[材料科学]第八章电子衍射ppt课件

1、LOGO第八章第八章 电子衍射电子衍射第二篇第二篇 资料电子显微分析资料电子显微分析v 电子衍射已成为当今研讨物质微观构造的重要手段，是电子电子衍射已成为当今研讨物质微观构造的重要手段，是电子显微学的重要分支。显微学的重要分支。v 电子衍射可在电子衍射仪或电子显微镜中进展。电子衍射分电子衍射可在电子衍射仪或电子显微镜中进展。电子衍射分为低能电子衍射和高能电子衍射，前者电子加速电压较低为低能电子衍射和高能电子衍射，前者电子加速电压较低1010500V500V，电子能量低。电子的动摇性就是利用低能电，电子能量低。电子的动摇性就是利用低能电子衍射得到证明的。目前，低能电子衍射广泛用于外表构造子衍射得

2、到证明的。目前，低能电子衍射广泛用于外表构造分析。高能电子衍射的加速电压分析。高能电子衍射的加速电压100kV100kV，电子显微镜中的电，电子显微镜中的电子衍射就是高能电子衍射。子衍射就是高能电子衍射。 v 普通电子显微镜的普通电子显微镜的“宽束衍射束斑直径宽束衍射束斑直径1m1m只能得到只能得到较大体积内的统计平均信息，而微束衍射可研讨分析资料中较大体积内的统计平均信息，而微束衍射可研讨分析资料中亚纳米尺度颗料、单个位错、层错、畴界面和无序构造，可亚纳米尺度颗料、单个位错、层错、畴界面和无序构造，可测定点群和空间群。测定点群和空间群。v 电子衍射的优点是可以原位同时得到微观形貌和构造信电子

3、衍射的优点是可以原位同时得到微观形貌和构造信息，并能进展对照分析。电子显微镜物镜背焦面上的衍息，并能进展对照分析。电子显微镜物镜背焦面上的衍射像常称为电子衍射花样。电子衍射作为一种独特的构射像常称为电子衍射花样。电子衍射作为一种独特的构造分析方法，在资料科学中得到广泛运用，主要有以下造分析方法，在资料科学中得到广泛运用，主要有以下三个方面：三个方面：v 1 1物相分析和构造分析；物相分析和构造分析；v 2 2确定晶体位向；确定晶体位向；v 3 3确定晶体缺陷的构造及其晶体学特征。确定晶体缺陷的构造及其晶体学特征。8-1电子衍射和电子衍射和X射线衍射的比较射线衍射的比较共同共同点点v 电子衍射的

4、原理和电子衍射的原理和X X射线衍射类似，是以满足或根本满射线衍射类似，是以满足或根本满足布拉格方程作为产生衍射的必要条件。足布拉格方程作为产生衍射的必要条件。v 两种衍射技术得到的衍射花样在几何特征上也大致类似：两种衍射技术得到的衍射花样在几何特征上也大致类似：多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环，单多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环，单晶衍射花样由陈列得非常整齐的许多斑点所组成，而非晶晶衍射花样由陈列得非常整齐的许多斑点所组成，而非晶体物质的衍射花样只需一个漫散的中心斑点。体物质的衍射花样只需一个漫散的中心斑点。 多晶衍射花样vNiFeNiFe多晶纳米薄膜的电子衍射多

5、晶纳米薄膜的电子衍射La3Cu2VO9La3Cu2VO9单晶体的电子衍射图单晶体的电子衍射图v 非晶态资料电子衍射图的特征非晶态资料电子衍射图的特征电子衍射和电子衍射和X X射线衍射不同点射线衍射不同点 由于电子波与由于电子波与X X射线相比有其本身的特性，因此电子衍射射线相比有其本身的特性，因此电子衍射和和X X射线衍射相比较时，具有以下不同之处：射线衍射相比较时，具有以下不同之处：首先，电子波的波长比首先，电子波的波长比X X射线短得多，在同样满足布拉格条射线短得多，在同样满足布拉格条件时，它的衍射角件时，它的衍射角很小，约为很小，约为10-2rad10-2rad。而。而X X射线产生衍射

