第三章干扰噪声及其抑制2015

1、微弱信号检测微弱信号检测3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制 (如如疾病与防治疾病与防治) (电磁兼容性电磁兼容性EMC）3.1 环境干扰噪声（环境干扰噪声（what？） 3.1.1 干扰噪声源干扰噪声源(1) 电力线噪声电力线噪声: 尖峰脉冲，工频电磁场，电尖峰脉冲，工频电磁场，电网电压波动网电压波动(2) 电器设备噪声电器设备噪声: 放电（辉光、弧光、火花、放电（辉光、弧光、火花、电晕）噪声电晕）噪声 (3) 射频噪声射频噪声 (4) 接地电位差噪声接地电位差噪声( (共模共模) ) (5) 雷电噪声雷电噪声 (6) 天体噪声天体噪声 (7) 机械噪声机械噪声: 摩擦、压电、颤噪等效应噪声

2、，摩擦、压电、颤噪等效应噪声，导体在磁场中的运动导体在磁场中的运动 (8) 其他噪声其他噪声: 电化学、温度、触点等噪声电化学、温度、触点等噪声13 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.1 环境干扰噪声环境干扰噪声 3.1.2 干扰噪声的谱分布（疾病的特点分布）干扰噪声的谱分布（疾病的特点分布）23 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径（干扰耦合途径（如何传播？如何传播？） 3.2.1 传导耦合与公共阻抗耦合传导耦合与公共阻抗耦合 (1) 传导耦合传导耦合:(长长)导线传导引入干扰噪声导线传导引入干扰噪声 有效方法有效方法:去耦和滤波去耦和滤波 (2) 公共阻抗耦合公共阻抗耦合

3、:如公共电源、地线等如公共电源、地线等3电路电路1电路电路2ZCZGVCi2 2BAi1 1交流电阻或有效电阻交流电阻或有效电阻(Effective Resistance)P107 电阻量的概念电阻量的概念利用合适的接地措施利用合适的接地措施3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.2 （交流）电源耦合（交流）电源耦合4抑制方法抑制方法 输入滤波；选择低噪声、低输出阻抗的电源输入滤波；选择低噪声、低输出阻抗的电源P108 压敏电阻的作用及其原理压敏电阻的作用及其原理金属箔屏蔽层金属箔屏蔽层不共地不共地滤波抑制射频干扰滤波抑制射频干扰3 干扰噪声及其抑制干扰噪

4、声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.3 电场耦合（电场耦合（容性耦合容性耦合）5数字信号经电场耦合的波形数字信号经电场耦合的波形1ii212Vjf R Cujf R C串：12iCRfjCuRfVi12信号的频率信号的频率输入阻抗输入阻抗电场耦合噪声一般表现为导线对地的电压电场耦合噪声一般表现为导线对地的电压3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.3 电场耦合电场耦合5噪声源功率谱噪声源功率谱放大器器输入端放大器器输入端的噪声源功率谱的噪声源功率谱2i2ii1112212CRfjfSCRfjCRfjfSuVfSfSuuuV)()()()(放

5、大器的输入阻抗是非常关键的放大器的输入阻抗是非常关键的?3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.4 磁场耦合（磁场耦合（电感性耦合或互感耦合电感性耦合或互感耦合） (1) 电磁感应耦合电磁感应耦合 (2) 互感耦合互感耦合6dtdiM12相关的计算公式及简单计算见书相关的计算公式及简单计算见书P1133 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.4 磁场耦合磁场耦合 (1) 电磁感应耦合电磁感应耦合 (2) 互感耦合互感耦合7fffSMd)(220i122LddLLMss1220ln12420sdhLMln互感耦合还要受到附

6、近的第三个电路导体的影响互感耦合还要受到附近的第三个电路导体的影响.第三个电路导体的阻抗越低第三个电路导体的阻抗越低,则对互感的影响越大则对互感的影响越大.3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.4 磁场耦合磁场耦合 (1) 电磁感应耦合电磁感应耦合 (2) 互感耦合互感耦合 (3) 磁场耦合干扰的抑制（磁场耦合干扰的抑制（同电场耦合的不同同电场耦合的不同）8磁场耦合噪声一般表现为与信号相串联的感生电压磁场耦合噪声一般表现为与信号相串联的感生电压3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.4 磁场耦合磁场耦合 (1) 电磁

