金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应PPT学习教案_第1页
金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应PPT学习教案_第2页
金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应PPT学习教案_第3页
金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应PPT学习教案_第4页
金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应PPT学习教案_第5页
已阅读5页,还剩52页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、会计学1金属有机化学基础过渡金属有机化合物金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应的基元反应第第5 5章章 过渡金属有机化合物的基元反应过渡金属有机化合物的基元反应n 配位体置换反应n 氧化加成和还原消除n 插入和脱出(反插入)反应n 过渡金属有机化合物配体上的反应第1页/共57页5.1 过渡金属有机化合物的配体置换反应过渡金属有机化合物的配体置换反应 配位饱和的过渡金属有机配合物的配体置换是它们的重要化学性质,也是它们实现催化作用的首要条件。 原有配体被另一个配体原有配体被另一个配体-反应底物置换,使反应底物置换,使底物进入配位圈,改变了底物的化学键状态而得底物进入配位圈,改变了底物的化

2、学键状态而得到活化,并接着在配位圈内发生反应。到活化,并接着在配位圈内发生反应。 这是配位催化中第一种反应底物进入配位圈这是配位催化中第一种反应底物进入配位圈的途径。的途径。 LnML1L2LnML2+L1第2页/共57页5.1.1 解离和络合反应解离和络合反应 与一般有机化合物相比,金属与配体之间的键要弱很与一般有机化合物相比,金属与配体之间的键要弱很多,因此配体的解离是比较容易发生的。多,因此配体的解离是比较容易发生的。第3页/共57页19e17e第4页/共57页第5页/共57页n配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;n一

3、般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;n当有Lewis酸存在并能攫取X-, LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;n采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。n配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;n一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;n当有Lewis酸存在并能攫取X-, LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;n采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。n配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易

4、发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;n一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;n当有Lewis酸存在并能攫取X-, LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;n采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。n配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;n一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;n当有Lewis酸存在并能攫取X-, LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;n采用外部辅助手段,如光化

5、学、超声、微波,能加快解离过程。RhCl(CH2=CH2)22 + 4CORhCl(CO)22 + 4CH2=CH2RhCl(COD)2 + 2BINAP + 2AgClO42 Rh(BINAP)ClO4 + 2AgCl第6页/共57页5.1.2 取代反应取代反应 (C3H5)2Pd2Cl + 2NaC5H52Pd(C3H5)(C5H5) + 2NaCl 平面四边形结构过渡金属有机配合物中的一个配体在发生配体置换反应时,对位配体的性质对反应有明显影响,这一现象称为 “反位影响反位影响”,是一个热力学概念。 它是指过渡金属有机配合物处在基态时,一个配体削弱对位配体与金属之间化学键的程度。在反应过

6、程中这种影响表现为“反位效应反位效应”。这是一个动力学概念,是指过渡金属有机配合物中的某一配体对处于它对位配体的置换反应速度的影响。 第7页/共57页 常见配体“反位效应”的强弱次序:H2O, OH-, NH3, Py Cl-, Br- SCN-, I-, NO2-, C6H5- CH3-, SC(NH2)- H-, PR3 C2H4, CN-, CO。 第8页/共57页配体电子效应的量度配体电子效应的量度 Tolman合成了70多个 Ni(CO)3L配合物(L=叔膦)。然后研究了不同叔膦对配合物中羰基IR伸缩振动频率变化的影响。 配体空间影响的量度配体空间影响的量度第9页/共57页表5-5

7、NiL4中膦配体的空间角与离解常数的关系 LKd/MLKd/MP(OEt)310-10(70oC)109PPh3很大145PMe3 H-Si H-C C-C 快快 慢慢l 需要金属中心有需要金属中心有2e-的空配位,可以本身具有或通过失去部分配体产的空配位,可以本身具有或通过失去部分配体产生;生;l 配体通过其配体通过其s s-键电子作为给体与金属作用;金属通过键电子作为给体与金属作用;金属通过p p-反馈键贡献反馈键贡献电子云密度给配体;如果贡献了足够的电子云密度,电子云密度给配体;如果贡献了足够的电子云密度,H-X键断裂:键断裂:l H-X从侧边配位,造成的结果是顺式加成。从侧边配位,造成

8、的结果是顺式加成。MHXMHXMHX第23页/共57页n氧化加成的机理氧化加成的机理 2)氧化加成的SN2反应机理-卤代烃的加成卤代烃的加成 l立体化学翻转;立体化学翻转;lR-X的立体位阻越大,反应活性越低:的立体位阻越大,反应活性越低:Me 伯伯 仲仲 叔叔lX的类型对反应活性有显著影响:的类型对反应活性有显著影响: -OSO2(C6H4Me) I- Br- Cl-l极性溶剂对反应有利,可以稳定带电的中间体;极性溶剂对反应有利,可以稳定带电的中间体;l金属上的电子密度越高,碳原子上电子密度越低反应就更容易金属上的电子密度越高,碳原子上电子密度越低反应就更容易。 第24页/共57页3)氧化加

