MLCC基础知识

1、MLCC行业介绍多层陶瓷电容器的起源可追逆到二战期间玻璃釉电容器的诞生，由于性能优异的高频发射电容器对云母介质的需求巨大，而云母矿产资源缺以及战争的影响，美国陆军通信部门资助陶瓷实验开展了喷涂下班釉介质和丝网刷银电极经叠层层共烧，再烧附端电极的独石化工艺研究在战后得到进一步推广。并逐渐变为今天的二种型湿法工艺，干法工艺要追到二战期间诞生的流延工艺技术，在1943-1945后美国开始流延工艺技术的研究并组装一台流延机为钢带流延机，并在1952年获得专利。二战后苏联与美国电容器技术似入我国并形成一定的生产规模，为了改进性能，扩大生产规模，60年代我国产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧膜成型，印刷叠层工

2、艺制造独石结构的瓷介电容器。在80年代随着SMT与MLC技术的发展，MLC的高比容介质薄层化趋势突破专统厚度范围，二种干法流延方式被世界大多类MLC生产厂家普通使用，80年代以来我国引进了干法流延和湿法印刷成膜及相关生产技术，有效地改善了MLC制造工艺水平。随后92-96年日本引入了SLOT-DIE流延头的新技术实现厚度为225MM代表了流延技术的最高水平（先后有康井、平野、横山生产的流延机）。独石电容器是由涂有电极的陶瓷膜素坯，以一定的方式叠全起来最后经过一次焙烧成一整体，故称为“独石”也称多层陶瓷电容器（MLCC）独石电容器的特点是具有体积小、比容大、内电感小、耐湿、寿命长、可靠性高的优点

3、；独石电容器的发展取决于材料（包括介质材料、电极浆料、粘合剂）和工艺技术的发展，其中陶瓷介质有差决定性作用。独石瓷介电容器有两种类型：一种为温度补偿型（是MGTTD3、CATIO3和TIO2或以这些为基础再加入稀土氧化物、氧化铋、粘土等配制成的瓷料；而加一种是高介电系数型，以BATTO3主要成分高温烧成。料，电导率大、焊接方便、价格不高、工艺性好，但银电极在高温、高湿、强直流电场作用下银离子易迁移，造成电容器失效的主要原因，故目前沿用低温烧结用银钯结合（950-1100度）材料的用途是由其性能所决定的，而材料的性能异不是一成不变的，可以通过改变厚材料的纯度，粒度或各种添加剂和各工艺因素等进行改

4、性。由于BATIO3（烧温高一般在1300度以上烧成）制作独石电容器需高熔点的贵金属，铂、钯、银、铜作电极（但内电极成本为30%-80%）其次是烧成时为避免内电极氧化，熔融、必需用。NI在空气中会氧化，因而用NI电极的MLC应低氧分压下烧结，否则NI电极将氧化并向陶瓷内扩散，（用NI厚子迁移速度较银、钯都小，其外电极用NI与内电极同时烧成，电极联接的可靠性高）独石电容器的可靠性，在长期使用过程中，在高温和直流电场作用下电性能逐渐变劣，表现损耗增加，绝缘下降以至短路，（主要由于介质存在缺陷如微气孔、裂纹以陶瓷片薄的区域或由内电极靠得较紧的部分其属增加导致发热从而降低了绝缘电阻。MLCC沿着小型化

5、、高频化、多功能化方向发展。广泛应用于飞行仪器运载火箭、星定位、导航、雷达、电子对抗等微型电子。MLCC片或多层陶瓷电容器的结构特点： （片状、多层次结构、平行排列使印刷有效面积增大）陶瓷本身为多孔性，而MLCC要求孔洞越少越好，故此每个工序都能使MLCC产生致命的欠缺，严格控制每道工艺环节非常重要。MLCC的生产工艺过程第1节MLCC前道工序生产工艺过程配料配料是MLCC生产工艺的第一道工序，故语云：“万事开头难”从事种厚材料的来料到瓷浆的形成都需经过科学的试验反复验证并通过摘优先取的下面我们介绍配料工序的生产工艺。厚材料来料-按工艺配方配制-球磨-成浆配料术语配料将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按

