系统级封装(SiP)术语编制说明

1、国家标准 系统级封装 (SiP)术语 (征求意见稿 )编制说明1 工作简况1.1任务来源本项目是 2018年国家标准委下达的军民通用化工程标准项目中的一项， 本国家标准的制定任务已列入 2018年国家标准制修订项目， 项目名称为系统级封装(SiP)术语，项目编号为： * 。本标准由中国电子科技集团公司第二十九研究所负责组织制定，标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（ TC78/SC2）。1.2起草单位简介中国电子科技集团公司第二十九研究所位于四川成都， 是我国最早建立的专业从事电子信息对抗技术研究、 装备型号研制与批量生产的骨干研究所。 多年来一直承担着国家重点工程

2、、 国家重大基础、国家重大安全等工程任务。 能够设计、开发和生产陆、海、空、天等各种平台的电子信息系统与装备，向合作伙伴和用户提供高质量及富有创新的系统和体系解决方案。二十九所总占地面积近 2000亩。建有军品研发中心、民品研发中心、高科技产业园生产制造中心和测试培训基地。 拥有先进的电磁环境仿真中心、 国家级质量检测中心和大型电子信息装备试验场， 良好的基础设施为检验电子信息装备的综合试验性能和进行技术验证、 开展科学试验提供了良好条件。 国际先进的宽带微波混合集成生产线、 先进数控加工设备以及现代化的大型物流等设施， 为电子信息装备的研制和生产提供坚实的平台。在军民结合、寓军于民的方针指导

3、下，二十九所引入战略合作伙伴，通过控股公司十余年来的探索， 已在微波射频部件与组件、 无线电频谱监测、 综合信息服务领域初具规模，近年来，民品公司在电磁空间安全、物联网高端制造、低碳经济产业领域积极探索，已取得初步成效。经过 50余年的创业与发展，二十九所正以追求卓越、不断创新的特色文化为依托，培养敬业爱岗、有知识的员工；培育团结协作、富于进取的团队。我们实施集团化运作， 推动军民贸协调发展， 为把二十九所建设成为引领电子对抗行业发展，并与国际接轨的现代创新型企业而奋斗！1.3主要工作过程1接到编制任务，项目牵头单位中国电子科技集团公司第二十九研究所成立了标准编制组，中科院微电子研究所、复旦大

4、学、厦门半导体封装有限公司等相关单位参与标准编制工作。编制组落实了各单位职责，并制定编制计划。编制组查找了国际、 国内 SiP 封装相关标准， 认真研究了现行集成电路标准体系和相关标准技术内容，在此基础上形成了标准草案。2 标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题2.1本标准制定原则本标准遵循 “科学性、实用性、统一性、规范性 ”的原则进行编制，依据GB/T1.1-2009 规则起草，确立了本标准的范围、规范性引用文件、术语。2.2标准的主要内容与依据本标准的定位本标准是 SiP 封装系列标准中的一项，规定了 SiP 系统级封装的术语，本标准规定了系统级封装 (SiP)在生产制造、工程

5、应用和产品校验等方面与设计、 材料、结构、加工工艺、组装封装、测试测量相关的通用术语和专用术语。目前，国际上系统级封装(SiP)相关术语和定义的标准有IEC SC47A 于 2018年发布的IEC 63011-1:2018 Integrated circuits - Three dimensional integratedcircuits - Part 1: Terminology（集成电路- 三维集成电路- 第 1 部分：术语），IPC-T-50H CN Terms and Definition for Interconnecting and Packaging ElectronicCirc

6、uits（电子电路互连与封装术语与定义），国内有GB/T 26111-2010 微机电系统（ MEMS ）技术术语。本标准主要参考IPC-T-50H CN 标准制定，术语和定义与 GB/T 26111-2010 和 GB/T 9178-88 协调一致。关于引用文件引用 GB/T 9178-88 集成电路术语和 GB/T 26111-2010 微机电系统（ MEMS ）技术术语术语和定义本标准将术语和定义分为两部分：通用术语、设计术语、材料术语、基板术语、结构术语、技术和工艺术语、组装和封装术语、测试测量术语、质量与可靠性术语。通用术语部分主要是二次集成的相关术语，包括了系统级封装、多芯片组件、