7、感应耦合电磁感应耦合 (2) 互感耦合互感耦合 (3) 磁场耦合干扰的抑制磁场耦合干扰的抑制8磁屏蔽（漏磁）磁屏蔽（漏磁）3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.2 干扰耦合途径干扰耦合途径 3.2.5 电磁辐射耦合（电磁辐射耦合（射频噪音和天体噪音的主要耦合方式）射频噪音和天体噪音的主要耦合方式）9直线发射器直线发射器圆环发射器圆环发射器6010628302rILfrILfEesin.sin1322210230m1013160rIAfrIAfEsin.sin频率越高频率越高,电磁辐射场的强度越高电磁辐射场的强度越高利用导体屏蔽罩来抑制利用导体屏蔽罩来抑制3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3

8、.3 屏敝屏敝(最有效的手段最有效的手段,高导电或导磁材料高导电或导磁材料) 3.3.1 场传播与波阻抗场传播与波阻抗 (1) 波阻抗及随距离的变化波阻抗及随距离的变化10HEZW377000HEZ波阻波阻抗抗感应场感应场辐射场辐射场过度区过度区在靠近干扰源的地方，场的性质主要取决于在靠近干扰源的地方，场的性质主要取决于干扰源的性质，在远离干扰源的性质，在远离传播介质。传播介质。结论:近场近场:当干扰源小电流高电压时,近场以电场为主,波阻抗较高为,干扰主要以容性耦合容性耦合引入;当干扰源为大电流低电压时,近场以磁场为主,波阻抗较低,干扰主要以感性耦合感性耦合引入;波阻抗的定义，特征阻抗等波阻抗

9、的定义，特征阻抗等参见参见P119-121 3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.1 场传播与波阻抗场传播与波阻抗 (2) 小型发射天线的辐射场小型发射天线的辐射场113 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.1 场传播与波阻抗场传播与波阻抗 (3) 介质的波阻抗介质的波阻抗12rfjZ0E21rfjZ0M21空气中近场波阻抗空气中近场波阻抗介质中平面波波阻抗介质中平面波波阻抗fjfjZ22W介质磁导率介质磁导率介质电容率介质电容率介质电导率介质电导率fjZ2W导体中导体中WZ绝缘体中绝缘体中3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.

10、3.2 屏蔽层的吸收损耗屏蔽层的吸收损耗13xxEEe0%.78836e10660100rrHHEEffxx介质内电磁波强度介质内电磁波强度(深度深度x)(.lglg)(dB1326982020rr00fxxHHEExAxx吸收损耗吸收损耗xxHHe0参数理解参数理解集肤深度集肤深度3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.3 屏蔽层的反射损耗屏蔽层的反射损耗 (1) 电磁波在界面处的反射与透射电磁波在界面处的反射与透射14122122ZZZEE121122ZZZHH12122ZZEE212HH时时12ZZ 绝缘体绝缘体导体导体3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏

11、敝屏敝 3.3.3 屏蔽层的反射损耗屏蔽层的反射损耗 (2) 电磁波穿透屏蔽层（电磁波穿透屏蔽层（两种损耗）152wswsstisit4ZZZZEEEEEEwsitit4ZZHHEE时时wsZZ绝缘体绝缘体导体导体2wswsstisit4ZZZZHHHHHH结 论1:1:对电场的反射衰减主要发生在从空对电场的反射衰减主要发生在从空气到金属的入射面气到金属的入射面. .2:2:对磁场的反射衰减主要发生在从金对磁场的反射衰减主要发生在从金属到空气的出射面属到空气的出射面. .因此对电场的屏蔽可以利用很薄的金因此对电场的屏蔽可以利用很薄的金属材料属材料, ,而对磁场的屏蔽还要利用高导而对磁场的屏蔽还

12、要利用高导磁率材料的吸收作用磁率材料的吸收作用. .3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.3 屏蔽层的反射损耗屏蔽层的反射损耗 (3) 反射损耗反射损耗16wsitit4202020ZZHHEERlglglg3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.3 屏蔽层的反射损耗屏蔽层的反射损耗 (3) 远场（平面波）反射损耗远场（平面波）反射损耗17fffffjZZZZZZRrrrr12rrss0sws102168107128539103771053921053922025942020437720377420420420lg.lg.lg.lg.lg.lglg