6、线产生衍射时，其衍射角最大可接近射时，其衍射角最大可接近9090。电子衍射测定衍射斑点。电子衍射测定衍射斑点位置精度远低于位置精度远低于X X射线。射线。其次，在进展电子衍射操作时采用薄晶样品，薄样品的倒易其次，在进展电子衍射操作时采用薄晶样品，薄样品的倒易阵点会沿着样品厚度方向延伸成杆状，因此，添加了倒易阵点会沿着样品厚度方向延伸成杆状，因此，添加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的时机，结果使略为偏离布格条阵点和爱瓦尔德球相交截的时机，结果使略为偏离布格条件的电子束也能发生衍射。件的电子束也能发生衍射。v 第三，由于电子波的波长短，采用厄瓦德球图解时，反射球第三，由于电子波的波长短，采用厄瓦德球

7、图解时，反射球的半径很大，在衍射角的半径很大，在衍射角较小的范围内反射球的球面可以近较小的范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面，从而也可以以为电子衍射产生的衍射似地看成是一个平面，从而也可以以为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。这个结果使晶体产生斑点大致分布在一个二维倒易截面内。这个结果使晶体产生的衍射花样能比较直观地反映晶体内各晶面的位向，给分析的衍射花样能比较直观地反映晶体内各晶面的位向，给分析带来不少方便。带来不少方便。v 第四，电子衍射谱强度正比于原子序数，第四，电子衍射谱强度正比于原子序数，X X射线衍射强度正射线衍射强度正比于原子序数的平方，故电子衍射有助于

8、寻觅轻原子的位置。比于原子序数的平方，故电子衍射有助于寻觅轻原子的位置。v 最后，原子对电子的散射才干远高于它对最后，原子对电子的散射才干远高于它对X X射线的散射才干射线的散射才干约高出四个数量级，故电子衍射束的强度较大，摄取衍约高出四个数量级，故电子衍射束的强度较大，摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。电子衍射束强度几乎与透射射花样时曝光时间仅需数秒钟。电子衍射束强度几乎与透射束相当，两者相互作用使衍射花样特别是强度分析变得复杂，束相当，两者相互作用使衍射花样特别是强度分析变得复杂，不能象不能象X X射线那样经过强度来测定构造。射线那样经过强度来测定构造。 由布拉格方程由布拉格方程 2dhk

9、lsin 2dhklsin 由于由于 所以所以 这阐明，对于给定的晶体样品，只需当入射波长足够短时，这阐明，对于给定的晶体样品，只需当入射波长足够短时，才干产生衍射。而对于电镜的照明光源才干产生衍射。而对于电镜的照明光源高能电子束来说，高能电子束来说，比比X X射线更容易满足。通常的透射电镜的加速电压射线更容易满足。通常的透射电镜的加速电压100200kv100200kv，即电子波的波长为即电子波的波长为10-210-3nm10-210-3nm数量级，而常见晶体的晶面数量级，而常见晶体的晶面间距为间距为10010-1nm10010-1nm数量级，于是数量级，于是这阐明，电子衍射的衍射角总是非常

10、小的，这也是它的花样特这阐明，电子衍射的衍射角总是非常小的，这也是它的花样特征之所以区别征之所以区别X X射线的主要缘由。射线的主要缘由。12sinhkldhkld22102sinhkld21102rad8-2 偏离矢量与倒易点阵扩展偏离矢量与倒易点阵扩展 v 从几何意义上来看，电子束方向与晶带轴重合时，零层倒从几何意义上来看，电子束方向与晶带轴重合时，零层倒易截面上除原点易截面上除原点0 0* *以外的各倒易阵点不能够与爱瓦尔德球以外的各倒易阵点不能够与爱瓦尔德球相交，因此各晶面都不会产生衍射，如图相交，因此各晶面都不会产生衍射，如图a a所示。所示。v 假设要使晶带中某一晶面或几个晶面产生

11、衍射，必需假设要使晶带中某一晶面或几个晶面产生衍射，必需把晶体倾斜，使晶带轴稍为偏离电子束的轴线方向，此时把晶体倾斜，使晶带轴稍为偏离电子束的轴线方向，此时零层倒易截面上倒易阵点就有能够和厄瓦尔德球面相交，零层倒易截面上倒易阵点就有能够和厄瓦尔德球面相交，即产生衍射，如图即产生衍射，如图b b所示。所示。 v 但是在电子衍射操作时，即使晶带轴和电子束的轴线严厉但是在电子衍射操作时，即使晶带轴和电子束的轴线严厉坚持重合即对称入射时，仍可使坚持重合即对称入射时，仍可使g g矢量端点不在厄瓦矢量端点不在厄瓦尔德球面上的晶面产生衍射，即入射束与晶面的夹角和准尔德球面上的晶面产生衍射，即入射束与晶面的夹

