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文档简介
1、1 .第1题当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变宽A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案:A题目分数:2.0此题得分:0.02 .第2题影响放大器高频特性的原因是()A.极问耦合电容B.发射极旁路电容C.三极管结电容D.温度您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.03 .第3题硅二极管的正向导通压降比错二极管的()。A.大B.小C.相等D.无法判定您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.04 .第4题在本征半导体中掺入3价元素就成为()型半导体。A.P型半导体B.N型半导体C.PN 结D.纯净半导体您的答案:C题目分数:2.05 .第5题测得某放大电路正常工作的晶体管
2、三电极直流电位分别为 12.2V、12V、0V,则三极管的三个电极分别是()。A.(E、R C)B.(C、R E)C.(B、C E)D.(B、E、C)您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.06 .第6题测得NPN®三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V, UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在()A.放大区B.截止区 C.饱和区D.击穿区 您的答案:C 题目分数:2.0 此题得分:2.07 .第7题在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为 3.2V、3V、6V, 则该管属于()A.错 NPN® B.错PN即 C.硅 NPN® D.硅PN即您的答案:A题目
3、分数:2.0此题得分:2.08 .第8题图示电路是()电路A.微分电路8 .积分电路C.指数电路D.对数电路您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.09 .第9题在固定偏置放大电路中,当 R、RB的参数分别为()时,该电路 的静态工作点处在放大区。设三极管的6=100。A.5.6kQ、10kQB56k Q、510kQC.5.6kQ、10也D.100kQ、1MQ您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.010 .第10题错二极管的死区电压是()A.0.10.2VB.0.5VC.0.7VD.0.6V您的答案:A此题得分:#.011 .第11题在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()A.晶体缺陷
4、B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.012 .第12题N型半导体可以在纯净半导体中掺入()价元素实现A.3B.4C.5D.6您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.013 .第13题测得三极管发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于()A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态您的答案:C题目分数:2.0此题得分:0.014 .第14题测某放大电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V,则三极管的三个电极分别是(A.(E、C B)B.(C、B E)C.(B、C E)D.(B、E、C)您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.015 .第15
5、题影响多级放大器低频特性的原因是()。A.极问耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.016.第16题6V、11.8V、12V,在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为 则这只三极管属于()A.硅 PNPSB.硅 NPN® C.错 PNP® D.错 NPN®您的答案:C题目分数:2.0 此题得分:2.017 .第17题PN结具有()导电特性。A.双向B.单向C.不确定您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.018 .第18题基本微分电路的电容器接在运放电路的()A.反向输入端B.同向输入端C.反向端与输出端之
6、间D.输出端您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.019 .第19题当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.020 .第20题半导体中的少数载流子产生的原因是()A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发您的答案:D题目分数:2.0此题得分:2.021 .第21题测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三极管的三个电极分别是()0A. (B、C、E) B. (C、B、E) C. (E、C、B) D. (B、E、C) 您的答案:B 题目分数:2.0 此题得分:0.022 .第22题PN
7、P®晶体管工作在放大区时,三个电极直流电位关系为()A.UC< UE< UBB.UB< UC< UEC.UC< UB< UED.UB< UE< UC您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.023.第23题在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V, 11.3V, 0V, 则该管属于()A.硅PN即B.硅 NPN®C.错PN即D.错 NPN®您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.024.第24题在放大电路的耦合方式中,()级间静态工作点会影响。A.变压器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光电耦合您的答案:B题
8、目分数:2.0此题得分:2.025.第25题二极管两端电压大于()时,二极管才导通。A.击穿电压B.死区电压C.饱和电压D.放大电压您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.026 .第26题负反馈使放大电路增益()。A.增大B.下降C.不变D.不确定您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.027 .第27题电源电路中滤波的作用是()A.将正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将高频信号变成低频信号D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压您的答案:D题目分数:2.0此题得分:2.028.第28题并联型稳压电路通常应用于()场合A.电压固定、负载电流小、负载变化不大B.电压固定、负载电流大C.负载变
9、化大D.稳压范围宽您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.029 .第29题图示电路为()电路。A.甲乙类OCL B.甲乙类OTL C.乙类OCLD.甲类您的答案:B题目分数:2.0此题得分:0.030 .第30题在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻 Rb的数值,将使静态工作 点()。A.升高B.降低C.不变D.不定您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.031 .第31题在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻 Rb的数值,容易出现() 失真。A.饱和B.截止C.低频D.交越您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.032 .第32题在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻 Rb的数值,容易出现()
10、失真。A.饱和B.截止 C.低频D.交越您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.033 .第33题整流的目的是()A.将正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将高频信号变成低频信号D.将非正弦信号变为正弦信号您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.034 .第34题固定输出的三端稳压器内部采用()型稳压电路结构A.开关B冲联C.并联D.复合您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.035 .第35题OCM率放大电品&如图示,T2、R1、R2的作用是()A.充当T1的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.036.第3
11、6题整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是()A.温度的变化B.负载电流的变化C.电网电压的波动D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面您的答案:D题目分数:2.0此题得分:2.037.第37题电路中稳压的作用是()A.正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将滤波后的电压进一步稳定D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.038.第38题OCLft率放大电品&如图示,T4、R1、R2的作用是(A.充当T1的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.039 .第39题硅二极管的死区电压
12、是()A.0.10.2VB.0.5VC.0.7VD.0.6V您的答案:A题目分数:2.0此题得分:0.040 .第40题在放大电路的耦合方式中,()低频特性最好。A.变压器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光电耦合您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.041.第41题当PN结外加正向电压时,内外电场方向()。A.相反B.相同C.不确定您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.042 .第42题在本征半导体中掺入5价元素就成为()型半导体。A.P型半导体B.N型半导体C.PN 结D.纯净半导体您的答案:C题目分数:2.0此题得分:0.043 .第43题测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、
13、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是()A.(E、R C)B.(B、C E)C.(B、E、C)D.(C、R E)您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.044.第44题2.8V、3.5V、6V,在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为 则这只三极管属于()A.硅 PNPSB.硅 NPN®C.错 PNP®D.错 NPN®您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.045.第45题当PN结外加反向电压时,内外电场方向()A.相反B.相同C.不确定您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.046 .第46题欲将方波转换成三角波,应选用()A.微分运算电路B.积分运算电路C.差分输入运算电路D.乘法电路您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.047 .第47题在开关型稳压电路中,调整管工作在()状态A.放大B.饱和C.截止D.开关您的答案:D题目分数:2.0此题得分:2.048.第48题在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻 Rb的数值,静态工作点将 ()。A.升高B.降低C.不变D.不定您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.049.第49题
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