《DB电子测试知识》ppt课件

1、1.2.2 PN结的单导游电性当外加电压时，PN结的构造将发生变化空间电荷区的宽窄变化1、PN结外加正向电压正向偏置正向偏置P接电源正，接电源正，N接电源负接电源负外电场与内电场方向相反减弱内电外电场与内电场方向相反减弱内电场，使场，使 PN结变窄。结变窄。分散运动漂移运动。分散运动漂移运动。称为称为“正导游通。正导游通。PN结外加正向电压图2、 PN结外加反向电压反向偏置反向偏置P接电源负，接电源负，N接电源正接电源正外电场与内电场方向一样加强内电外电场与内电场方向一样加强内电场，使场，使PN结变宽。结变宽。分散运动漂移运动分散运动漂移运动称为称为“反向截止反向截止PN结外加反向电压图3、P

2、N结电流方程流过PN结的电流I 与外加电压V之间的关系为： I= ISe qv/KT 1) = ISe V/VT 1)其中 VT= kT/q IS - 反向饱和电流PN结伏安特性由上式 I = ISe V/VT 1当V为正时 I ISe + V /VT PN结外加正电压时，流过电流为正电压的e指数关系。当V为负时 I = ISe V/VT 1 ISPN结外加负电压时流过电流为饱和漏电流。PN结伏安特性单导游电性单导游电性 正导游通正导游通 反向截止反向截止1.2.3 PN结电阻特性和电容特性PN结还存在电阻特性电容特性1、 PN结电阻特性两种电阻1静态电阻直流电阻 R = V/ I2动态电阻交

3、流电阻 r = v / I PN结电阻特性(图PN结电阻特性由图示，静态电阻和动态电阻均与任务点Q点有关静态电阻直流电阻是任务点斜率的 割线。动态电阻交流电阻是任务点斜率的 切线。2、PN结电容特性PN结呈现电容效应有两种电容效应势垒电容分散电容1势垒电容 CTPN结外加反向偏置时，引起 空间电荷区体积的变化相当电容的极板间距变化和电荷量的变化 CT = dQ/dv = CTO /(1 V/Vr)n 其中 CTO -外加电压 v=0 时的CT n - 系数决议于资料的杂质分布，普通取 1/21/3。 Vr- - PN结内建电压势垒电容CT原理图2分散电容 CDPN结外加正向偏置时，引起 分散浓

4、度梯度变化 出现的电容电荷效应。分散电容CD 图 分散电容CDCD = Q / V = (Q n/ V) + (Qp/ V) (Q n/ V) (对PN+结 (n I / VT) 其中： n 为P区 非平衡载流子平均寿命。 I 为PN结电流。结电容的量级CT和 CD 均在PF量级： CT 普通在几 几十PF。 CD 普通在几十 几百PF。利用结电容可制成 变容二极管。3PN结电容和结电阻综合思索 两者是并联关系： 正向时，电阻小，电容效应不明显。 反向时，电阻大，电容效应明显。 故 电容效应主要在反偏时才思索。PN结电容和结电阻综合思索图rc1.2.4 PN结击穿特性 当对PN结 外加反向电压

5、超越一定的限制，PN结会从反向截止开展到反向击穿。反向击穿破坏了PN结的单导游电特性。利用此原理可以制成 稳压管。PN结击穿特性图PN结击穿PN结击穿有 两种 热击穿 电击穿1、电击穿电击穿是 可逆的可恢复，当有限流电阻时。电击穿有两种机理机理 可以描画： 雪崩击穿 齐纳击穿1雪崩击穿特点如下： 低掺杂， PN结宽，正温系数，常发生于大于7伏电压的击穿时雪崩效应2齐纳击穿特点如下： 高掺杂， PN结窄，负温系数，常发生于小于5伏电压的击穿时隧道效应特殊情况在在 57 57V V击穿发生时，两种击击穿发生时，两种击穿机理都有。穿机理都有。温度系数可到达最小。温度系数可到达最小。5.7V5.7V以

6、下齐纳效应占优势，表现为以下齐纳效应占优势，表现为负温度系数，负温度系数，5.7V5.7V以上雪崩效应占以上雪崩效应占优势，表现为正温度系数。优势，表现为正温度系数。2、热击穿电击穿后如无限流措施，将发生热电击穿后如无限流措施，将发生热击穿景象。击穿景象。热击穿会破坏热击穿会破坏PN结构造烧坏结构造烧坏热击穿是热击穿是 不可逆不可逆 的。的。二次击穿除以上击穿景象外，还有一种特殊的击穿景象，即 二次击穿。二次击穿的 特点是管子不发热。二次击穿是 不可逆 的。第二章 DB3根本知识2.1 DB3简介与任务原理2.2 DB3技术要求2.3 DB3工艺过程DB3简介双向触发二极管亦称二端交流器件DI

7、AC，主要在电子节能灯、电子镇流器或其它无线电路中作触发用。近年来，随着国内电子节能灯的日趋普及，双触发二极管的用量逐渐增大。DB3外观与封装目前我们运用的DB3有两种封装： A-405塑封与DO-35玻封 兰色：ST DO-35 乐山本体标识：DB30 红色： 晶横本体标识：DB3 A-405： 黑色塑封DB3内部构造DO-35玻封DB3内部构造两种构造比较DO-35优点：具有耐热性、可靠性、低损耗、不燃性和小型轻量化等突出优点 。DO-41优点：抗机械强度高、电流冲击才干大等。DO-35缺陷：抗机械强度不高、受热会使信号断续，容易出现前期失效。DO-41缺陷：热稳定性差，运用后期容易出现失

8、效。因此，普通大功率和长寿命的节能灯都采用DO-35玻封构造带罩灯DB3技术目的1、触发电压 DB3的触发电压由资料片的电阻率来决议，电阻率高那么DB3的触发电压也高；反之，那么DB3的触发电压就低。 MIN：28V MAX：36V VBO-T关系曲线从曲线中可以看出VBO随温度的添加而添加，在110左右到达最大值。2、动态转机电压V定义：V=VBO-VF，VBO为触发电压， VF为IF在10mA处的电压。VBO与V的关系a、DB3的触发电压由资料片的电阻率 来决议 b、DB3构造类似与一个简单的NPN型三极管，其回弹电压深度取决于分散时的浓度大小和分散后构成的基区宽度，该两点遭到公司工艺条件

9、的控制，不易改动。 C、基于以上两点，当DB3的分散浓度和基区宽度不变时，电阻率高的触发电压也高，但他的回弹电压并不会改动多少V3，由于它的大小曾经由浓度和基区宽度决议了，但其负阻电压V就会变高，由于设定的测试电流IF一直为10mA。 3、冲击电流ITRM图中给出了ITRM随tp宽度的变化曲线。在实践的触发电路中，电流的脉冲宽度在400nS左右，所能接受的脉冲电流更大。4、上升时间tr与峰值电流Ip要求tr2uS、 Ip300mA测试条件：触发电容C=22nF 在实践测试中，乐山和ST的DB3上升时间在200nS左右，晶恒DB3上升时间在150nS左右；Rise time measurementtr和Ip与启动电容C的关系Tr与Ip的测试原理图如下图tr和Ip随启动电容的增大而增大，反之亦然。Vdc的变化对tr和Ip没有影响，只影响充电时间。 漏电流IB与IBOIBU=0.5VBO10uAIBOBreakover current50uA由于实验条件的限制，这两项无法准确测试。VBO、V、tr、Ip综合思索