9、成的的SN1反应机理 第25页/共57页4)氧化加成的自由基机理 (a) 非链式自由基机理l 主要针对卤代烃的氧化加成;主要针对卤代烃的氧化加成;l 金属碱性越强,对反应越有利;金属碱性越强,对反应越有利;l RI RBr RCl;l 叔叔R 仲仲R 伯伯R Me (自由基的稳定程度);(自由基的稳定程度);l立体化学发生消旋化。立体化学发生消旋化。第26页/共57页(b) 链式自由基机理L = PMe3需要自由基引发剂,O2第27页/共57页5.2.2 还原消除还原消除 还原消除反应是氧化加成的逆反应。发生还原消除反应时,配合物的氧化态及有效原子序数均下降氧化态及有效原子序数均下降 2,形成

10、A-B型的消除产物。 第28页/共57页n还原消除经过一个非极性、非自由基的三中心过渡态非极性、非自由基的三中心过渡态 。在还原消除过程中,发生顺式消除发生顺式消除,碳原子上的立体结碳原子上的立体结构保持不变,是分子内反应构保持不变,是分子内反应。 图5-8 还原消除的三中心过渡态 第29页/共57页PdC2H5C2H5Ph3PPh3PPdC2H5C2H5Ph3PPh3PL2Pd+C2H5C2H5l 为证明反应是分子内的,做以下交叉实验:PdCH3CH3Ph3PPh3PPdCD3CD3Ph3PPh3P+l 没有CH3-CD3,说明不是双分子机理。第30页/共57页n由于还原消除反应按三中心过渡

11、态机理进行,发生消除反应的两个配体在过渡金属有机配合物中必须处在两个配体在过渡金属有机配合物中必须处在顺位顺位。 PPh2PdPh2PMeMeDMSO, 80oCMe-MePh2PPPh2PdMeMeDMSO, 80oCNR第31页/共57页n还原消除的容易程度与各相关键的强度有关还原消除的容易程度与各相关键的强度有关:l消除H比较容易,仅1s轨道,不需在消除前进行重排;l碳的轨道较多,涉及更多的结构重排;lC-H H-H C-C;l消除H-H略慢于C-H,因为M-H键强于M-C键;lM-C键的强度键的强度随其中s-轨道成份的增加而增加:sp3 sp2 影响还原消除的因素影响还原消除的因素第3

12、2页/共57页n金属上的电子密度对消除反应有影响:金属上的电子密度对消除反应有影响:a)易发生消除反应的金属及)易发生消除反应的金属及d “构型构型”l 通常见于满足18e-的金属化合物,且还原消除能得到稳定的金属碎片;l 氧化态越高,越容易发生还原消除; d8 = Ni(II), Pd(II), Au(III) d6 = Pt(IV), Pd(IV), Ir(III), Rh(III)b)金属上的正电荷增加还原消除的速率)金属上的正电荷增加还原消除的速率Pt(PEt3)2Ph2I2Pt(PEt3)2Ph2I(MeOH)+Pt(PEt3)2Ph(MeOH)+I-Pt(PEt3)2PhIMeOH

13、C6H6No reaction+I-reductive eliminationPhI第33页/共57页l还原消除过程中,配体的离去表现为带走金属上的电子云密度;这也成为驱动还原消除反应发生的动力;l在反应过程中加入吸电子的配体加入吸电子的配体,减少金属上的电子云密度,可加速还原消除反应;如顺丁烯二酸酐,丙烯腈等。 NNNiMeMeNNNiMeMeCNCNCNNNNiCNCN+ Me-Mec)加入其它配体降低金属上的电子云密度增加还原消除的速)加入其它配体降低金属上的电子云密度增加还原消除的速率率第34页/共57页d)还原消除的氧化诱导)还原消除的氧化诱导 稳定的金属有机化合物可以通过氧化金属中

14、心诱导其发生还原消除反应:(bipy)2FeEt2(bipy)2FeHEtC2H6-H elimination+reductive elimination(bipy)2FeEt21e- oxidationreductive eliminationIrCl6Et-Et第35页/共57页5.3 插入和脱出(反插入)反应插入和脱出(反插入)反应 不饱和烃或含有孤对电子的化合物插入过渡金属有机不饱和烃或含有孤对电子的化合物插入过渡金属有机配合物的配合物的M-C,M-X或或M-H键的反应称插入反应,逆反键的反应称插入反应,逆反应称脱出应称脱出(反插入反插入)反应。反应。 M RA=B:A BM A B

