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文档简介

1、Get device SpecJudge whether device spec is reasonable Y/NYNModify device SpecDevice Key Sizes DecisionKey Process/Device ConditionOthersStartMeet Target Y/NStopYNAccept Y/NNYChannel Length is 12um for Asymmetric device, depend on Vt roll-off & RdsonDrift Length20 (V/um)Off-BV (V)Poly Plate Size

2、 depend on simulation or wafer dataDrift / Well plane junction BV must be much higher than off-BV for LSLDMOS, it leads low well concentration, but HSLDMOS need high well concentration to RESURFGradient doping profile between drift and drain for on-BV performanceHigher off-BV leads deeper drift junc

3、tion depth (0.11um) and longer drive in timeHigher off-BV leads thicker oxide under poly plate, but lower Rdson needs thinner oxideIsolation (junction breakdown & punch-through) or trench isolation ruleHigh well concentration to improve dv/dt performanceSymmetric Device Channel length depend on Vt roll-off and IV Curve matching Layout design to avoid parasitic MOS and field-MOSOptimizationLDMOS/HVMOS Device DesignL图1图2提高LDMOS性能的方法：F Super junctionF RESURFF Field plateF 漂移区掺杂工程F 以上多种方法结合如右图1，沟道由两部分构成，靠近源端增加了P-body，使靠近源端的浓度升高，势垒高度增加。可有效改善穿通和DIBL，使器件的沟道

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