模拟电子技术题库(2011.11.12)

1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。2、 在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_区、_区、_区。5、场效应管分为两大类：一类称为_，另一类称为_。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为_或_。7、半导体二极管的基本特性是 _，在电路中可以起_和_等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分

2、为_型和_型两种，它们的符号分别为_和_。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 运动和少数载流子的_运动。10、硅二极管的死区电压约为_V，锗二极管的死区电压约为_V。11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的_倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量_。12、场效应管实现放大作用的重要参数是_。13、PN结具有_特性。14、双极型三极管有两个PN结，分别是_和_。15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_偏置，集电路_偏置。16、场效应管是_控制型元件，而双极型三极管是_控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。18、P型半导体的多数载流子是

3、 ，少数载流子是 。19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 或_。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_、_和_。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_向电压；（2）集电结外加_向电压。22、N型半导体可用_离子和等量的_来简化表示。23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变_。24、二极管的两个电极分别称为_极和_极，二极管的符号是_。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_移，输出特性曲线会 _移，而且输出特性曲线之间的间隔将_。26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_。27、P型半导体可用_离子和等量的_来简化

4、表示。28、主要半导体材料是_和_；两种载流子是_和_；两种杂质半导体是_和_。 29、二极管外加 向电压导通，外加 向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数会 _，会 _，导通电压会 _ 。31、双极型三极管有两种载流子导电，即_和_导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_导电。32、N型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是_。33、某晶体管的极限参数，。若它的工作电压，则工作电流不得超过_；若工作电压，则工作电流不得超过_；若工作电流，则工作电压不得超过_。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为=9V， =6.2V， =6V，则该三极管是_型三极管，A为_极，B为_极，C

5、为_极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_。36、场效应管输出特性的三个区域分别是_区、_区、_区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_。38、场效应管与晶体管比较， 管的热稳定好，输入电阻高， 管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_、_和_。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。A0 B死区电压 C反向击穿电压 D正向压降2、杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。A少子 B多子 C杂质离子 D空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（

6、），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ ）。A截止 B放大 C饱和 D损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( )。A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ ）和（ ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ ）的流动。A多子 B少子 C自由电子 D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（）（）。A > B < C = D 7、对二极管正向电阻和反向电阻的要求是（ ）A、都大 B、都小 C很小，很大 D大，小8、稳压二极管动态电阻（ ），稳压性能

7、愈好。A愈大 B 愈小 C为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。A 放大 B 截止 C 饱和 D 无法确定10结型场效应管放大电路的偏置方式是（ ）A自给偏压电路 B外加偏压电路 C无须偏置电路D栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ），而少数载流子的浓度与（ ）有很大关系。A温度 B掺杂工艺 C杂质浓度 D晶体管缺陷12、场效应管属于（ ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ ）控制型器件。A电荷 B电压 C电流13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。A大于 B小于 C等于 D变宽 E变

8、窄 F不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。A左移，下移 B右移，上移 C左移，上移 D右移，下移15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ ）。A变窄 B基本不变 C变宽 D.先变窄，后变宽16、 在25ºC时，某二极管的死区电压Uth0.5V，反向饱和电流Is0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。A Uth0.575V，Is0.05pA B Uth0.575V，Is0.2pAC Uth0.475V，Is0.05pA D Uth0.475V，Is0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN

9、或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ ）。A测试各极间电阻 B测试各极间、对地电压C测试各极电流 三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率时会损坏。 （ ）2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ ）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）5、有人测得晶体管在=0.6V时，=5，因此认为在此工作点上的大约为。 （ ）6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较

10、大的电流放大作用。 （ ）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（ ）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ ）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（ ）13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ）15、有人测试晶体管的，方法是通过测得晶体管的，推算出 。 （ ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将

11、表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V电极(e或b或c)NPN或PNP材料（Si或Ge）2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分） （a）（b）4、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V， 求Uo为多少？（共3分）5、（3分）图示电路

12、中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）（a） （b） （c）7、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？（共8分） （a） （b） （c） （d）8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出UO=？ （a） （b） （c） （d）五、计算题1、计算下图流过二极管的电流ID和A点电位UA？设二极管D正向导通时的两端电压。 （a） （b）第二章 放大电路原理一、填空题1、BJT放大电路的三种基本组态中，_组态带负载能力强，_组态

13、频率响应好，_组态有倒相作用，_组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_。3、BJT放大电路的三种组态是_、_、_。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是_。5、三极管_组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法，就是_和_。7、共集电极放大电路又称为_。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即_、_、_。9、放大电路的三种基本组态中，_组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，_只具有电流放大能力，_组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现_的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_。11、产生零点漂移的主要原因是