13、lglglglg3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.3 屏蔽层的反射损耗屏蔽层的反射损耗 (4) 近场反射损耗近场反射损耗18r33rs0E10322820rfZrfRlglg电场为主电场为主磁场为主磁场为主r2r0sM106142420rfrfZRlg.lg3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.4 屏蔽效果屏蔽效果 (1) 屏蔽总效果屏蔽总效果19AAxjsAeZZZZB2010122swsw10230102110120.)().cos(lglgsBRAHHEEStiti2020lglg校正系数校正系数反射损耗反射损耗吸收损耗吸收损耗时时ws

14、ZZ绝缘体绝缘体导体导体 当吸收损耗当吸收损耗 A 足够大足够大( (屏蔽层的厚度屏蔽层的厚度xs和电、磁导率足够大和电、磁导率足够大) )时，由于屏蔽层内多次反射而产生的校正系数时，由于屏蔽层内多次反射而产生的校正系数 Bs 可以忽略。可以忽略。3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.4 屏蔽效果屏蔽效果 (2) 多层屏蔽多层屏蔽20解释原因？解释原因？3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.4 屏蔽效果屏蔽效果 (3) 屏蔽层上的开孔和接缝屏蔽层上的开孔和接缝21漏磁漏磁3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.3 屏敝屏敝 3.3.4 屏蔽效果屏

15、蔽效果 (4) 屏蔽层上的波导管：屏蔽层上的波导管：22)(.Hz1017509cdf)(dB32dlS 3cff(5) 屏蔽效果小结屏蔽效果小结 P129 将开口作成波导管将开口作成波导管干扰场衰减大干扰场衰减大3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.1 电缆屏蔽层与芯线间的耦合电缆屏蔽层与芯线间的耦合 (1) 耦合模型耦合模型: 参数的定义参数的定义23is产生的磁通产生的磁通ssiL屏蔽层电感量屏蔽层电感量屏蔽层与芯线间的互感屏蔽层与芯线间的互感siMsLM 屏蔽层电阻屏蔽层电阻定义定义ssssLjRiVi=jwMis3 干扰噪声及其抑制干扰噪声

16、及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地(屏蔽层单点接地屏蔽层单点接地,WHY?) 3.4.1 电缆屏蔽层与芯线间的耦合电缆屏蔽层与芯线间的耦合 (2) 屏蔽层截止频率屏蔽层截止频率 fc24ssssLjRisssiiLjMijsLM 屏蔽层电阻屏蔽层电阻ssssisssssi11LRjLjRLjRLj2c22ss2ssssissi11121111111fffLRLRLRj截止频率截止频率感应到芯线感应到芯线上的电压上的电压3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地(屏蔽层单点接地屏蔽层单点接地,WHY?) 3.4.1 电缆屏蔽层与芯线间的耦合电缆屏蔽层与芯线

17、间的耦合 (2) 屏蔽层截止频率屏蔽层截止频率 fc：物理意义物理意义242csi11ff屏蔽层电流引起的输入噪声屏蔽层电流引起的输入噪声ssnsRLjinsssssssssnRLjRRiMijRLjiu)(213 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.2 接地抑制接地抑制电场电场耦合噪声（耦合噪声（减小耦合电容减小耦合电容） (1) 无屏敝导线间的容性耦合无屏敝导线间的容性耦合251G221uCCRjRCju)()(G21CCR1G22uCCCu12RCuju)(G21CCR2G2121)(CCRRCuu与频率无关与频率无关与频率成线性与频率成线性放大

18、器对地输放大器对地输入电阻入电阻3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.2 接地抑制接地抑制电场电场耦合噪声耦合噪声 (1) 无屏敝导线间的容性耦合无屏敝导线间的容性耦合252G2121)(CCRRCuu 结结 论论 与与 措措 施施 容性耦合的敏感度取决于分布电容容性耦合的敏感度取决于分布电容 放大器接收到的干扰噪声强度正比放大器接收到的干扰噪声强度正比于噪声源的强度于噪声源的强度 高阻输入回路电场耦合的影响更为高阻输入回路电场耦合的影响更为严重严重 信号线远离干扰线信号线远离干扰线,避免平行布线避免平行布线,且信号线越短越好且信号线越短越好. 采取

19、措施克服电场干扰采取措施克服电场干扰 前置放大器的输入阻抗应尽量小前置放大器的输入阻抗应尽量小3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.2 接地抑制接地抑制电场电场耦合噪声耦合噪声 (2) 有屏敝导线间的容性耦合有屏敝导线间的容性耦合261S2G221uCCCRjRCju)()(S2G21CCCR1S2G22uCCCCu12RCuju)(S2G21CCCR远小于无屏蔽远小于无屏蔽公式形式相似公式形式相似,但参数有变化但参数有变化较小（裸露部分）较小（裸露部分）3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.2 接地抑制接