6、一定比例经过球磨一定时间，形成陶瓷浆料。配料所用的陶瓷材料1、按材料特性分类可分为：NPO（COG）、X7R、Y5V三种2、按材料类型可分为：BME、NME两种类型同3、时均包括NPO（COG）、X7R、Y5V特性材料4、我公司目前所用的陶瓷材料，5、材料如下：BME类：（1）NPO（COG）-CG-33C（CG-32） （2）X7R-AD342N AD352N X7R-NI （3）Y5V-AD143N YF123B AD173B AD163NNME类：（1）NPO（COG）-CG800LC CG300L COG150L CGL400 VLF-220B （2）X7R-AD302J （3）Y5V

7、瓷粉的作用是：瓷介电容的主要材料，烧成后成为持硬性脆，多晶多相结构的瓷体配瓷浆所用的粘合剂6、我司目前用于配瓷浆所用的粘合剂是PVB树脂系列粘合剂，7、主要有福州粘合剂（F518N、F518NC）、宇阳粘合剂（EYBP-C01）、美国粘合剂（B74001）。8、粘合剂的作用是：通过分散过程，9、粘合剂均匀地包围着每一粒瓷粉即每一粒瓷粉具有粘性，10、以便制作合格膜片。 四、配瓷浆所用的添加剂：我司目前配制的瓷浆所用到的添加剂主要有：消泡剂（DC350）、增塑剂（DOP）、分散剂（KD-1、AKM0531）2、消泡剂作用是：消泡、抑泡3、增塑剂作用是：使膜片增加塑性和柔韧，不易断裂4、分散可增强

8、瓷粉和分散剂作用是：湿润及粘合剂新和力，使瓷粉容易分散在粘合剂中，并使体系稳定不易破坏。瓷浆所用的溶剂：我司目前用于配制瓷浆所用的溶剂有甲苯、无水乙醇两种，其作用是：使瓷粉与粘合剂更好地均合均匀，使之具有合适的粘度（即有调整瓷浆粘度的作用）。瓷浆配方的组成：瓷浆配方由瓷粉、粘合剂、溶剂、添加剂各组份按一比例组成，瓷浆的配方工艺是由工程技术人员通过科学试验收集数据总结经验后所定的，故对配方中所需的材料，数量必须准确无误。瓷浆球磨（目的是使瓷浆分散好）1、球磨工艺参数主要有球磨罐的转速（球磨机电机转速）、球磨的时间2、球磨罐的分类：球磨罐分为小罐（10L以下）、中罐（10L25L）、大罐（25L以

9、上）三种，又分别用字母DG、ZG、XG来表示，小罐一般用于试验中，中罐也可以用地试验也可以实行中批生产，大罐一般用于正常生产。3、磨介（锆球）目前我司使用的磨介（锆球）直径为5MM、3MM，目前大多数有5MM的磨介一研磨浆料。4、瓷浆分散机理通过球磨作旋转运动使罐内介质补提起后呈倾流状态滚边滑下，球体裁 MLCC基础知识一、电容器基础电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的双层导体电极所构成的单片器件，如图1所示。这种介质必须是纯绝缘材料，它的特性在很大程度上决定了器件的电性能。介质特性取决于电介质材料对电荷的储存能力（介电常数）和对外电场的本征响应，也就是电容量，损耗特性、绝缘电阻、介质抗

10、电强度、老化速率以及上述性能的温度特性。 图1 单层平板电容器 通常，电容器采用的介质材料见表1，主要包括：空气（介电常数K几乎与真空相同，定义为1）；天然介质：如云母，介电常数（K）为48；合成材料：如陶瓷，K值范围由91500。电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份，可以通过配方调整制成具有极高介电常数和其他适当电特性的介质材料。这是陶瓷电容器，尤其是片式多层陶瓷电容器（MLCC）技术的基础。MLCC制造过程中的所有工艺和其它材料的确定原则都趋向于实现其介电性能的最优化。表1 各种材料的介电常数材料介电常数材料介电常数真空1.0玻璃3.719空气1.004氧化铝9聚酯(PET膜)3氧化钛（