14、放大器件的参数受_的影响而发生波动，导致放大电路的_不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为_。二、选择题1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（ ）。AQ点过高会产生饱和失真 BQ点过低会产生截止失真C导致Q点不稳定的主要原因是温度变化 DQ点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是_电路。A 共发射极 B 共集电极 C共基极 D不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（ ） 。A.共射电路 B.共集电路 C.共源电路 D.共基电路4、有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同

15、一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（ ）。A输入电阻大 B输入电阻小 C输出电阻大 D 输出电阻小 5、多极放大电路的增益是（ ）、输入电阻是（ ）、输出电阻是（ ）。A由第一级确定 B.由各级共同确定 C.由末级电路确定6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）A10K B2K C 1K D 0.5K7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ ）。A环境温度变化引起参数变化 B放大倍数太大C晶体管的噪声太大 D外界存在干扰源8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本

16、题可多选）（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（ ）。（2）要求能放大直流信号，可选用（ ）。（3）要求能放大交流信号，可选用（ ）。（4）要求电路的温漂小，可选用（ ）。（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（ ）。A阻容耦合 B直接耦合 C变压器耦合9、用微变等效电路法分析放大电路（ ）A只能分析静态工作点 B.只能分析动态参数C既可分析静态，也能分析动态10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（ ）； 既能放大电流，又能放大电压的电路是（ ）。A 共基放大电路 B共集放大电路 C共射放大电路 11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的

17、变化情况,选择正确答案填入空格（1）减小时，输入电阻 _。（2）增大时，输出电阻 _。（3）信号源内阻增大时，输入电阻_。（4）信号源远内阻减小时，电压放大倍数 _。（5）负载电阻增大时，电压放大倍数_；（6）负载电阻减小时，输出电阻Ro_; (7) 若Rb减小，则静态的将_，将_，电压放大倍数 将_。(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的将_。(9) 增大时， 将_。(10) 增大时，将_。(11) 增大时，将_。(12) 增大时，将_。A.增大 B.减小 C.不变12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：输出电压波形出现了顶部削平的失真，则：（1）这种失真是_ A.饱和失真 B.截止失

18、真 C.交越失真 D.频率失真。 （2）为了消除这种失真，应_ A减小集电极电阻 B.改换小的管子 C.增大基极偏置电阻Rb D减小基极偏置电阻Rb, E.减小电源电压。13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：电压波形出现了顶部削平的失真:则(1) 这种失真是_ A.饱和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 频率失真。（2）为了消除这种失真，应_ A减小集电极电阻 B.改换小的管子 C增大基极偏置电阻Rb D.减小基极偏置电阻Rb E.减小电源电压。14、如下图，选择正确答案填空（1） 要使静态工作电流减小，则应_ 。（2）在适当范围内增大，则| _， _， _。（3) 在适当范围内增大

19、，则| _， _， _。 (4) 从输出端开路，到接上，静态工作点将_， _，（设静态工作点偏低） (5) 减小时，直流负载线斜率_。(6)减小时，直流负载线斜率_。 A.增大 B.减小 C.不变(7) 若=10V, =4，=6，=3.3，=2，、足够大，设则: Vi=0，管压降大约是_ （A 4V B 4.7V C 7V D 5V) 使管子由50改为100（=0）则|是 _ （A.约为原来的2倍 B.约为原来的 C.基本不变 D 约为原来的4倍） 保持=50不变，将由3.3改为6.6，则| _ 。（A 约为原来的2倍 B 约为原来的 C 基本不变 D 约为原来的4倍 E 约为原来的）15、两

20、级放大电路=-40，=-50，若输入电压,则输出电压为_ A-200mV B.-250mV C.10V D.100V三、判断题1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的，不能正常放大的画×）。2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。 3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分） 4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“”，“×”表示。每图3分，共12分） 5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（6分） 6、如下图，判断是否正确：（1）=/（+）（ ）（2） =

21、/+(1+) （ ）（3） =/ （ ）（4） =/ （ ）（5） = （ ）（6） = - （ ）（7） = （ ）（8） = - （ ）7、判断下列说法是否正确，对的画，错误的画× (1) 晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ） (2) 在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。（ ）(3) 在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。（ ）(4) 对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。（ ）(5) 共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不

22、能用来实现功率放大。（ ）(6) 共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。（ ）(7) 共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。（ ）(8) 共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。（ ）四 分析题1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路（图中晶体管类型不允许改变）2、 分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。3、 分析下图能否对的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1，无直流成分。4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶体管都工作在

