芯片工艺流程_第1页
芯片工艺流程_第2页
芯片工艺流程_第3页
芯片工艺流程_第4页
芯片工艺流程_第5页
已阅读5页，还剩54页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、芯片生产工艺流程（课件）单晶拉制（1）单晶拉制（2）单晶拉制（3）单晶拉制（4）单晶拉制（5）环境和着装单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备单项工艺-光刻(3)检查用显微镜单项工艺-光刻(4)清 洗淀积/生长隔离层匀 胶（SiO2 Si3N4 金属金属）-HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶单项工艺-光刻(5)前 烘对 版匀 胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。-

2、增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚 膜腐 蚀-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去 胶-干法腐蚀/湿法腐蚀单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程单项工艺-CVD（1）单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解单项工艺-CVD（4）玻 璃 的 解 吸单项工艺-CVD（5）单相工艺-离子注入（1）单相工艺-离子注入（2）单相工艺-离子注入（3）单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图单相工艺-蒸发（3）单相工艺-清洗基础认知衬底材料扩散层外延层一次氧化基区光刻干氧氧化离子注入基区扩散发射区光刻发射区预淀积发射区扩散（*）发射区低温氧化（*）氢气处理N+光刻（适用于P型片）N+淀积扩散（适用P型片）N+低温氧化（适用P型片）氢气处理（适用P型片）3B光刻铝蒸发四次光刻氮氢合金AL上CVD2氮气烘焙（适用N型片）2五次光刻2中测抽测2测试系统减薄、抛光2减薄和抛光部分蒸金/银2

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 管理策划

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论