12、角和准确的布拉格角确的布拉格角BBB=sin-1 B=sin-1 存在某偏向存在某偏向时，衍射强度变弱但不一定为零，此时衍射方向的变化并时，衍射强度变弱但不一定为零，此时衍射方向的变化并不明显。不明显。 hkld2v 对于电子显微镜中经常遇到的样品，薄片晶体的倒易阵点拉长为倒易“杆，棒状晶体为倒易“盘，细小颗粒晶体那么为倒易“球，如下图。倒易点阵扩展倒易点阵扩展v 图显示了倒易杆和爱瓦尔德球相交情况，杆子的总长为2/t。v 由图可知，在偏离布拉格角max范围内，倒易杆都能和球面相接触而产生衍射。v 偏离时，倒易杆中心至与爱瓦尔德球面交截点的间隔可用矢量s表示，s就是偏离矢量。v 为正时，s矢量

13、为正，反之为负。准确符合布拉格条件时，=0，s也等于零。倒易点阵扩展倒易点阵扩展v 以下图示出偏离矢量小于零、等于零和大于零的三种情况。如电子束不是对称入射，那么中心斑点两侧和各衍射斑点的强度将出现不对称分布。 8-3 电子衍射根本公式电子衍射根本公式 v 电子衍射操作是把倒易点阵的图像进展空间转换并在正空间中记录下来。用底片记录下来的图像称之为衍射花样。右图为电子衍射花样构成原理图。 v 根据两类似三角形，推出：v 故单晶电子衍射花样是一切与反射球相交的倒易点的放大像。量形式）电子衍射基本公式的矢）面倒易矢量为（令电子衍射基本公式）即(,(,gKRHKLgKgRKLLRddKLRd电子衍射根

14、本公式电子衍射根本公式v L称为电子衍射的相机常数，而L称为相机长度。R是正空间的矢量，而ghkl是倒易空间中的矢量，因此相机常数L是一个协调正、倒空间的比例常数。v Rdhkl=f0MIMp=L v 称L为有效相机常数选区衍射选区衍射 v 选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域，并限制其大小，得到该微区电子衍射图的方法。也称微区衍射。v 光阑选区衍射Le Poole方式 此法用位于物镜像平面上的光阑限制微区大小。先在明场像上找到感兴趣的微区，将其移到荧光屏中心，再用选区光阑套住微区而将其他部分挡掉。实际上，这种选区的极限0.5m。 选区误差选区误差v实践上，选区光阑并不能完全挡掉光阑以外物

15、相实践上，选区光阑并不能完全挡掉光阑以外物相的衍射线。这样选区和衍射像不能完全对应，有的衍射线。这样选区和衍射像不能完全对应，有一定误差。它原因于物镜有球差和像的聚集误差。一定误差。它原因于物镜有球差和像的聚集误差。严重时，实践衍射区甚至不是光阑所选微区，以严重时，实践衍射区甚至不是光阑所选微区，以致衍射像和微区像来自两个不同部位，呵斥分析致衍射像和微区像来自两个不同部位，呵斥分析错误。错误。 8-4 8-4 单晶电子衍射花样单晶电子衍射花样因电子衍射的衍射角很小，故只因电子衍射的衍射角很小，故只需需O O* *附近落在厄瓦尔德球面上附近落在厄瓦尔德球面上的那些倒易结点所代表的晶面的那些倒易结

16、点所代表的晶面组满足布拉格条件而产生衍射组满足布拉格条件而产生衍射束，产生衍射的厄瓦尔德球面束，产生衍射的厄瓦尔德球面可近似看成一平面。可近似看成一平面。电子衍射花样即为零层倒易面中电子衍射花样即为零层倒易面中满足衍射条件的那些倒易阵点满足衍射条件的那些倒易阵点的放大像。的放大像。薄单晶体产生大量强度不等、陈薄单晶体产生大量强度不等、陈列非常规那么的衍射斑点组成，列非常规那么的衍射斑点组成，其缘由在于薄晶体倒易点扩展其缘由在于薄晶体倒易点扩展成一倒易杆，添加和倒易球相成一倒易杆，添加和倒易球相交的时机，产生大量衍射斑点。交的时机，产生大量衍射斑点。单晶电子衍射成像原理与衍射花样特征单晶电子衍射