23、放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。五、计算题1、在下图的放大电路中,设三极管的=30，=0.7V，= 1,=10,=1.3,=5,=12V。（1）试估算静态时的、；（5分）（2）设电容、和均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数；（5分）（3）估算放大电路的输入电阻和输出电阻；（5分）（4）如果去掉旁路电容，写出此时放大电路的中频电压放大倍数和输入电阻和输出电阻的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）2、（20分）图示电路中，已知UBEQ=0.7V，=100，=374，RB1=5 k，RB2=15 k，RE=2.3 k，R

24、C=RL=3 k，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点UBQ、ICQ、UCEQ（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数、 输入电阻Ri、输出电阻Ro（3）若信号源内阻为RS=1k时，求 的数值。3、如下图，足够大，（1）画出直流通路和微变等效电路（6分）。（2）设，求静态工作点、（4分）（3）求、，设=30，=194（6分）（4）、忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值（4分）（总共20分）4、如图所示电路中，已知三极管T为硅管 =337,UBEQ=0.7V,=50；Rb1=51K , Rb2=15K , RE=1K, Rc=2K,RL=2K,VCC=12V。(共18分) 试求： （1）静

25、态工作点Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？ （2）电压放大倍数AU？输入电阻Ri? 输出电阻Ro?5、电路如下图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ0.7V。利用图解法分别求出RL和RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom。（共15分）6.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。（共15分）（1）图解法静态工作点Q（、）。（设=40uA,=50）（6分）（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数、（设=340，=60）（9分）7、如下图，足够大，（1）画出直流通路和微变等效电路（4分）。（2）求静态工作点、。（4分）（3）求输入、输出电阻、及电压放大倍数各自的表达式。

26、（4分）（总共12分）8电路如下图所示，晶体管的100， rbb=100， =0.7V。（共20分）（1）画直流通路和微变等效电路。（6分）（2）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（9分）（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（5分）9 如图所示的放大电路（10分）（1）写出输出，输出时，电路的电压放大倍数、的表达式。（2）根据输入波形，当时，画出、的波形。10. 如下图，的=10ms, 的=100，=，试估算：（1）的值；(2) ；（3） 。(C1到C4足够大）11. 如下图，求（1）接在A(断开）时，（2）接在B点时的，设=，=100，并求这时的，。C足够大。1

27、2. 如下图：（1） 推导出饱和条件（与电路参数关系式）（2） 若=120K，=100，=0.7V,试问电路工作在什么状态(放大，饱和，截止）（3) 应如何改变电路参数，使之脱离上述工作状态？第三章 频率响应一、填空题1、下限频率和上限频率之间的频率范围称为_。2、频率失真是由于放大电路的_不够宽，因而对不同频率的信号响应不同而产生的；而非线性失真是由放大器件的_特性而产生的。3、增益带宽积是指_与_的乘积，通常以此乘积来表示放大电路综合性能的优劣。4、影响三极管放大器高频响应的电容主要是_。5、 一阶滤波电路阻带幅频特性以_/十倍频斜率衰减，二阶滤波电路则以_/十倍频斜率衰减。阶数越_，阻带

28、幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。6、已知某晶体管的=150MHZ, =50,则当其工作频率为50MHz ,|_7、一阶RC高通电路截止频率= _，在截止频率处，输入信号比通带内输出信号小_ dB二、选择题1、高频信号输入时，放大倍数下降，主要是因为（ ）的影响；低频信号输入时，放大倍数下降，主要是因为（ ）的影响。A耦合电容C1、C2，射极电容Ce B晶体管的非线性特性C晶体管的极间电容和装配时的分布电容2关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（ ）。A B C D 3多级放大电路放大倍数的波特图是（ ）A各级波特图的叠加。 B各级波特图的乘积 C各级波特图中通频带最宽者

29、4在阻容耦合单管共射放大电路中，为了降低下限频率应该采取的措施是（） A提高三极管的 B降低三极管的极间电容 C减小输入电阻 D增大输入端耦合电容5.幅度失真和相位失真称为（ ) 失真（A.交越 B.频率），它属于（ ）失真（线性 B.非线性），在出现这类失真时，若为正弦波，则为（ )(A.正弦 B.非正弦 ）.若为非正弦波，则与的频率成分（ )(A.相同 B.不同 ）6饱和失真，截止失真，交越失真都属于（ ）失真 （A.线性 B.非线性）在出现这类失真时，若为正弦波，则为 （ ）波 （A正弦 B.非正弦），则与的频率成分（ ） （A.相同 B.不同）7在下图的放大电路中，选用正确答案填空（A

