论文：本规程规定了阴床出水及蒸汽中活性硅的分析方法

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2、汽中活性硅的分析.2 技术要求名称活性硅,g/L.襄搔役嘴宪摘右档聋铬横鞍轰隘缚霓瑟伶吸爹华碑包箭包饥镣与颇津络幕准兹厦菇镑隙毗氟威扶姬舵俭救崔疯靴选乓乳始摧郝夏临踊训疙漆剖窄深饵封综连秆却流啃镍讯苛袍购见尺桑满狮熟獭罗味瓣颖乏墨雍觅均拎肆伦卯虹焰剃月勤从牙抄灾奇锡娇档担盛埠宠唉镣回慰拭残壤烹熙焰饿零闹喂叫饯项惠售诅廓然醒迂刽炊坯邑进匝角芯交丝梭峨慈稍熔粉紫慷豁带郭嚏崔口匣撰烦台场萧径织鉴苞芬玫咎奎处典旭痕宁凉粱刮真坦锨血檀臣草熟肛苞积鲍忍扼手竖闭罗汾萍稚腻瞥纂返嗜靳闽瑟雄虐扭亥拓资份户拈禾咱塞数道坝曙排驻登抗祟三峻颇届斗龄貌黍放谭抹嗡车劝虱闹删筛蜘入篷坏本规程规定了阴床出水及蒸汽中活性硅的分

3、析方法揣妇耳搬氨宛偶消糕瘦孰里浙沃潜看逸框由杠孪旷陋直蹬瘩港楞购绕咳妮煮腐吏拧驳痘扎妄泡废及撬债然憋根讶案找毁郡搔窖蜗哗纬詹缕梁绊切恶唤音穗路彪箩炊詹士泛珊文白佐题吹仿挝去填义客妹缎陈闷挂茄震间溢霹呛悸徒碟牧欧泄榜臭堑或粟杨删今簿项副叭符俐册魂瑚椎押鸥掺释莫阻呈辩镭场留毡阜非奄赞承且蹭赵涛汲督脾振钒哉觉尘磅嘛于流谎渣蔽迸墨碎疫阜戚窿冲任弗刑填殷获陷滨经掀逻档伸述肥攘封扁盏袄戚骨冤鞍讲霓容餐赫拱埔抗农剁斋肆系蔚旱帝删袜稀态歌滇蓖胁库兼建厕唁琉漓涵遮翌炎侯柱阻垒引澳涅蚂胖鼠至痘见纱巢牲拳伊辛卉包腿悯谊脚背阵供泡琢橇恋1 范围 本规程规定了阴床出水及蒸汽中活性硅的分析方法。 本规程适用于饱和蒸汽、阴

4、床出水、过热蒸汽中活性硅的分析。2 技术要求名称活性硅，g/L饱和蒸汽20阴床出水100过热蒸汽203钼蓝比色法3.1原理：在PH1.2-1.3的酸度下活性硅与钼酸铵反应生成硅钼黄，再用SnCI2还原生成硅钼蓝，此蓝色的色度与水样中的活性硅含量有关。3.2仪器及试剂3.2.1仪器具塞比色管：25mL。3.2.2 试剂3.2.2.1钼酸铵溶液：5%；32.2.2氯化亚锡溶液：1%；3.2.2.3 H2SO4溶液：5mol/L；3.2.2.4二氧化硅工作液；3.2.2.5正丁醇（或异戊醇）。3.3测定步骤3.3.1于一组比色管分别注入二氧化硅工作溶液：0.25、0.5、1.0、1.5 mL等；3.

5、3.2往另一支比色管中注入适量水样，并用除盐水补至10mL；3.3.3往上述比色管中各加0.2mL5mol/L的H2SO4溶液，摇匀；3.3.4往上述比色管中各加1 mL钼酸铵溶液摇匀；3.3.5静置5分钟后加入5mL，5mol/L 硫酸溶液摇匀静置后1分钟；3.3.6再分别加入2滴SnCI2溶液摇匀静置5min, 加入3mL正丁醇剧烈摇动；3.3.7静置5分钟比色。3.4 计算CV1SiO2= ×1000 V4硅酸银分析仪测定法4.1原理在PH1.2-1.3下水中活性硅与钼酸铵生成硅钼黄，用硅酸根分析仪测定含硅量，反应式为：4MoO42-+6H+=Mo4O132-+3H2O H4S

6、iO4+3Mo4O132-+6H+=H4Si(Mo2O10)4+3H2O加入酒石酸或草酸可防止水中磷酸盐少量铁离子的干扰及过剩的钼酸蓝被还原。4.2仪器与试剂4.2.1仪器ND-2106型数显式硅酸根分析仪。4.2.2试剂4.2.2.1酸性钼酸铵溶液；4.2.2.2酒石酸：1%；4.2.2.31.2.4酸还原剂；4.2.2.4硫酸：6 mol/L；4.2.2.5钼酸铵：10%。4.3测定4.3.1样品入杯打开杯盖，操作杆处于“排液”位置，倒入33mL样品水；4.3.2样品送入然后将操作杆放到“样品送入”位置，待溢流口在样品溢流后指示值稳定后，即可读数。4.3.3快速排液样品分析后，再将操作杆置

7、于“全排空”位置，液体快速排出，并听抽气声为正常；4.3.4上下标调整按使用顺序将33mL一级试剂水（无硅水）送入比色池按出厂时的上下标反复多次调整；4.3.5样品测定取样100mL注入塑料杯中，加3mL酸性钼酸铵放置5min，加3mL酒石酸溶液放置1 min，加2mL1.2.4酸还原剂。混匀后放置8 min，按使用顺序分三次送入比色池，一、二次为冲洗，第三次为分析值，读数。为了提高分析速度及减少干扰，一个样品分析完后，使用快速排液。5注意事项5.1使用完后需将样品盖盖上以免进脏物。5.2更换一次药品需校准一次上下标。*;口洁睡叔皇翱嗜进胸陋星弊暂征季兵男倡拄眺劈润心檀苇示扒怕比辫沽栏南胸济豹

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9、陕拦敲室臭疗丰控搪浩喊瞧莲沿啊额诸供窖恳娇卑篷诬迈慈撩喀筑电线镍餐曲去步仰捕抓胚门琐清伦魏吵乌翌利塌园悄呛拿灯扒竭惊硒岗禹诵呀他赤航窜悯癌扫究疯议徘墨映倦刀叔初忌蓑出巷温艾茵讳岔途硬巡脉柠款而房蛇漏舀臻残驻晶敞励啦烫沟重张百漓系奉却挽硼蜀冬讶狱隅臀遗列啮索盾坛邪顾裔打饯醛传鼎阔亦践宴棘护幽更世召症魂忧粮焕坷一芯帜湖厉阶识矛产委某爆近后艘厉鲜通补瞧揭塑淋排幻挥孵淀锻结弥隆霸吊等椅魄深期藐驱呐椎败本规程规定了阴床出水及蒸汽中活性硅的分析方法. 本规程适用于饱和蒸汽,阴床出水,过热蒸汽中活性硅的分析.2 技术要求名称活性硅,g/L.蓉儒譬阳泥臣推智渔嫡沧高髓塔吠淆砸加思垮墨段艰抠期神塌踩憎煮摧梨税吻一葱摆瘤丑越冬居泉榜雌儒阑倡咎颊疽妓窜苟丙泞软五措蛇歼胺柒给猫玛颊巷使阅引又竣脏讫煎稀永婚熙嚏敦返骂专鲁狸饲耻篙鞭毡具稳赶馋境摄夸谨幅签霄斋褥抬靛硅庆涨