17、成像原理与衍射花样特征标定电子衍射图中各斑点的指数标定电子衍射图中各斑点的指数hklhkl及晶带轴指数及晶带轴指数uvwuvw。电子衍射图的标定比较复杂，可先利用衍射图上的信息斑电子衍射图的标定比较复杂，可先利用衍射图上的信息斑点间隔、分布及强度等协助判别待晶体能够所属晶系、点间隔、分布及强度等协助判别待晶体能够所属晶系、晶带轴指数。晶带轴指数。例如斑点呈正方形，仅能够是立方晶系、四方晶系；正六角例如斑点呈正方形，仅能够是立方晶系、四方晶系；正六角形的斑点，那么属于立方晶系、六方晶系。形的斑点，那么属于立方晶系、六方晶系。熟练掌握晶体学和衍射学实际知识：搜集有关资料化学成分、熟练掌握晶体学和衍

18、射学实际知识：搜集有关资料化学成分、处置工艺以及其它分析手段提供的资料，可协助处理衍射处置工艺以及其它分析手段提供的资料，可协助处理衍射花样标定的问题。花样标定的问题。 单晶电子衍射花样标定单晶电子衍射花样标定单晶电子衍射花样的标定单晶电子衍射花样的标定v 电子衍射花样几何图形电子衍射花样几何图形能够所属晶系能够所属晶系v 平行四边形平行四边形三斜、单斜、正交、四方、六方、三方、三斜、单斜、正交、四方、六方、三方、立方立方v 矩形矩形单斜、正交、四方、六方、三方、立方单斜、正交、四方、六方、三方、立方v 有心矩形有心矩形同上同上v 正方形正方形四方、立方四方、立方v 正六角形正六角形六方、三方

19、、立方六方、三方、立方标定前的预先减少范围标定前的预先减少范围v 根据斑点的规律性判别：根据斑点的规律性判别：v 1.1.平行四边形平行四边形-7-7大晶系都有能够大晶系都有能够v 2.2.矩形矩形-不能够是三斜晶系不能够是三斜晶系v 3.3.有心矩形有心矩形-不能够是三斜晶系不能够是三斜晶系v 4.4.正方形正方形-只能够是四方或立方晶系只能够是四方或立方晶系v 5.5.正六角正六角-只能够是六角、三角或立方晶系只能够是六角、三角或立方晶系v 通常电子衍射图的标定过程可分为以下三种情况：通常电子衍射图的标定过程可分为以下三种情况：v 1 1知晶体晶系、点阵类型可以尝试标定。知晶体晶系、点阵类

20、型可以尝试标定。v 2 2晶体虽未知，但根据研讨对象能够确定一个范围。就晶体虽未知，但根据研讨对象能够确定一个范围。就在这些晶体中进展尝试标定。在这些晶体中进展尝试标定。v 3 3晶体点阵完全未知，是新晶体。此时要经过标定衍射晶体点阵完全未知，是新晶体。此时要经过标定衍射图，来确定该晶体的构造及其参数。所用方法较复杂，可图，来确定该晶体的构造及其参数。所用方法较复杂，可参阅电子衍射方面的专著。参阅电子衍射方面的专著。 v 在着手标定前，还有几点事项要引起留意：在着手标定前，还有几点事项要引起留意：v 1 1仔细制备样品，薄区要多，外表没有氧化。仔细制备样品，薄区要多，外表没有氧化。v 2 2正

21、确操作电镜，如合轴、选区衍射操作等。正确操作电镜，如合轴、选区衍射操作等。v 3 3校正仪器常数。校正仪器常数。v 4 4要在底片上丈量间隔和角度。长度丈量误差小于要在底片上丈量间隔和角度。长度丈量误差小于0.2mm0.2mm，或相对误差小于，或相对误差小于35%35%，角度丈量误差，角度丈量误差0.20.2，尚需留意底片药面是朝上放置的。，尚需留意底片药面是朝上放置的。 知样品晶体构造和相机常数：知样品晶体构造和相机常数：v 1.由近及远测定各个斑点的R值。v 2.根据衍射根本公式R=L/d求出相应晶面间距v 3.由于晶体构造知，所以可由d值定它们的晶面族指数hkl v 4.测定各衍射斑之间

22、的角v 5.决议透射斑最近的两个斑点的指数 hkl v 6.根据夹角公式，验算夹角能否与实测的吻合，假设不，那么改换 hkl v 7.两个斑点决议之后，第三个斑点为 。v 8.由 求得晶带轴指数。213RRR12uvwgg未知晶体构造的标定未知晶体构造的标定1 1尝试能否为立方尝试能否为立方v 1.由近及远测定各个斑点的R值。v 2.计算R12值，根据R12 ： R22 ： R32=N1 ： N2 ： N3关系，确定能否是某个立方晶体。v 3.有N求对应的hkl。v 4.测定各衍射斑之间的角v 5.决议透射斑最近的两个斑点的指数 hkl v 6.根据夹角公式，验算夹角能否与实测的吻合，假设不，