30、.增大 B.减小 C.不变或基本不变）（1）增大电容C1，则中频电压放大倍数|( )，下限频率 （），上限频率 （ ）。（2）减小电阻，则|（ ），（ ）， ( ).（3）换一个较低的晶体管，则|（ ），（ ）， ( )（4）当信号频率等于上限频率时，与的相位差（ ） （A. B C. D E. ）三 判断题（正确的画，错误的画×）1.增大耦合电容、将有利于高频信号流通，因此可以提高上限频率（ ） 2.当集电极电阻增大时，中频增益|增大，由于电路的增益带宽积近似为常数，因此减小（ )3.通常远小于，所以它对频率特性的影响可以忽略不计，在分析时，不需考虑 的作用就行了（ ）4.只要晶体

31、管的高，电路的就高，因此，为改善电路的高频特性，要选用大的管子 （ ）5.多级放大电路的通频带比组成它的各个单管放大电路的通频带宽（ ）6.多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单管放大电路在相同频率下产生的附加相移大（ ） 7.阻容耦合的多级放大电路在低频时产生的附加相移比组成它的各个单管放大电路在相同频率下产生的附加相移小（ ） 四 计算题如下图，测出数据如下表，（1）求中频时|Au|=|=？ =? （2）=? （3）=? （4）=? 第四章 功放电路一、填空题1、乙类互补对称功率放大电路中，由于三极管存在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真，称之为 。2、甲类放大电路是指

32、放大器的导通角等于_，乙类放大电路其导通角等于_，在甲乙类放大电路中，放大器导通角为_。 3、乙类推换功率放大电路的_较高。在理想情况下其数值可达_。但这种电路会产生一种被称为_失真的特有的非线性失真现象。为了消除这种失真，应当使推换功率放大电路工作在_类状态4、设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类推换功率放大，应选至少为_W的功率管两个。二、选择题1、甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是（ ） A输出功率大 B效率高 C无交越失真 D电路结构简单 E.不用输出端大电容2、功率放大电路的主要性能指标是（ ）。A， B，失真 CBW，选择性 D,3、乙类互补对称功率放大

33、电路（ ）A能放大电压信号，但不能放大电流信号B既能放大电压信号，也能放大电流信号C能放大电流信号，但不能放大电压信号D既不能放大电压信号，也不能放大电流信号4、交越失真是（ ） A饱和失真 B频率失真 C线性失真 D非线性失真5、在OCL功率放大电路中，输入信号为1KHZ，10V的正弦电压，输出电压波形如下图所示，这说明电路中（ ）A. 出现饱和失真 B.出现截止失真 C.出现频率失真 D.出现交越失真6、为了改善上述的输出波形应（ ）A.进行相位补偿 B.适当减小功放器的静态 C.适当增大功放管的静态 D适当增加负载电阻 7、OCL电路如下图所示，若输入为正弦电压，互补管、的饱和压降可以忽

34、略，试选择正确答案填空。 （1）、的工作方式为（ ） A.甲类 B.乙类 C.甲乙类（2）电路的最大输出功率为（ ）（A. B C. D )三 判断题1、功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。（ ） 2、 乙类功率放大电路，在输出功率最大时，管子消耗的功率也为最大。（ ）3、 功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号（ ）4、 功率放大电路所要研究的问题就是一个输出功率大小问题（ ）5、 顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用（ ）6、 由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路方法已不再适用（ ）7、 当

35、甲类功放电路的输出功率为零时，管子功耗的功率最大（ ）8、 在输入电压为零时，甲乙类推换功放电路中的电源所消耗的功率是两个管子的静态电流与电源电压的乘积( )9、如下图，判断复合管是否连接正确？如正确，指出等效什么类型？（共9分）四、综合题、计算题 1、（6分）在图示OCL电路中，已知V、V管的，电源电压为±VCC±9V，负载电阻RL=8 ，试计算最大输出功率Pom及效率。2、如下图所示：（1）静态时，流过负载电阻的电流=?（2）、各起什么作用？（3）、中有一个接反，会出现什么后果？ 3、OCL甲乙类功率放大器，如上图，设电源电压=12V，负载=8，晶体管的饱和压降=1V。