7、陶瓷通孔、硅通孔、玻璃通孔、晶圆级封装、封装基板、陶瓷柱栅阵列、高密度2多层互连、无源集成、异构集成、三维集成、微波光子、 3D 打印电路、多项目晶圆、混合集成电路、微波单片集成电路、微波混合集成电路。设计术语部分主要包括了原理图、网表、叠层 /剖面图 /截面、内埋层、倒装芯片、引线键合芯片、芯片贴装区域、芯片堆叠、中间层、间隔层、埋孔、设计约束、基板设计规范、封装制造规范、设计规则检查、元器件布局、基板布线、键合焊盘、阻焊开窗、扇出、电镀线、信号完整性、电源完整性、电磁兼容、电源滤波、重新布线层、负温度系数、功率密度、功率耗散、电阻漂移。基板术语包括了衬底、 基板、硅基板、低温共烧陶瓷、 高

8、温共烧陶瓷、 浆料、生瓷、高频微波印制基材、液晶高分子聚合物、微带线、氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氧化铍陶瓷基板、金刚石基板。材料术语包括了金刚石铜、金刚石铝、高硅铝合金、铝碳化硅、石墨烯散热片、金锡合金、铟锡合金、 铟银合金、液态金属、苯丙环丁烯、 氮化镓、磷化铟、锗硅、镍钯金。结构术语包括了陶瓷腔体、金属腔体、散热孔、 LTCC 通孔、盲腔、绝缘子孔、密封台阶、密封间隙、密封区、关键密封区。技术、工艺术语包括了金属化、共烧、后金属化、填孔、叠层、即烧、内埋电阻、内埋电容、堆栈孔、交错孔、超声清洗、晶圆研磨、贴膜、晶圆切割、紫外光照射、等离子清洗、塑封、打标、植球、切割、可控塌陷键合、楔

9、形键合、超声热压键合、复合键合、高频感应钎焊、红外焊接、金属热压键合、金属共晶键合、临时键合、键合尾丝、下金属化层、焊料熔蚀、清理、固定、激光调阻、侧面互连法、面阵互连法、自由空间光互连。组装和封装术语包括了微组装、陶瓷基板多芯片组件、沉积 / 薄膜多芯片组件、叠层基板多芯片组件、共烧 /沉积型混合多芯片组件、硅基板多芯片组件、挠性基板上芯片、挠性基板上芯片、芯片尺寸封装、晶圆级芯片尺寸封装、扁平无引脚封装、转接板、铜柱凸点、金凸点、焊料凸点、埋置电容 /电阻、埋置芯片、芯片堆叠、封装堆叠、封装堆叠封装、超声热压焊、微隙焊、平行缝焊、储能焊、封装密度。测试测量术语包括了双探针测试法、 三探针测

10、试法、 电子束探针测试法、 固定探针阵列测试法、光学自动检测、相敏非线性检测、非矢量测试、边界扫描测3试、粒子碰撞噪声检测、检漏、漏率。质量与可靠性术语包括了环境应力筛选、失效模式及效应分析、爆米花效应、电迁移、焊点开裂、电化学腐蚀、封装裂纹、基板裂纹、应力裂纹、漏气、金丝键合退化、镀层起层、静电放电、多余物。3 主要试验（或验证）情况分析无。4 知识产权 说明无。5 采用国际标准 和国外先进标准情况本标准主要参考 IPC-T-50H CN Terms and Definitionfor Interconnectingand Packaging Electronic Circuits（电子电路互连与封装术语与定义）制定。6 与现行相关 法律、法规、规章及相关标准的协调性本标准不违反现行的法律、 法规和规章。与 GB/T 12750-2006半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）、GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第 1部分：总则、 GB/T9178-88集成电路术语以及 GB/T 26111-2010微机电系统（ M