MOCVD法ZnO薄膜制备_第1页
MOCVD法ZnO薄膜制备_第2页
MOCVD法ZnO薄膜制备_第3页
MOCVD法ZnO薄膜制备_第4页
MOCVD法ZnO薄膜制备_第5页
已阅读5页，还剩30页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

材料与器件 -MOCVD薄膜生长法实例 但是以O2作为氧源进行外延生长时存在如下问题:DEZn与O2在室温下即可发生剧烈反应,温度升高后反应更为剧烈,这种剧烈的气相反应容易生长ZnO颗粒,破坏薄膜的质量。但是用H20作为氧源，其可能的反应过程至今仍不太清楚。H20与DEZn的反应较O2与DEZn的反应更为平缓，这可以更加有效的减少预反应,对ZnO薄膜质量的提高更有利。因此我们选用了DEZn和H20作为生长ZnO薄膜的源材料。表4-1-1为ZnO和Si衬底及A1203衬底间的适配关系,从表中可以看出,硅衬底上直接生长ZnO时,热失配和晶格失配都使得ZnO外延层受到张应力(而在蓝宝石衬底上外延ZnO都为压应力),从而会使得外延层容易开裂,难以得到高结晶质量的ZnO外延薄膜。为了解决以上问题,在衬底和ZnO外延层之间引入缓冲层是被广泛采用的方法,阻止衬底的氧化,并缓解晶格失配和若失配导致的张应力。采用合适的中间层(缓冲层)和恰当的生长方法及工艺,外延生长裂纹少、晶质量好、光学特性好的ZnO膜,是科研工作者探求的目标。

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 辅导培训

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论