36、求负载可获得的最大功率（忽略电路的其它损耗）。（6分）4、求上图中所示电路中，输出到的最大不失真功率是多少。设和的饱和管压降为2V，为正弦电压。（共8分）5、如下图，输入信号是正弦电压，V、V管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小，Vcc=16V,=8。（1）求最大输出功率；（2）求电源供给的最大平均功率；（3）求电路的最大效率6、 如图所示功放电路，设V、V的特性完全对称，Ui为正弦电压，=10v，=16，试回答以下问题：（1）静态时，电容两端的电压时多少？（2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？ 7、如上图中=35v =35，设,求：（1)负载上所能得到的最大功率

37、 ；（2)电源提供的平均功率;(3）每个管子的最大管耗8、集成功放的一种应用电路如下图，假定集成电路内输出级晶体管的饱和压降可以忽略不计，为正弦电压：（1）求最大输出功率 （2）求电源峰值电流 （3）求电源平均电流 （4）求电路输出级的效率 （5）指出该电路是何类型的功放电路。 第五章 集成运算放大电路一、填空题1.差动放大电路具有电路结构_的特点，因此具有很强的抑制_的能力。它能放大_模信号，而抑制_模信号。2集成运放存在失调电压和失调电流，所以在小信号高精度直流放大电路中必须进行_。3.理想集成运放差模输入电阻为_,开环差模电压放大倍数为_，输出电阻为_。4.集成运放的输入级大都采用_结构

38、。5差分放大电路的发射极接入一个长尾电阻或恒流源电路，其作用是引入一个_负反馈，来抑制零点漂移。6在差分放大电路发射极接入长尾电阻或恒流三极管后，它的差模放大倍数将_，而共模放大倍数将_，共模抑制比将_。7.阻容耦合放大电路不适合传送_信号。8、运算放大器的=称_，=0称_。9差分放大电路的共模抑制比描述电路对_的抑制能力，理想差放的共模抑制比为_。10集成运算放大电路内部通常包含四个基本组成部分，即_、_、_和_。11.偏置电路的任务是向各放大级提供合适的偏置电流，确定_。12差分放大电路单端输出时，差模电压放大倍数和输出电阻约为双端输出时的_。13.多级放大电路的输入电阻基本上等于_级的输

39、入电阻；而多级放大电路的输出电阻约等于_级的输出电阻。14集成运放的中间极为获得极高的电压增益，常常采用_和_等结构形式。二、选择题1、集成运放的输入级通常采用差分放大电路，目的是（ ）A提高差模电压放大倍数 B提高共模抑制比C提高差模输入电阻 D减小非线性失真2几种差分放大电路中，（ ）的共模抑制比最高，抑制零点漂移能力最强。A基本差分放大电路 B长尾式差分放大电路 C恒流源式差分放大电路3理想集成运放具有以下特点：（ ）。A开环差模增益Aud=，差模输入电阻Rid=，输出电阻Ro=B开环差模增益Aud=，差模输入电阻Rid=，输出电阻Ro=0C开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=，

40、输出电阻Ro=D开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=，输出电阻Ro=04、通用型集成运放的输入级多采用（ ）；输出级多采用（ ）。A共基接法 B共集接法 C共射接法 D差分接法5、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象越（ ）。A严重 B轻微 C与无关6、差分放大电路是为了（ ）而设置的；A稳定放大倍数 B提高输入电阻C克服零点漂移 D扩展频带它主要通过（ ）来实现的。A增加一级放大 B采用两个输入端C采用对称元件及双端输出7长尾式差分放大电路中，Re的主要作用是（ ）。A提高差模放大倍数 B抑制零点漂移C增大差模输入电阻 D减小输出电阻8直接耦合电路中存在零点漂移

41、主要是因为（ ）。A晶体管的非线性 B电阻阻值有误差C晶体管参数受温度影响 D静态工作点设计不当9、差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（ ）。A不变 B提高一倍 C提高两倍 D减小为原来的一半三、判断题1、集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。（ ）2、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）3、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号 （ ）4、差分放大电路中的长尾电阻对共模信号和差模信号都有负反馈作用，因此，这种电路时靠牺牲差模电压放大倍数来换取对共模信号的抑制作用的。（ ）5、差分放大电路的差模放大倍数越大越好，而共模放大倍数越小越好，（ ）6、在线性工作范围内的差分放大电路，只要其共模抑制比足够大，则不论是双端输出还是单端输出，其输出电压的大小均与两个输入端电压差值成正比，而与两个输入电压本身的大小无关。（ ）7、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻一般可视为短路（ ）四 分析计算题1、对称的差分放大电路如下图所示，电位器的滑动端位于中点。求：（1)差模放大倍数=？=？（2）共模放大倍数=？=？（3）单端输出时的共模抑制比=？双端输出时的共模抑制比=？（4）差模输入电阻=？2,如上图，已