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文档简介
1、邯郸学院精品课 模拟电子技术 主讲人田俊芳 信息工程学院电子工程系第三讲 晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性五、温度对晶体管特性的影响四、主要参数一、晶体管的结构和符号一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度高多子浓度很多子浓度很低,且很薄低,且很薄面积大面积大晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管二、晶体管的放大原理二、晶体管的放大原理(集电结反偏),即(发射结正偏)放大的条件BECECBonBE0uuuUu 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE,复合
2、运动形成基极,复合运动形成基极电流电流IB,漂移运动形成集电极电流,漂移运动形成集电极电流IC。因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低,使极少因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电结加反向电压且集电区面积大,因集电结加反向电压且集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区电子漂移到集电区 电流分配:电流分配: I IE EI IB BI IC C I IE E扩散运动形成的电流扩散运动形成的电流 I IB B复合运动形成
3、的电流复合运动形成的电流 I IC C漂移运动形成的电流漂移运动形成的电流CBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数三、晶体管的共射输入特性和输出特性三、晶体管的共射输入特性和输出特性CE)(BEBUufi 为什么为什么UCE增大曲线右移?增大曲线右移? 对于小功率晶体管,对于小功率晶体管,UCE大于大于1V的一条输入特性曲线的一条输入特性曲线可以取代可以取代UCE大于大于1V的所有输入特性曲线。的所有输入特性曲线。为什么为什么UCE增大到一定值曲增大到一定值曲线右移就不明显了?线右移就不
4、明显了?1. 输入特性输入特性2. 输出特性输出特性B)(CECIufi 对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。 为什么为什么uCE较小时较小时iC随随uCE变变化很大?为什么进入放大状态化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?曲线几乎是横轴的平行线?饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区晶体管的三个工作区域晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅几乎仅仅决定于输入回路的电流决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源控制的电流源iC 。状态状态uBEiCuCE截止截止 uBE放大放大 Uon=iB uBE饱和饱和 UoniB uBE四、温度对晶体管特性的影响四、温度对晶体管特性的影响温度升高时,正向特性曲线将左移,反之将右移。温度升高,集电极电流将增大。五、主要参数 直流参数直流参数: 、 、ICBO、 ICEOc-e间击穿电压间击穿电压最大集电最大集电极电流极电流最大集电极耗散功最大集电极耗散功率,率,PCM
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