，共34页。第29页/共33页第三十页，共34页。第30页/共33页第三十一页，共34页。第31页/共33页第三十二页，共34页。平平