常见电子元件选型方法解析

1、电子元器件选型目录一、集成电路1二、二极管1三、功率MOS2 3五，电解电容3六，瓷片电容4七，薄膜电容4八，电阻5九，磁性元件6十，金属氧化物压敏电阻MOV6印刷电路板 十二，保险丝 十三，光耦电子元器件选型主要注意的几个参数和标准，大家可以参考一下，这些都是比较保守的值，在实际使用中 还可以根据需要适当提高.一、集成电路因为隼成电路的痕杂性和保童性，一般我们只能根据半导体结温来推断隼成电路的可靠性了。我们通常规定：1#最大工作电压，不超过额定电压80%2 z最大输出电流，不超过触定电流75%3 ,结温，最大85摄氏度,或不超过触定最高结温的80%二、二极管二极管种类素多,特性不一。故而,有

2、通用要求,也有特别要求：通用要求：长期反向电压70%-90%xVRRM （最大可垂最反向电压）最大峰值反向电压90%xVRRM正向平均电流70% 90%x触定值正向峰值电流75% 85%xIFRM正向可垂痕峰值电流对于工作结温,不同的二极管要求略有区别：信号二极管 85150°C玻璃钝化二极管v 85150°C整流二极管和快恢复.超快恢貝二极管（1000V） 85- 125°C整流二扱管和快恢貝.超快恢貝二扱管（1000V） 85- 115°C肖特基二极管85115°C稳压二极管（05W） 85125°C稳压二极B（0.5W） 851

3、00°CTease（外壳温g）0.8xljmax-2xejcxP，2xejcxP15°C , 6jc是从结到壳的热阴，P是功率损耗。这 是一个可供荃考的经验值。这里很多指标给的是个范围,因为不同的可靠性要求和成本之问有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠 性的和一个比较注重成本的两个值供举考。下面同理。三、功率MOSVGS85%xVGSmax（最大栅极驱动电压）ID_peak 80% xID.M （最大漏极脉冲电流）VDSv8090%x離定电压 dV/dt<50%-90%x© 定值结温<85°C80%x7Jmax（最大工作结温）Tease（外壳

4、温®）<0.8xljmax-2xejcxP z 2xejcxP<15°C # 6jc是从结到壳的热阴，P是功率损耗。这 是一个可供巻考的经验值。四，三极管所有的电压指标都要限制在8 5%的餃定值之下功率损耗不超过70% 90%触定值IC必须在RBSOA（反偏安全工作区）与FBSOA（正偏安全工作区）范围内降触30% （就是離走的70% ）结温不超过85 125°CTcase（外壳温g）<0.75xTjmax-2xejcxP , 2xejcxP<15°C # 6jc是从结到壳的热阻,P是功率损耗。 这是一个可供荃考的经验值。五，电解

5、电容铝电解电容是开关电源中一个非常垂要的元件。而很多开关电源的故陣率偏高，都是因为对铝电解的便用 不当造成的。由于铝电解的垂要住，我们对他的研究比较多,因而制走出来的规则也比较多。1 z Vdc+Vripple<90%x®定电压2 z在电容体之下,PCB正面，尽星不要有地线之外的其他走线。3,纹波电流.这个问题比较貝杂，因为开关电源中,纹波电流的频谓是非常丰富的,所以必须把纹波电流 折算一下：频率因子,供应商应该可以提供的。纹波电流必须保证在供应商的触定值的70% 90%之内。4 z电解电容的初始容星要保证20%的裕星。同时z要保证触外的20%的容星裕星,以应对寿命快到旳的 容

6、星衰减。5 z电解电容的寿命温度加速因子为2每10°C ,也就是说,温度每升高10度,寿命减半。6 z壳温Tease受限于设计寿命。7 ,自温升v5°C #所谓自温升,是指电容实际工作时，完全因为自身友热导致的温升。六，瓷片电容工作电压60%-90%x®定电压表面温度105°C自温升15°C或由规格书定义，以低的为准。七，薄膜电容1 Z在开关电源中，不要使用聚苯乙慌电容,因为聚苯乙晞电容耐热比较差。2 z表面温度85°C ,超过85°C耐压按照下圏降触便用。此处的电压指的是直流电压昼加交流峰值电压。3 z聚餡电容自温升8&#