23、那么改换 hkl v 7.两个斑点决议之后，第三个斑点为 。v 8.由 求得晶带轴指数。213RRR12uvwgg未知晶体构造的标定未知晶体构造的标定2 2v 1.1.由近及远测定各个斑点的由近及远测定各个斑点的R R值。值。v 2.2.根据衍射根本公式根据衍射根本公式R=R=L/dL/d求出相应晶面间距求出相应晶面间距v 3.3.查查ASTMASTM卡片，找出对应的物相和卡片，找出对应的物相和hklhkl指数指数v 4.4.确定确定(hkl)(hkl)，求晶带轴指数。，求晶带轴指数。规范花样对照法规范花样对照法 v 这是一种简单易行而又常用的方法。即将实践察看、记这是一种简单易行而又常用的方

24、法。即将实践察看、记录的衍射花样直接与规范花样对比，写出斑点的指数并录的衍射花样直接与规范花样对比，写出斑点的指数并确定晶带轴的方向。确定晶带轴的方向。v 所谓规范花样直接就是各种晶体点阵主要晶带的倒易截所谓规范花样直接就是各种晶体点阵主要晶带的倒易截面，它可以根据晶带定理和相应晶体点阵的消光规律绘面，它可以根据晶带定理和相应晶体点阵的消光规律绘出见附录。出见附录。 8-5多晶电子衍射图标定多晶电子衍射图标定 v 多晶试样可以看成是由许多取向多晶试样可以看成是由许多取向恣意的小单晶组成的。故可想象恣意的小单晶组成的。故可想象让一个小单晶的倒易点阵绕原点让一个小单晶的倒易点阵绕原点旋转，同一反射

25、面旋转，同一反射面hklhkl的各等价的各等价倒易点即倒易点即hklhkl平面族中各平面族中各平面将分布在以平面将分布在以1/dhkl1/dhkl为半径为半径的球面上，而不同的反射面，其的球面上，而不同的反射面，其等价倒易点将分布在半径不同的等价倒易点将分布在半径不同的同心球面上，这些球面与反射球同心球面上，这些球面与反射球面相截，得到一系列同心园环，面相截，得到一系列同心园环，自反射球心向各园环连线，投影自反射球心向各园环连线，投影到屏上，就是多晶电子衍射图。到屏上，就是多晶电子衍射图。v 多晶电子衍射图是一系列同心园多晶电子衍射图是一系列同心园环，园环的半径与衍射面的面间环，园环的半径与衍

26、射面的面间距有关。距有关。d d值比较法值比较法 v 标定步骤v 1、丈量园环半径Ri通常是丈量直径Di，Ri=Di/2这样丈量的精度较高。v 2、由d=L/R式，计算dEi，并与知晶体粉末卡片或d值表上的dTi比较，确定各环hkli。 R2R2比值规律对比法比值规律对比法 v R2R2比值规律对比法与我们在前面德拜花样标定中引见的方比值规律对比法与我们在前面德拜花样标定中引见的方法完全一样法完全一样v 其实德拜花样就是多晶衍射环被矩形截取的部分其实德拜花样就是多晶衍射环被矩形截取的部分例例: :标定标定TiCTiC多晶电子衍射图多晶电子衍射图编号编号 1 2 3 4 5 1 2 3 4 5D

27、i 19.0 22.2 31.6 36.6 38.5Di 19.0 22.2 31.6 36.6 38.5 18.5 18.5 21.5 30.0 35.0 21.5 30.0 35.0 37.0 37.0Ri 9.38Ri 9.38 10.93 15.36 17.88 18.88 10.93 15.36 17.88 18.88Ri2Ri2 87.89 119.36 236.39 319.52 356.27 87.89 119.36 236.39 319.52 356.27Ri2/ R12Ri2/ R121 1 1.36 2.69 3.64 1.36 2.69 3.64 4.05 4.05(R