20、地抑制电场电场耦合噪声耦合噪声 (2) 有屏敝导线间的容性耦合有屏敝导线间的容性耦合26 注意注意 只有把屏蔽层连接到电路地时屏蔽才会更有效只有把屏蔽层连接到电路地时屏蔽才会更有效. 应该避免杂散应该避免杂散 (噪声噪声)电流流过屏蔽层电流流过屏蔽层. 当有多个独立屏蔽时当有多个独立屏蔽时,应串联后再连接到信号地应串联后再连接到信号地.3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.3 接地抑制接地抑制磁场磁场耦合噪声（耦合噪声（改变感生电流的路改变感生电流的路径，减小感应面积，接地方式很关键径，减小感应面积，接地方式很关键） (1) 信号两端接地信号两端接地

21、, ,屏蔽不接地或单点接地屏蔽不接地或单点接地27对噪声磁场仅存在吸收（涡流）和反射衰减对噪声磁场仅存在吸收（涡流）和反射衰减结论结论:在这种情况下在这种情况下,屏蔽层除了对干扰磁场的吸收衰减屏蔽层除了对干扰磁场的吸收衰减和反射衰减外和反射衰减外,屏蔽层没有产生附加的衰减作用屏蔽层没有产生附加的衰减作用3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.3 接地抑制磁场耦合噪声接地抑制磁场耦合噪声 (2) 信号信号和和屏蔽层均两端接地屏蔽层均两端接地c281sssiLRjji/01sss)()(MjiRLjisscLR感应电流流回信号线有两个通路：经屏蔽层，经地线

22、感应电流流回信号线有两个通路：经屏蔽层，经地线当当时时s1ii3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.3 接地抑制磁场耦合噪声接地抑制磁场耦合噪声 (2) 信号信号和和屏蔽层均两端接地屏蔽层均两端接地28sscLRiG0区域区域iG0时的面积时的面积3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.3 接地抑制磁场耦合噪声接地抑制磁场耦合噪声 (3) 信号信号和和屏蔽层均两端接地的屏蔽层均两端接地的缺限缺限29信号不接地时的等效电路信号不接地时的等效电路高频噪声影响严重高频噪声影响严重ssGsRLjuiGssGssssn

23、uLRjjuRLjLjMiju两地间存在两地间存在噪声电压时噪声电压时同时地电位差的影响很严重同时地电位差的影响很严重3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.3 接地抑制磁场耦合噪声接地抑制磁场耦合噪声 (4) 信号信号和和屏蔽层均单点接地屏蔽层均单点接地30不会引入地电位差不会引入地电位差,通常当频率低通常当频率低于于1MHZ时采用此接法时采用此接法3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.3 接地抑制磁场耦合噪声接地抑制磁场耦合噪声 (5) 屏蔽层混合接地屏蔽层混合接地31阻断低频噪声阻断低频噪声通常高频时采

24、用此接法通常高频时采用此接法:屏蔽层多点接地屏蔽层多点接地(分段分段),以克服集肤效应引起的屏蔽层阻抗的增加以克服集肤效应引起的屏蔽层阻抗的增加3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.4屏蔽层屏蔽层接地点接地点的选择的选择 (1) 放大器接地信号源浮空：放大器接地信号源浮空：屏蔽层连接到放大器的公共端屏蔽层连接到放大器的公共端32)(G2G121112uuCCCuG121112uCCCu无无关关、与与G2G112uuu3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.4 屏敝电缆的接地屏敝电缆的接地 3.4.4屏蔽层接地的选择屏蔽层接地的选择 (2) 放大器浮空

25、信号源接地放大器浮空信号源接地屏蔽层连接到信号源的公共端屏蔽层连接到信号源的公共端32)(G2G121112uuCCCuG121112uCCCu无无关关、与与G2G112uuu3.5 电路接地电路接地 “地地”的概念？的概念？ 等电位等电位点点3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制 为什么？接地目的为什么？接地目的：减少多个电路的电流流经公共阻抗产生的噪声电；：减少多个电路的电流流经公共阻抗产生的噪声电；：减少信号回路感应磁场噪音的面积；：减少信号回路感应磁场噪音的面积；：消除地电位差：消除地电位差采用的常见措施采用的常见措施：采用低功耗器件，减少流经地的电流；：采用低功耗器件，减少流经地的电流

