第3章逻辑门电路

1、第第3章章 逻辑门电路逻辑门电路 门电路是用以实现逻辑关系的电子电路，与我们门电路是用以实现逻辑关系的电子电路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：与门与门、或门或门、与非门与非门、或非门或非门、异或门异或门等。等。在数字电路中，一般用高电平代表在数字电路中，一般用高电平代表1、低电平代表、低电平代表0，即所谓的即所谓的正逻辑系统正逻辑系统。正逻辑正逻辑00VVcc1只要能判断高只要能判断高低电平即可低电平即可作业作业：2011-09-13P91 2-1；2-2； 2-6； 2-7；P92：2-12；3.1 二极管的开关特性二极管的开关特性

2、 晶体管开关与逻辑门电路晶体管开关与逻辑门电路 数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管、三数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管、三极管或单极型场效应管组成。这些晶体管大部分工作在极管或单极型场效应管组成。这些晶体管大部分工作在导通和截止状态，相当于开关的导通和截止状态，相当于开关的“接通接通”和和“断开断开” 。3.1.1 晶体二极管的开关特性晶体二极管的开关特性 静态开关特性静态开关特性 ：什么条件下导通，什么条件下截止：什么条件下导通，什么条件下截止 动态开关特性动态开关特性 ：导通与截止两种状态之间转换过程：导通与截止两种状态之间转换过程 的特性的特性 31 双极型晶体管的开关特性及简

3、单门电路双极型晶体管的开关特性及简单门电路 311 晶体二极管的开关特性晶体二极管的开关特性 1、晶体二极管静态开关特性、晶体二极管静态开关特性 （1）二极管正向导通时的特点及导通条件）二极管正向导通时的特点及导通条件 A.VON ：门槛电压或称阈值电压、开启电压：门槛电压或称阈值电压、开启电压 B.VD ：导通压降：导通压降 VD =0.7V视为硅二极管导通的条件视为硅二极管导通的条件二极管正向导通时的等效电路二极管正向导通时的等效电路 31 双极型晶体管的开关特性及简单门双极型晶体管的开关特性及简单门 311 晶体二极管的开关特性晶体二极管的开关特性 1、晶体二极管静态开关特性、晶体二极管

4、静态开关特性 （1）二极管正向导通时的特点及导通条件）二极管正向导通时的特点及导通条件 （2）二极管截止时的特点及截止条件）二极管截止时的特点及截止条件 A. 截止条件：截止条件：VRVON B. 实际：实际：VR0，保证二极管可靠截止，保证二极管可靠截止 C. VZ：二极管的反向击穿电压：二极管的反向击穿电压 二极管截止时的等效电路二极管截止时的等效电路 D. IS：二极管的反向漏电流：二极管的反向漏电流311 晶体二极管的开关特性晶体二极管的开关特性 3、晶体二极管动态开关特性、晶体二极管动态开关特性 动态过程（过渡过程）：二极管导通和截止之间转换过程。动态过程（过渡过程）：二极管导通和截

5、止之间转换过程。t re反向恢复时间：二极管反向恢复时间：二极管从导通到截止所需时间。从导通到截止所需时间。 二极管两端输入电压的频二极管两端输入电压的频率过高，以至输入负电压率过高，以至输入负电压的持续时间小于它的反向的持续时间小于它的反向恢复时间时，二极管将失恢复时间时，二极管将失去其单向导电性。去其单向导电性。 4、二极管开关应用、二极管开关应用vI 的极性使二极管正偏导通，则的极性使二极管正偏导通，则vI被传到输出端被传到输出端vO ；vI的极性使二极管反偏截止，则的极性使二极管反偏截止，则vI传不到输出端传不到输出端vO，输出为输出为0。（1）脉冲极性选择电路）脉冲极性选择电路（2）

6、限幅电路）限幅电路4、二极管开关应用、二极管开关应用4、二极管开关应用、二极管开关应用（3）钳位电路）钳位电路3.1.2 双极型晶体三极管双极型晶体三极管(BJT)的开关特性的开关特性 1、双极型三极管的开关特性、双极型三极管的开关特性 三极管具有饱和、放大和截止三种工作状态，在三极管具有饱和、放大和截止三种工作状态，在数字电路中，静态主要工作于饱和和截止状态数字电路中，静态主要工作于饱和和截止状态 。NPN型硅三极管开关电路及其特性型硅三极管开关电路及其特性 3.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 1、双极型三极管的开关特性、双极型三极管的开关特性 （1）三极管的截止状

