添加剂成膜机理研究ppt课件

1、2012-1-12;.1原子力显微镜原位观察锂离子电池 石墨负电极表面成膜IBA2013作者：Zempachi Ogumi, Yasuhiro Domi, Takayuki Doi, and Takeshi Abe2012-1-12;.2SEI膜在高定向热解石墨HOPG的形成2012-1-12;.3SEI膜在高定向热解石墨HOPG的形成图解：1、对应a图，EC溶剂化锂在插入石墨之前2、溶剂化锂盐在首次充电1.0V插入石墨形成山状结构。3、溶剂化锂盐在0.8V发生还原分解形成包状结构。4、溶剂在0.65V在石墨表面发生还原分解形成沉积层。说明：HOPG，是一种新型高纯度炭材料，是热解石墨经高温高

2、压处理后制得的一种新型炭材料，其性能接近单晶石墨2012-1-12;.41 M LiClO4 / PC + 3 wt % 添加剂充放电特性VC/FEC/ES可以形成稳定的表面膜，充放电特性VCFECES2012-1-12;.51 M LiClO4 / PC + 3 wt % 添加剂首次沉积层表面状态及厚度VC/FEC/ES成膜厚度：VCFECES2012-1-12;.6添加剂在PC体系中的还原电位添加剂在PC体系中还原电位：VCFECESPC共嵌脱出。2012-1-12;.7锂盐对电化学性能及表面膜的影响各种锂盐，放电容量越大，表面膜的电阻越小电化学性能与表面膜的组成有关2012-1-12;.

3、8石墨基面对SEI膜的组成的影响碳酸盐会在基面的形成的表面膜占有较大比例，在交叉的边缘平面则没有发现。2012-1-12;.9研究对象：AFM电池和HOPG2012-1-12;.10主要内容添加剂对成膜的影响，溶剂对成膜的影响，锂盐对成膜的影响2012-1-12;.11AFM原子力显微镜对HOPG侧面观测 精细离子，凸起物0.1um 粒状沉积物0.3-3um2012-1-12;.12接触模式AFM扫描去掉的表面膜不加添加剂，沉积层被去掉后，重复扫描后凸起物依旧能出现2012-1-12;.13剩余表面层作为SEI膜的作用不加添加刮掉后其上会进一步形成沉积层，电解液会一步还原分解。2012-1-1

4、2;.14添加剂对于表面成膜的作用成膜添加剂的还原电位（超过1.1V）高于EC的还原电位2012-1-12;.15AFM对HOPG侧面观测（加入VC） 加入添加剂后可以观测到与不加入添加剂类似的表面形态的变化2012-1-12;.16刮去沉积层加入EC基2%的VC加入VC后，精细离子在扫描10圈后几乎消失，同时大于1um的粗离子出现，即使在扫描30圈后依然存在。2012-1-12;.17刮去沉积层加入PC基2%的vc除去PC基电解液形成的沉积层所用的扫描探针的数量远远大于EC/DEC基电解液（均含添加剂）。说明PC基电解液形成更稳定更薄的表面膜。2012-1-12;.18Vc添加剂对于表面SE

5、I膜的作用计入添加剂后在第二圈几乎没有沉积层沉积。保留的表面膜在第二圈阻止电解液的进一步分解。2012-1-12;.19沉积层厚度对比形成的膜越薄，所需要AFM除去表面膜的探针数量时间就越多。成膜添加剂在PC基电解液中可以形成薄且致密的表面膜。2012-1-12;.201、EC基形成的表面膜存在功能化的分配。2、VC/FEC/VEC的加入使得EC基电解液形成的表面膜更薄具有一致性。3、添加剂对PC基添加剂可以形成更薄更致密的稳定的固体膜溶剂化锂盐分解，凸起颗粒溶剂分解添加剂的分解2012-1-12;.21锂盐对表面结晶度的影响2012-1-12;.22AFM在3V对HOPG的观测AFM在3V条

6、件下对HOPG的 观测，历经12小时后没有发生明显的变化，说明HOPG基面试相当惰性的也没进行分解和锂离子的嵌入。2012-1-12;.23AFM对石墨负极首次原位扫描在1.75V形成小坑，124nm,2.2nm深，1.5V以下发现粒子形成小于200nm2012-1-12;.24AFM对石墨负极首次原位扫描2012-1-12;.25AFM对不同阶段电压下石墨的观测随着电位的下降，精细粒子层逐渐生长。2012-1-12;.26精细粒子的组成（XPS表征）主要成分：氟化锂、磷酸锂盐2012-1-12;.27精细粒子的组成（ATR-FTIR表征）跟XPS分析结果相互印证。2012-1-12;.28锂盐在负极成膜作用小结1、小坑和精细粒子分别在1.75V和1.5V形成。2、1.1V以下可以看到石墨层破坏。3、在1.5V形成的精细粒子的主产物是LiF和磷酸锂(POn, (LiF)x(LiPO3)1-x,(F2)x(LiPO3)1-x )。2012-1-12;.29总结1、VC/VEC形成的膜比FEC更加薄更加有效。2、薄度致密的固体表面膜的优劣对比：PC+添加剂E