7、176;C或由规格书定义,以低的为准4 z聚丙烷电容自温升5°C或由规格书定义,以低的为准5，薄膜电容的使用寿命取决于电压值和电压脉冲的上升速率。允许的脉冲数星和电压值以及脉冲斜率的关 系,如下式：其中：Npulse为脉冲总数Vmax最大额定直流电压Vapplied实际使用峰峰值电压(dv/dt)max最大離走脉冲斜率(dv/dt)applied实际使用脉冲斜率八，电阻电阻可以分为三大类:固定线性电阴、固定非线性电阴、可变电阴固定线性电阴包括：皈膜.金属膜.金属氧化膜.金属釉.碳质等电阴和绕线电阴。固定非线性电阻包括：NTC、PTC电阴的可靠性王要取决于电阴的温度,而温度则是环境温度

8、和自身功率损耗产生热星后昼加的效杲。功率和电压都对电阴的选岸与使用产生限制：从團中可以知道,对于阴值低于临界阴值的电阴，使用是受功率限制,而对于肓于临界阴值的电阴,使用 上是受耐压的限制。对于单个脉冲的功率限制,取决于脉冲的形状。同时脉冲的峰值电压必须不能超过餃定限制。电阴的降離使用规则：1,在有瞬间高压脉冲的电路中使用金属釉电阻2z在有大的冲击电流的场合使用绕线电阻3Z连续功率50%x離定功率4 z不要使用1MQ的碳膜电阴,因为长期稳定性太差5 z肓阻值长期稳定性好的电阴应采用金属釉电阴6 z在热冲击试验后z电阴的阴值必须在±5%的離定范围内7 #可熔断电阻,比如保险丝电阻z不要靠

9、PCB太近#以免PCB过热8 z尽星不要将矩形的贴片电阴用在ESD保护电路,因为矩形的尖角容易放电9 ,在电压.电流采样时,如杲用贴片电阻,尽星便用尺寸在1206以上的。10 ,耐压的降離使用：对于碳膜.金属膜、金属氧化膜电阴:R>100K时，VRMS<50%xgg定最大连续工作电压R<100K时，VRMS<90%xgg定最大连续工作电压或90%x(PxR)0.5 #以低的为准。 对于碳质电阴、金属釉电阻和绕线电阻：VRMS<90%xgg定最大连续工作电压或90%x(PxR)0.5 #以低的为准。11,电路中有冲击电流的时候的瞬时功率可以按照下面的经验公式计算:P

10、=I2xRxt/4 ,其中，t是电流跌落到最大值38%时的时间。九，磁性元件礎性元件中,线对线之间的最大电压不能超过下表:将AWG线规可以按照此式转换为mm单位线径：d = 25.4x0.005x92(36-AWG)/39) 漆包线的使用寿命加速因子约为2.5每10°C。线包的温度降離规走:CLASS B : 95°C 110°C 注：触定温度是 130°CCLASS F : 110oC-125°C注：離定温度是 155°CCLASS H : 125°C 150°C注：餃定温度是 180°C鐵芯的降離规定

11、:Bmax<80%xBsat在任何条件下。Bsat是磁芯的饱和磁感应强度十，金属氧化物压敏电阻MOVTease <85°0#在任何条件下具体选型推荐为：AC120V/127V选用 150VrmsAC220V选用275Vrms（此项尚存争议）AC277V选用 320VrmsAC347V选用 420Vrms十一，印刷电路板PCB材料和最高可用表面温度如下：FR2 75°CFR3 90°CFR4 125°CCEM1 125°CCEM3 125°C此外,有以下一些规则：可以使用过孔帮助散热每个过孔流过电流不超过2A布线之间的间距与电压的关系羣考UL935FR1的导热率是FR4的两倍，但FR1不适合做双面板十二，保险丝对保险丝的降離使用,是对电路保护可靠性和保险丝使用寿命之间的妥协。降颔使用保险丝,并不能直接带来产品可靠性的提升。环境温度和电流是影晌保险丝寿命的王要因素。在25°C下,保险丝的电流应该降離2