7、态和可靠截止的条件）三极管的截止状态和可靠截止的条件 当当vI很小，如很小，如vI0.5V时时 ：A.vBE小于开启电压，小于开启电压，BE 间，间，CE间都截止间都截止 B.C.三极管工作在三极管工作在Q1点或点或Q1点以下位置，三极管的点以下位置，三极管的这种工作状态叫截止状态这种工作状态叫截止状态 NPN硅三极管截止的条件为硅三极管截止的条件为vBE0.5V，可靠截止的条件为，可靠截止的条件为vBE0V。 3.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 1、双极型三极管的开关特性、双极型三极管的开关特性 （1）三极管的截止状态和可靠截止的条件）三极管的截止状态和可靠截止的条

8、件 当输入电压当输入电压vI0.7V时时 ：A. vBE大于开启电压，大于开启电压，BE 间导通间导通 B. vBE被钳在约被钳在约0.7V C.三极管工作在三极管工作在Q2点附近点附近,于于Q1和和Q3之间之间,三极管的三极管的 这种工作状态称为放大状态。这种工作状态称为放大状态。 3.1.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 1、双极型三极管的开关特性、双极型三极管的开关特性 （3）三极管的饱和状态和可靠饱和的条件）三极管的饱和状态和可靠饱和的条件 当输入电压当输入电压vI增加增加 ：A. iB增加，工作点上移，当工作点上移至增加，工作点上移，当工作点上移至Q3点时，三

9、极点时，三极管进入临界饱和状态。管进入临界饱和状态。 B. iB再增加，输出再增加，输出iC将不再明显变化将不再明显变化 VCE=VCES0.7V C.工作点向上移至工作点向上移至Q3点以上，饱和深度增加，进入可靠点以上，饱和深度增加，进入可靠饱和状态。饱和状态。 VCE=VCES0.3V 当输入电压当输入电压vI增加增加 ：3.1.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 1、双极型三极管的开关特性、双极型三极管的开关特性 三极管的截止状态三极管的截止状态三极管的饱和状态三极管的饱和状态NPN型硅三极管开关等效电路型硅三极管开关等效电路 三极管作为开关使用时只需要：饱和状态和

10、截止状态三极管作为开关使用时只需要：饱和状态和截止状态 输入信号为高电压时，应使三极管可靠地饱和；输入信号为高电压时，应使三极管可靠地饱和；信号为低电压时，应使三极管可靠地截止。信号为低电压时，应使三极管可靠地截止。 3.1.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 1、双极型三极管的开关特性、双极型三极管的开关特性 （4）三极管开关的过渡过程）三极管开关的过渡过程 ton = td +tr ton开通时间开通时间 toff = ts +tf toff关断时间关断时间 3.1.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 1）三极管截止时：）三极管截止时：vIVIL

11、 )(BBILB2B1B1ILBEVVRRRVv0)(BBILB2B1B1ILVVRRRV2、三极管反相器、三极管反相器 3.1.2 双极型晶体三极管的开关特性双极型晶体三极管的开关特性 2、三极管反相器、三极管反相器 2）三极管饱和时：）三极管饱和时：vIVIH CCESCCCSBSRVVIIB2BBBESB1BESIHRVVRVVCCESCCCSRVVI3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性1、NMOS管的工作特性及其曲管的工作特性及其曲线线 G：栅极或称控制极：栅极或称控制极D：漏极：漏极B：衬底：衬底S：源极：源极VGS=0VVGSVGS(th)N(VT)3.4.1 MOS管的开关

12、特性管的开关特性1、NMOS管的工作特性及其曲线管的工作特性及其曲线 G：栅极或称控制极：栅极或称控制极D：漏极：漏极S：源极：源极B：衬底：衬底VT：开启电压，也叫阈值电压，一般为（：开启电压，也叫阈值电压，一般为（23V） 转移特性曲线转移特性曲线 3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性1、NMOS管的工作特性及其曲管的工作特性及其曲线线 G：栅极或称控制极：栅极或称控制极D：漏极：漏极S：源极：源极B：衬底：衬底双极型三极管三个区：截止区、放大区、饱和区双极型三极管三个区：截止区、放大区、饱和区MOS管的三个区：管的三个区：截止区截止区、恒流区恒流区、线性区线性区漏极特性曲线漏极特性

13、曲线3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性1、NMOS管的工作特性及其曲线管的工作特性及其曲线 特性曲线特性曲线（1）当）当vI(vGS)VT时，截止区时，截止区iD0mA，vO VDDiD RDVDDRDS（off）极大，约为极大，约为109以上以上3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性1、NMOS管的工作特性及其曲线管的工作特性及其曲线 特性曲线特性曲线（1）当）当vI(vGS)VT时，截止区时，截止区（2）当）当vI(vGS)VT时，恒流区时，恒流区 （3）当）当vIvm时，线性区时，线性区 vO0V，iD很大，很大，等效电阻等效电阻RDS（on）很小，很小，约为几百欧姆约为几百