11、TiO2）85170(随晶轴方向变化)纸46钛酸钡（BaTiO3）1500云母48陶瓷（综合各种特性配制的复合体）2015000二、电容量电容器的基本特性是能够储存电荷（Q）。储存电荷量Q与电容量（C）和外加电压（V）成正比。Q=CV因此，充电电流被定义为：I=dQ/dt=Q dV/dt当电容器外加电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，电容量定义为1法拉。C=Q/V=库仑/伏特=法拉由于法拉是一个很大的测量单位，在实用中不会遇到，常用的是法拉的分数，即：微 法 (F) = 10-6F毫微法，又称为：纳法 (nF) = 10-9F微微法，又称为：皮法 (pF) = 10-12F三、影

12、响电容量的因素施加电压的单片电容器如图1，其电容量正比于器件的几何尺寸和相对介电常数：C=KA/f t在这里C=电容量；K=相对介电常数，简称介电常数；A=电极层面积；t=介质厚度；f=换算因子（在基础科学领域：相对介电常数用r表示。在工程应用中以K表示，简称为介电常数）在英制度量单位体系中，f=4.452，尺寸A和t用英寸，电容量值用微微法表示。例如：图1所示器件，面积1.0英寸×1.0英寸，介质厚度为0.056英寸，介电常数为2500。2500×1.0×(1.0) C = = 10027 pF4.452×0.056对于同一电容器，采用公制体系，换算因

13、子f=11.31，尺寸用cm，容值也用微微法（pF）表示,，则：2500×2.54×2.54 C = =10028pF11.31×0.1422可见，电容量和几何尺寸的关系是很明确的，增大电极面积和减少介质厚度，均可获得较大容量值。然而，无休止地增大单层电容器的面积或减少介质的厚度是不切合实际的。因此，提出了平行阵列式迭层型电容器的新概念，按这种方式可以制造比体积电容很大的单个器件，如图2所示。在这种“多层”结构中，由于平行地排列了多层电极，使电极有效面积A得以增大，而在电极间的介质厚度t 则有可能进一步减薄，因此，电容量C随介质层数N的增大和介质厚度t 的减小而增

14、大。这里，A 是两两相对的交错电极重合面积： 图2 MLCC结构图 KANC = 4.452t 用同样的介质材料，过去在1.0英寸×1.0英寸×0.056英寸单层电容器上所获得的容量，现在以30层介质厚度为0.001英寸的多层电容器即可获得。迭层结构所需尺寸仅为0.050英寸×0.040英寸×0.040英寸，电极重合面积A 为0.030英寸×0.020 英寸。2500×0.030×0.020 C = =10107 pF4.452×0.001这一实例表明多层结构在提供同样大容量的情况下，体积较单层器件缩小700倍。因

15、此，通过优化几何尺寸，选择具有优良电性能的介质材料，设计制造的片式多层电容器即可具有极大的比体积电容。对介质材料的要求是，具有高介电常数，并且在制成薄层结构后仍保持良好的绝缘电阻和介质抗电强度等。四、电容量的分类在工业生产中，介质材料是根据电容量温度系数来进行区别和分类的。片式多层陶瓷电容器通常采用两大类别材料生产，即1类陶瓷介质和2类陶瓷介质。第三种（3类瓷）是用于制造单层型圆片电容器的阻档层或晶界层型陶瓷介质（即：半导体陶瓷介质）。用环境试验箱测量由室温（25）变化到一定温度时的容量变化即可确定温度系数。温度系数C表示为温度每变化1摄氏度，电容量较初始值的变化率，单位以百万分之一（ppm/

16、）计。1类瓷介电容器具有线性温度系数，可根据C规定其特性组别。温度系数C的计算方法如下： C2C1 C（ppm/） = ×106 C1（T2T1）这里C1=T1的电容量，C2=T2的电容量。2类瓷介电容器的容量随环境温度呈非线性关系变化，无法用线性化的温度系数来表征。其温度特性（TC）只能以电容量较初始值的变化（C/C）的百分率（%）来表示。在EIA、MIL、GB、IEC、JIS等标准温度范围（-5585、-55125等）内的TC特性通常用C/C-T曲线来表示。1、1类陶瓷介质根据美国电子工业协会标准（EIA）暨美国国家标准（ANSI）ANSI/EIA-198-E-1997规定，1类

