半导体磁敏传感器

1、简简 介介UHbldIFLFEvB7.1 7.1 霍尔传感器霍尔传感器 dIBRUHHdRKHHIBKUHHnqdKH1IEvlUEvIbBlUvbBUHlBUbRbdlUdBRRUdBRdIBRUHHHHHHR12)-(7 RHpedIBUHHRdRKHHbBlUvbBUHW1W2UHUHWUHRLEtUUUHoHoHt/ ) （ )1(tUUHoHt tRRRioioit/ ) （ )1(tRRioit )1(tRROoOt dRKHH/ 型型号号 材材料料 控控制制 电电流流(mA) 霍霍尔尔 电电压压 (mV, 0.1T) 输输入入 电电阻阻 () 输输出出 电电阻阻 () 灵灵敏敏度

2、度(mV/mA.T) 不不等等位位电电势势(mV) VH温温度度 系系数数(%/) EA218 InAs 100 8 8. .5 5 3 3 1 1. .5 5 0 0. .3 35 5 1 13 3 6 6. .5 5 2 2. .4 4 0 0. .7 75 5 1 1 0 0. .0 07 7 VHG-110 GaAs 5 5 5 - -1 10 0 2 20 00 0- -8 80 00 0 2 20 00 0- -8 80 00 0 3 30 0- -2 22 20 0 5 5 4 40 0 3 30 0 2 2. .5 5 _ _ - -0 0. .0 02 2 MF07FZZ I

3、nSb 10 4 40 0- -2 29 90 0 8 8- -6 60 0 8 8- -6 65 5 _ _ 1 10 0 - -2 2 MF19FZZ InSb 10 8 80 0- -6 60 00 0 8 8- -6 60 0 8 8- -6 65 5 _ _ 1 10 0 - -2 2 MH07FZZ InSb 1V 8 80 0- -1 12 20 0 8 80 0- -4 40 00 0 8 80 0- -4 43 30 0 _ _ 1 10 0 - -0 0. .3 3 MH19FZZ InSb 1V 1 15 50 0- -2 25 50 0 8 80 0- -4 40 00

4、 0 8 80 0- -4 43 30 0 _ _ 1 10 0 - -0 0. .3 3 KH-400A InSb 5 2 25 50 0- -5 55 50 0 2 24 40 0- -5 55 50 0 5 50 0- -1 11 10 0 5 50 0- -1 11 10 00 0 1 10 0 - -0 0. .3 3 AIU0BCDDR1R2R4ABCR3R4WCDAR2R3R4R1BWCDAR2R3R4R1BBWDAR2R3R4R1C（a） （b） （c）WABCDWABCD (b)WCABDEIUHRUHtRt(t)RIUHERi(t)t RRH t H10t RRiit10ittRREIit t HHHRREBdRBIdRU00200iiitiHHRRRRRRRBEdRdtdURRRRRRRUiiitiH002200 0022000iiitiiHRRRRRRRRREBdR000RRRii0iRR) 1( ) 1(00tUUtRRHHtOOt 0 dtdULt)2,yxyyxyx （ 0) 1) 100 tRRtROLO （ 0OLRRLLOHLtRR