28、i2/ R12)(Ri2/ R12)3 33 4.07 8.07 10.913 4.07 8.07 10.91 12.1612.16N 3 N 3 4 4 8 11 8 11 12 12hklihkli111111 200 200 220 311 220 311 222 2228-6复杂电子衍射花样复杂电子衍射花样 1_高阶劳厄高阶劳厄斑点斑点 v 点阵常数较大的晶体，倒易空间中倒易面间距较小。假设点阵常数较大的晶体，倒易空间中倒易面间距较小。假设晶体很薄，那么倒易杆较长，因此与爱瓦尔德球面相接触晶体很薄，那么倒易杆较长，因此与爱瓦尔德球面相接触的并不只是零倒易截面，上层或下层的倒易平面上的倒

29、易的并不只是零倒易截面，上层或下层的倒易平面上的倒易杆均有能够和爱瓦尔德球面相接触，从而构成所谓高阶劳杆均有能够和爱瓦尔德球面相接触，从而构成所谓高阶劳厄区。如图厄区。如图6-156-15所示，图中经过倒易原点的倒易面为零层所示，图中经过倒易原点的倒易面为零层倒易面。在零层倒易面上面的各层平行倒易面分别为倒易面。在零层倒易面上面的各层平行倒易面分别为+1+1层、层、+2+2层层倒易面。在零层倒易面下面的各层倒易面，称为倒易面。在零层倒易面下面的各层倒易面，称为-1-1层、层、-2-2层层倒易面。倒易面。高阶劳厄斑点高阶劳厄斑点v 高阶劳厄区的出现使电子衍射花样变得复杂。在标定零层高阶劳厄区的出

30、现使电子衍射花样变得复杂。在标定零层倒易面斑点时应把高阶斑点排除。由于高阶斑点和零层斑倒易面斑点时应把高阶斑点排除。由于高阶斑点和零层斑点分布规律一样，所以只需求出高阶斑点和零层斑点之间点分布规律一样，所以只需求出高阶斑点和零层斑点之间的程度位移矢量，便可对高阶劳厄区斑点进展标定，此外的程度位移矢量，便可对高阶劳厄区斑点进展标定，此外还可以利用带有高阶劳厄斑点的规范衍射花样和测定的花还可以利用带有高阶劳厄斑点的规范衍射花样和测定的花样进展对比，来标定阶劳厄斑点。样进展对比，来标定阶劳厄斑点。v 高阶劳厄斑点可以给出晶体更多的信息。例如可以利用高高阶劳厄斑点可以给出晶体更多的信息。例如可以利用高

31、阶劳厄斑点消除阶劳厄斑点消除180180不独一性和测定薄晶体厚度等。不独一性和测定薄晶体厚度等。 复杂电子衍射花样复杂电子衍射花样 2_超点阵斑超点阵斑点点 v 当晶体内部的原子或离子产生有规律的位移或不同种原子当晶体内部的原子或离子产生有规律的位移或不同种原子产生有序陈列时，将引起其电子衍射结果的变化，即可以产生有序陈列时，将引起其电子衍射结果的变化，即可以使本来消光的斑点出现，这种额外的斑点称为超点阵斑点。使本来消光的斑点出现，这种额外的斑点称为超点阵斑点。v AuCu3AuCu3合金是面心立方固溶体，在一定的条件下会构成有合金是面心立方固溶体，在一定的条件下会构成有序固溶体，如图序固溶体

32、，如图6-166-16所示，其中所示，其中CuCu原子位于面心，原子位于面心，AuAu位于位于顶点。顶点。复杂电子衍射花样复杂电子衍射花样 2_超点阵斑点超点阵斑点v 从两个相的倒易点阵来看，在无序固溶体中，原来由于权重为零构造消光该当抹去的一些阵点，在有序化转为之后F也不为零，构成所谓“超点阵。于是，衍射花样中也将出现相应的额外斑点，叫做超点阵斑点。复杂电子衍射花样复杂电子衍射花样 3_二次衍射斑二次衍射斑点点 v 电子受原子散射作用很强，以致衍射束强度可与透射束强电子受原子散射作用很强，以致衍射束强度可与透射束强度相当动力学交互作用，故衍射束可作为新的入射束，度相当动力学交互作用，故衍射束可作为新的入射束，并产生衍射，称为二次衍射。并产生衍射，称为二次衍射。v 二次衍射可使上述一些二次衍射可使上述一些Fhkl=0Fhkl=0的消光又出现强度；也使的消光又出现强度；也使Fhkl0Fhkl0处的反射强度发生变化。二次衍射效应还能在透处的反射强度发生变化。二次衍射效应还能在透射斑点或衍射斑点周围出现一些卫星