现代电力电子技术ppt课件

1、第 5 章现代电力电子电路第第5章章 晶闸管电路晶闸管电路第第 1 节节功率电子器件功率电子器件第第 2 节节可控桥式整流电路可控桥式整流电路第5章 重点 晶闸管任务原理 单相可控整流电路别名：别名：可控硅可控硅SCR) Silicon Controlled Rectifier 是一种大功率半导体器件，出现于是一种大功率半导体器件，出现于70年代。年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域领域 。 体积小、分量轻、无噪声、寿命长、体积小、分量轻、无噪声、寿命长、 容容量大正向平均电流达千安、正向耐压量大正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏。达数千

2、伏。 特点特点第第1节节 功率电子器件功率电子器件运用领域：运用领域： 逆变逆变 整流整流 交流交流直流直流斩波斩波直流直流交流交流变频变频 交流交流交流交流直流直流直流直流此外还可作无触点开关等此外还可作无触点开关等一、根本构造一、根本构造A阳极阳极P1P2N1三三 个个 PN结结N2四四 层层 半半 导导 体体K阴极阴极G控制极控制极第第1节节 晶闸管晶闸管符号符号AKGPPNNNPAGK二、任务原理二、任务原理构造表示图构造表示图GKP1P2N1N2AAAPPNNNPGK任务原理分析任务原理分析IGIGIGKAGV1V2GKP1P2N1N2AA1、UGK=0时，时，UAK0或或UAK0且

3、且UAK0时正向电压，时正向电压， V1导通导通V2导通导通V1进一步导通，构进一步导通，构成正反响成正反响晶闸管迅晶闸管迅速导通。速导通。IB1 = IGIC1 = IG = IB2IC2 = IB2 = IG = IB1维持电流维持电流IC2=IGIGIGIGKAGV1V2A3、UGK0或或UAK正向正向反向反向 IF：额定通态平均电流。环境温度为额定通态平均电流。环境温度为40OC时时,在在 电阻性负载、单相工频电阻性负载、单相工频 正弦正弦半波、导电角不小于半波、导电角不小于170o的电路中，晶的电路中，晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管闸管IF

4、为为1A1000A。2、主要参数、主要参数UD: 额定电压。额定电压。 URRM 与与UFRM中较小的中较小的一个。一个。IF含义阐明含义阐明it2IFmmFIttdII0)(sin21IH：维持电流。：维持电流。(在室温下，控制极开路、晶闸管在室温下，控制极开路、晶闸管 被触发导通后，维持导通形状所必需的最被触发导通后，维持导通形状所必需的最 小电流。普通为几十到一百多毫安。小电流。普通为几十到一百多毫安。UG、IG：控制极触发电压和电流。在室温下，：控制极触发电压和电流。在室温下， 阳极电压为直流阳极电压为直流6V时，使晶闸管完全导通时，使晶闸管完全导通 所必需的最小控制极直流电压、电流所

5、必需的最小控制极直流电压、电流 。一。一 般般UG为为1到到5V，IG为几十到几百毫安。为几十到几百毫安。晶闸管型号晶闸管型号通态平均电压通态平均电压UF额定电压级别额定电压级别UD额定通态平均电流额定通态平均电流IF晶闸管类型晶闸管类型P-普通晶闸管普通晶闸管K-快速晶闸管快速晶闸管S -双向晶闸管双向晶闸管晶闸管晶闸管KKP 100-3第第2节节 可控整流电路可控整流电路一、单相半波可控整流电路一、单相半波可控整流电路1、电阻性负载电阻性负载电路及任务原理电路及任务原理设设u1为为正弦波正弦波 u2 0 时，加上触发电压时，加上触发电压 uG ，晶闸管导，晶闸管导通通 。且。且 uL 的大小随的大小随 uG 参与的迟早而变化；参与的迟早而变化； u2 0的导通途径：的导通途径：u2 (A)V1RLV4u2 (B)V1、V2 -晶闸管晶闸管V3、V4 -晶体管晶体管V1V2V3V4RLuLu2AB+-V2RLV3u2 (A)u2 (B)u2 0的导通途径：的导通途径：V1、V2 -晶闸管晶闸管V3、V4 二极管二极管V1V2V3V4RLuLu2AB+-