17、瓷温度系数用字母数字字母的三位代码来定义，如表2所示。在MLCC中最普遍采用的1类瓷是C0G，即温度系数为0ppm/±30 ppm/，简称NP0（正负零）。其温度系数最稳定，用曲线图示也最为平坦，而被称之为热稳定型陶瓷。1类陶瓷介质是以顺电体为主晶相的线性介质。这种材料通常是以TiO2为主，介电常数一般不超过150的非铁电体，性能非常稳定。通过添加少量其它氧化物（包括铁电体），如CaTiO3或SrTiO3，可扩展1类瓷的介电常数上限至700，甚至高达1500。温度系数近似于线性，最高达-5600ppm/，被称之为温度补偿型陶瓷。表2 1类瓷的EIA标志代码（-55125）(a)电容量

18、温度系数有效位数（ppm/）0.00.30.80.91.01.52.23.34.77.5 (b)(a)行有效数字母代码CBLAMPRSTU(c)对(a)行适用的倍数-1.0-10-100-1000-10000+1+10+100+1000+10000(d)(c)行倍数的数字代码0123456789(e)温度系数允许偏差±30±60±120±250±500±1000±2500(f)(e)行允许偏差字符代码GHJKLMN所谓温度系数及其允许偏差的含义为：电容器实测的温度系数值并非严格的线性关系，但只要数值不超过EIA代码最后一个字

19、母所规定的允许偏差范围就可以接受。如图3(a)所示为C0G介质温度系数。表2中其它特性组别举例如下，并示于图3(b)：EIA代码 温度系数及其允许偏差 简码C0G 0 ppm/±30 ppm/ （NP0）R2G -220 ppm/±30 ppm/ （N220）S2H -330 ppm/±60ppm/ （N330）U2J -750 ppm/±120ppm/ （N750）T3K -4700 ppm/±250ppm/ （N4700）M7G +100 ppm/±30 ppm/ （P100） (a) (b)图3 C0G及其它1类陶瓷介质温度系数

20、两种类型的1类瓷介电容器适用于电路要求高稳定性或温度补偿的功能，其介电常数无老化或老化率极低可忽略不计，且损耗极低。电容量和介质损耗随电压或频率的变化为零或忽略不计。2、2类陶瓷介质2类陶瓷介质是铁电体材料。该种材料的介电常数比1类瓷高得多，且随温度、偏压、频率和时间变化的稳定性较差。铁电陶瓷按温度特性也可粗略分为两类。a)“稳定的中K”2类瓷，以25为基点在-55到125范围内最大电容量变化率C/C为±15%。这种材料的典型介电常数在600到5000之间，符合X7R特性。b)“高K”2类瓷，温度特性超出X7R要求。高K介质材料的介电常数在4000到20000之间，由于居里点移到室温

21、，介电常数为极大值，温度特性曲线很陡。表3 2类瓷的EIA标志代码(a)下限类别温度/(b)（a）行的字母代码(c)上限类别温度/(d)（c）行的数字代码(e)在整个温度范围内C/C极大值%(a)（e）行的字母代码+10-30-55ZYX+45+65+85+105+125+150+2002455789±1.0±1.5±2.2±3.3±4.7±7.5±10.0±15.0±22.0+22/-33+22/-56+22/-82ABCDEFPRSTUV注意(e)行电容量变化率极大值是在0V直流偏压下的测定标准。表3

22、列举了EIA所规定的2类陶瓷介质分类。用于MLCC制造最普遍的中K材料为X7R组别（C/C最大值±15%，-55到125），和X5R组别（C/C最大值±15%，-55到85）。高K 类，Z5U特性（+10到+85之间，C/C极大值在+22%到-56%之间），和Y5V特性（-30到+85以内C/C极大值在+22%到-82%之间）最为普遍。如图4所示。 图4 2类瓷的温度特性五、MLCC的基本电性能1、标称电容量及其允许偏差根据IEC60063，GB/T2471等电容器、电阻器的优先数系规定，电容量的标称值优先采用E6、E12、E24系列，对应的允许偏差分别为M（±2