26、；：电源滤波，使电流变得平滑；：电源滤波，使电流变得平滑；：地线加粗，面积加大，减少阻抗。但注意高频的：地线加粗，面积加大，减少阻抗。但注意高频的集肤效应。集肤效应。3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.1 电路的接地方式电路的接地方式 (1) 串行单点接地串行单点接地33电路电路1电路电路2电路电路3i2i3i1Z2Z3Z1ABC1321AZiiiu)(2321321BZiiZiiiu)()(332321321CZiZiiZiiiu)()( 大功率回路对小功率回路影响极大，微弱信号检测电路大功率回路对小功率回路影响极大，微弱信号检测电路切不可采用这种接地方式。

27、尤其是模、数混合电路。切不可采用这种接地方式。尤其是模、数混合电路。3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.1 电路的接地方式电路的接地方式 (2) 并行单点接地并行单点接地34电路电路1电路电路2电路电路3i2i3i1Z2Z3Z1ABC11AZiu22BZiu33CZiu 低频特性较好低频特性较好(1MHz以下适用以下适用)，但各接地回路存在天线效应，但各接地回路存在天线效应，高频回路辐射明显，也易受高频噪声干扰。成本高，布线难高频回路辐射明显，也易受高频噪声干扰。成本高，布线难3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.1 电路的接地

28、方式电路的接地方式(3) 多点接多点接板板地：地：集肤效应的存在注重的是表面积而不是厚度集肤效应的存在注重的是表面积而不是厚度35电路电路1电路电路2电路电路3高频接地阻抗小，但低频特性不如单点并行接地。高频接地阻抗小，但低频特性不如单点并行接地。尽量短尽量短3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.1 电路的接地方式电路的接地方式 (4) 混合接地方式（上面良种方法的融合）混合接地方式（上面良种方法的融合）36电路电路1电路电路2电路电路3高频特性与多点接地板相当，低频相当于单点并行接地。高频特性与多点接地板相当，低频相当于单点并行接地。（解释为什么）（解释为什么

29、）3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (1) 两点接地两点接地37i1s2RRRRGG22i1sinuRRRRRRRu解决办法如下：解决办法如下： 3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (2) 单点接地单点接地38只存在共模干扰。因为与输入只存在共模干扰。因为与输入信号回路不会发生偶合信号回路不会发生偶合3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (3)

30、差动放大（必须分别接地的情况）差动放大（必须分别接地的情况）39KuRRRRRRRuuKus12si2i1i2i1BsAsos)(12si2i1RRRRRKuusosG2i2i21si1i1BnAnnuRRRRRRRuuu2i2RR1si1RRR0i2i1GRRR3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (4) 平衡差动放大平衡差动放大40只存在共模干扰只存在共模干扰3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (5) 防护屏蔽防护屏蔽 原理原

31、理41共模电压共模电压s111gG222111BAABuZZZuuZZZZZZuuu)()(gG222gBuuZZZuu)(gsG111gAuuuZZZuu2121ZZZZs111ABuZZZu3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (5) 防护屏蔽防护屏蔽 放大器浮空式防护屏蔽放大器浮空式防护屏蔽42s111ABuZZZu电池供电电池供电?3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.5 电路接地电路接地 3.5.2 放大器输入信号回路接地放大器输入信号回路接地 (5) 防护屏蔽防护屏蔽 双屏蔽罩双屏蔽罩4321221

32、1sBAABZZZZuuuu222111111gGZZZZZZZZZuu2BAguuus111gG222111BAABuZZZuuZZZZZZuuu)(ug)(gG222gBuuZZZuu)(gsG111gAuuuZZZuu3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.6 其他噪声抑制技术其他噪声抑制技术 3.6.1 隔离隔离 (1) 变压器隔离变压器隔离44电位差不会形成放大器输入端的共模噪声电位差不会形成放大器输入端的共模噪声3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.6 其他噪声抑制技术其他噪声抑制技术 3.6.1 隔离隔离 (2) 光电耦合隔离光电耦合隔离45注意：速度、线性度、传光比、频率等注意：速度、线性度、传光比、频率等3 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.6 其他噪声抑制技术其他噪声抑制技术 3.6.1 隔离隔离 (3) 隔离放大器隔离放大器463 干扰噪声及其抑制干扰噪声及其抑制3.6 其他噪声