15、RM ABR1,2 插入1,1 插入R 是烷基、芳香基、氢。A=B代表含C=C、C=O、C=N键的有机化合物;:A=B代表 :CO、:CR2等。第36页/共57页n羰基的插入羰基的插入 许多含M-R键的过渡金属有机配合物能插入CO,得到酰基配合物。 M RCOM C RO CO插入M-R键可能有两种途径,即CO直接插入到M-R键中和R基团迁移到CO上: LnMRCOLnMRCO直接插入烷基迁移研究表明是烷基迁移而不是CO插入。第37页/共57页 烷基的迁移插入过程可以看成是分子内的亲核进攻分子内的亲核进攻,插入过程中烷基碳立体化学得以保留烷基碳立体化学得以保留:M C OCR1R2R3MCOC

16、R1R2R3MCOCR1R2R3第38页/共57页MCOOCMeR3PMPR3OCCOMeFeRuOs第39页/共57页加速加速CO插入速率的方插入速率的方法法a)金属的1e-氧化 降低金属的降低金属的p p-给电子能力,使羰基碳的电正性增加,可加速迁给电子能力,使羰基碳的电正性增加,可加速迁移速率:移速率:MC ORCpFeMe(CO)2Ce(IV)MeCNCpFe(CO)(MeCN)(COMe)+EtOHOEtOCH3l 加入Ce(IV)作氧化剂,使反应在低温-78下就可发生;l 反应速率增加了近10倍。第40页/共57页b)在羰基碳上引入拉电子因素,稳定所生成的产物M C ROM CRO

17、AlX3MeMn(CO)5(CO)4MnMeOAlXXXLewis酸的存在使迁移速率飞速增加,约酸的存在使迁移速率飞速增加,约108倍。倍。第41页/共57页c)在金属上的亲核推力l 进攻基团的亲核性增加,插入速率增加;l 配位能力强的溶剂增加插入速率。OOOO使插入反应减慢第42页/共57页HM+M HM HM H第43页/共57页n烯烃的插入和-H消除是竞争反应;n-H消除反应通常是占优的,需要构成一个平面的四元环过渡态;n烯烃的不对称结构会使插入产生区域选择性;HM+M HM HM H第44页/共57页影响插入和影响插入和 -H消除平衡反应的因素消除平衡反应的因素a)烯烃的取代基n 烯烃

18、上取代基具有更多的拉电子作用则使平衡移向烷基烯烃上取代基具有更多的拉电子作用则使平衡移向烷基 -金属金属-烯烃配合物变得不稳定(差的烯烃配合物变得不稳定(差的s s-给电子烯烃)给电子烯烃)HM+M HM HM Hb)存在或缺少一个顺式的空配位点n 为使反应移向烷基,即发生插入反应,必须填占与烷基处于为使反应移向烷基,即发生插入反应,必须填占与烷基处于顺式的空配位点;可通过加入另一个配体顺式的空配位点;可通过加入另一个配体 Cp2MoHCp2MoHCp2MoHPR3PR3第45页/共57页c)金属的性质n 前过渡金属倾向于平衡的插入端,金属上的电子云密度太少而不能形成稳定的金属-烯烃配合物;n

19、 后过渡金属倾向于b-H消除,因为它们能形成稳定的金属-烯烃配合物;n 因此前过渡金属能被用来研究烯烃的聚合以及重排、异构化;Cp2Zr(H)ClCp2ZrClSchwartz试剂第46页/共57页M H+RCH2CH=CH2AM CHCH2RCH3M H+RCH2CH=CH2BM CH2CH2CH2R马氏规则反马规则第47页/共57页CpCo(CD3)2PPh3+CH2=CH2CpCo(CD3)2H2C CH2+PPh3Ligandexchangek1CpCoCD3CH2CH2CD3InsertionCpCoCD3CH2CH2CD3k2CpCoCD3H+CpCo(CD3)2H2C CH2H2C CHCD3-eliminationCpCoCD3HK3CpCo + CD3HReductive elimination第48页/共57页n烯烃的插入时顺式的,因此烯烃两个碳上的立体化学因素均得以保留;n烯烃插入M-H比插入M-C键要容易;第49页/共57页n -H消除反应消除反应 l -H消除反应是金属烷基化合物的主要分解方式:MCCHMHM-H+l 促使-H消除反应发生的因素: 必须具有-H原子,没有-H原子的烷基比较稳定: CH2CMe3, -CH2Ph M-C-C-H的位置,烷基必须能与金属中心

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论