14、欧姆 Vm:MOS管进入线性区的临界点电压管进入线性区的临界点电压 ，Vm的值与的值与管子的特性、负载大小有关。管子的特性、负载大小有关。3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性1、NMOS管的工作特性及其曲线管的工作特性及其曲线 （1）当）当vI(vGS)VT时，截止区时，截止区（2）当）当vI(vGS)VT时，恒流区时，恒流区 （3）当）当vIvm时，线性区时，线性区 3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性2、NMOS管的开关特管的开关特性性3、PMOS管的开关特性管的开关特性 （1）当）当vI=0V，vSG = -vI=0V-VT，线性区，线性区 )(onDSDRRVvO0VVvD

15、DO10RDS（off）3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性3.4.1 MOS管的开关特性管的开关特性MOS管的管的4种形式种形式N沟道增强型沟道增强型 P沟道增强型沟道增强型 N沟道耗尽型沟道耗尽型 P沟道耗尽型沟道耗尽型 3.3 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 3.3.1 二极管与门及或门电路二极管与门及或门电路 晶体管门电路晶体管门电路(分立元件分立元件) 集成电路集成电路 (TTL和和MOS)可编程逻辑器件可编程逻辑器件(CPLD、FPGA)数数字字电电路路3.3 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 3.3.1 二极管与门及或门电路二极管与门及或门电路 1、二极管、二极管“与与”门电路门

16、电路 ABY ABY0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7VABY000010100111&ABY用电平值表示用电平值表示用逻辑值表示用逻辑值表示2、二极管、二极管“或或”门电路门电路 BAYABY0V0V-0.7V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VABY000011101111用电平值表示用电平值表示用逻辑值表示用逻辑值表示1ABY例：已知二极管三输入与门和三输入或门以及三个例：已知二极管三输入与门和三输入或门以及三个输入信号的波形，根据与逻辑和或逻辑的功能，对输入信号的波形，根据与逻辑和或逻辑的功能，对应输入信号分别画出与门和或门的输出信号波形

17、。应输入信号分别画出与门和或门的输出信号波形。 3V3V12V3 三极管非门三极管非门 三极管非门三极管非门箝位二极管箝位二极管R1DR2AY+12V +3V三极管非门三极管非门R1DR2AY+12V +3V箝位二极管箝位二极管AF VAVF3V0.3V0V3.7VVAVF10011AY3 三极管非门三极管非门 YR1DR2+12V +3V三极管非门三极管非门与非门与非门D1D2AB+12V二极管与门二极管与门例：例：由图所示电路，根据输入波形，画出输出由图所示电路，根据输入波形，画出输出Y Y的波形。的波形。解：由图可以看出，输出解：由图可以看出，输出Y=Y1+Y2=AB+CD，根据，根据“

18、与与”逻辑和逻辑和“或或”逻辑的性质，画出输出逻辑的性质，画出输出Y的波形的波形 3.2 晶体管晶体管-晶体管逻辑门晶体管逻辑门(TTL) 晶体管门电路晶体管门电路(分立元件分立元件) 集成电路集成电路 (TTL和和MOS)可编程逻辑器件可编程逻辑器件(CPLD、FPGA)数字数字电路电路集成电路优点集成电路优点: :体积小、耗电少、重量轻、可靠性高等。体积小、耗电少、重量轻、可靠性高等。 RTL（Resister-Transistor Logic）电阻晶体管逻辑；）电阻晶体管逻辑；DTL（Diode-Transistor Logic）二极管晶体管逻辑；）二极管晶体管逻辑；HTL（High-T

19、hreshold Logic）高阈值逻辑；）高阈值逻辑；TTL（Transistor -Transistor Logic）晶体管晶体管逻辑；）晶体管晶体管逻辑；ECL（Emitter Coupled Logic）发射极耦合逻辑；）发射极耦合逻辑； I2L（Integrated Injection Logic）集成注入逻辑）集成注入逻辑(IIL)。 常见的数字集成电路分为双极型和单极型两大工艺类常见的数字集成电路分为双极型和单极型两大工艺类 双双极极型型PMOS型型;NMOS型型;CMOS型型 单单极极型型3.2 晶体管晶体管-晶体管逻辑门晶体管逻辑门(TTL) 3.2.1 TTL与非门与非门

20、（1）输入级）输入级 1、TTL与非门的电路结构与工作原理与非门的电路结构与工作原理 组成组成: T1和和R1多发射极三多发射极三极管极管, ,实现实现与逻辑与逻辑 D1D2保护保护（2）分相级）分相级 输入级输入级组成组成: T2和和R2、R3在流过在流过R1的电流相同的的电流相同的情况下，使输出管情况下，使输出管T4有有更大的基极电流，提高更大的基极电流，提高了带负载能力并提高了了带负载能力并提高了开关速度。开关速度。分相级分相级3.2 晶体管晶体管-晶体管逻辑门晶体管逻辑门(TTL) 3.2.1 TTL与非门与非门 （1）输入级）输入级 1、TTL与非门的电路结构与工作原理与非门的电路结