23、0%）、K（±10%）、J（±5%）。例如：Z5U和Y5V组别采用E6系列，对应于M（±20%）级精度。6个优先系列数之间的范围被设定的允许偏差值覆盖。即，第一个优先数允许偏差值的上限与第二个优先数允许偏差值的下限恰好相互重合，如表4所示。这样，在6个优先系列数之间不存在空隙。换句话说，采用优先系列数作为电容量的标称值及其允许偏差，就不会出现电容量值的废品。表4 E6系列优先数允许偏差的上下限值6.8±20%4.7±20%3.3±20%2.2±20%1.5±20%1.0±20%上限下限上限下限上限下限上限

24、下限上限下限上限下限8.165.445.643.763,962.642.641.761.81.21.20.8此外，Y5V可优选E3系列，则对应Z（-20%+80%）精度。依此类推，X7R组别采用E12系列，对应于K（±10%）精度；C0G组别采用E24系列，对应于J（±5%）级精度。C0G组别10pF以下小容量规格有例外的情况。除了采用E24优先数系，允许使用整数倍标称值，如：0.5、1.0、2.0、3.0、4.0、9.0pF等。对应的允许偏差分别为C（±0.25pF）、D（±0.5pF）。表5 采用E3、E6、E12、E24优先数系的电容量标称值及允许

25、偏差优先数系优先精度优先数系优先精度优先数系优先精度优先数系优先精度E3ZE6ME12KE24J1.02.24.7+80%-20%1.01.52.23.34.76.8±20%1.01.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.2±10%1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.1±5%2、损耗角正切值施加在理想电容器两端的电流超前于电压的相位为90°。但由于电容器电阻部份的存在，加在实际电容器两端电流超前于电压的相位不足90°，

26、它与理想电流间的相位差角是一定的，这一角度的正切值定义为损耗角正切值Tan或写作Tg。（也有人习惯称之为损耗因子DF，不过从物理意义上不太准确）。如图5所示。 图5 实际电容器的损耗角在高频应用时，常用损耗角正切值的倒数，称为“Q值”，即：品质因数。Q=1/Tan3、绝缘电阻绝缘电阻是在直流偏压梯度作用下，材料抗漏电流能力的量度。物理量表示为Ri，英文缩写IR。测量电容器的绝缘电阻的时候，重要的是考虑绝缘电阻与容量的关系。容量值与绝缘电阻成反比，即容量大，绝缘电阻低。这是因为电容量与漏电流是正比关系。Ri是电容量的函数，其测量值与电容量测定值成反比，因此，工业标准中绝缘电阻最小值是由产品绝缘电

27、阻（Ri）和容量（C）的乘积（Ri×C）所决定的，单位为欧姆-法拉（-F），通常又可表示为兆欧-微法（M-F），也可写为时间常数，秒（s）。国际电工委员会IEC和中国国家标准GB要求MLCC在25时Ri×C不低于100-F。而美国军用标准MIL和中国国家军用标准GJB，要求MLCC在25时R×C不低于1000-F。在125时不低于100-F。如表6所示。通常，电介质具有很高的电阻，测量值单位用10的高次方倍欧姆表示：1兆欧（M）=106欧姆1吉欧（G）=109欧姆1太欧（T）=1012欧姆表6 Ri标准（极小值）与电容量的关系电容量Ri极小值(G)Ri×

28、C极小值（-F）250.1pF-0.01F100.000.01566.670.02245.450.04721.080.06814.710.10010.000.15010.000.2204.550.3303.030.4702.130.6801.471.001.00等更高容值等 4、耐电压与额定电压额定电压UR定义为可以连续施加在电容器上的最大直流电亚或脉冲电压的峰值。电容器的耐电压取决于介质材料的抗电强度以及电容器的结构，主要是介质厚度。耐电压的测试标准为2.5倍额定电压UR。抗电强度是介质材料所能承受的最大电场强度，而不发生电击穿的能力的测定值，通常用伏特/mil（0.001英寸）或千伏/cm表示。因此，测量电容器的击穿电压UBD可直接评估器件性能，也能间接反映介质材料的抗电强度。目前，对于MLCC，UBD可达额定电压UR的10倍，甚至更高。六、产品标准：MLCC的性能参数测试标准和质量一致性要求在EIA-198-E等国际标准和国外先进标准中作出了详细规定，我国国家标准和我公司企业标准等同采用或原则上等效采用。一般1类和2类陶瓷介质MLCC电性能规范概要在表7中列出。鉴定