21、构与工作原理 输出级输出级组成组成: V1和和R1多发射极多发射极三极管三极管,实实现与逻辑现与逻辑 D1D2保护保护（2）分相级）分相级 输入级输入级组成组成: V2和和R2、R3（3）输出级）输出级 分相级分相级组成组成 ：V3、V4和和R4、VD3V3和和V4：推拉式电路。总是一个：推拉式电路。总是一个导通而另一个截止，有效地降低导通而另一个截止，有效地降低了输出级的静态功耗，提高了与了输出级的静态功耗，提高了与非门的负载能力。非门的负载能力。 1、任一输入为低电平（、任一输入为低电平（0.3V）时）时0.3VVT1B=1VTTL与非门的工作原理与非门的工作原理 A4KBD1D2R11.

22、6KR21KR3130R4VCCYT1D3T2T3T4VT1C=0.4V导通需导通需1.4V01VVOVO=5V-VR2-VBE3-VD3 3.6V高电平！高电平！1、任一输入为低电平（、任一输入为低电平（0.3V）时）时TTL与非门的工作原理与非门的工作原理 2、输入均为高电平（、输入均为高电平（3.6V）时）时3.6VVT1B=5VTTL与非门的工作原理与非门的工作原理 A4KBD1D2R11.6KR21KR3130R4VCCYT1D3T2T3T4VT1C=3.9V3.6VVT1B=2.1VVT1C=1.4VVT2C=1VVT4B=0.7V2、输入全为高电平（、输入全为高电平（3.6V）时

23、）时TTL与非门的工作原理与非门的工作原理 HABY 全反偏全反偏饱和饱和VY =0.3VD1、D2的作用的作用TTL与非门的工作原理与非门的工作原理 - -0.7VD1D2保护保护22 晶体管晶体管-晶体管逻辑门晶体管逻辑门(TTL) 2、TTL与非门的电气特性及参数与非门的电气特性及参数 TTL与非门的电气特性主要包括与非门的电气特性主要包括电压传输特性电压传输特性、输入输出特性输入输出特性和动态特性。和动态特性。 （1）电压传输特性）电压传输特性 TTL与非门的与非门的vO随输入电压随输入电压vI变化的关变化的关系称为电压传输特性。系称为电压传输特性。 （1） TTL与非门与非门电压传输

24、特性电压传输特性 传输特性曲线传输特性曲线3.2.1 TTL与非门与非门 （1）电压传输特性）电压传输特性 几个重要参数：几个重要参数：1.输出高电平：输出高电平：VOH2.输出低电平：输出低电平：VOL空载时空载时3.6V，标准值标准值3.0V， 一般一般 2.4V即可称之为高电平。即可称之为高电平。空载时空载时0V，标准值标准值0.3V，一般一般0.5V即可称之低电平。即可称之低电平。3.2.1 TTL与非门与非门 （1）电压传输特性）电压传输特性 几个重要参数：几个重要参数：3.关门电平：关门电平：VOFF4.开门电平：开门电平：VON使使TTL门门T4关断的输入电平，关断的输入电平，

25、VOFF 0.8V使使TTL门门T4导通的输入电平，导通的输入电平， VON 1.8V3.2.1 TTL与非门与非门 （1）电压传输特性）电压传输特性 几个重要参数：几个重要参数：5.阈值电压：阈值电压： VthVth, 当当VI Vth时，时， TTL门关断；门关断；当当VI Vth时，时， TTL门导通。门导通。Vth 1.4V3.2.1 TTL与非门与非门 （2）输入特性）输入特性 TTL门的输入电流门的输入电流iI随输入电压随输入电压vI变化的关系：变化的关系：输入短路电流输入短路电流Is1.07mA 3.2.1 TTL与非门与非门 （2）输入特性）输入特性 输入端接地电阻：输入端接地

26、电阻：关门电阻：关门电阻：ROFF910开门电阻：开门电阻：RON2.5k2、TTL与非门的电气特性及参数与非门的电气特性及参数 （3）输出特性）输出特性 &？前级输出为高电平时前级输出为高电平时前级前级后级后级流出前级流出前级电流电流IOH（拉电流）（拉电流）R1v1+5V前级输出为低电平时前级输出为低电平时R1T1+5V前级前级后级后级流入前级的电流流入前级的电流I IOL OL ( (灌电流灌电流) )扇出系数与门电路输出驱动同类门的个数扇出系数与门电路输出驱动同类门的个数+5VR4R2T3T1前级前级T1T1IIH1IIH3IIH2IOH前级输出为前级输出为 高电平时高电平时后

27、级后级+5VR2R14kT2R3T1T4b1c1前级前级IOLIIL1IIL2IIL3前级输出为前级输出为 低电平时低电平时扇出系数与门电路输出驱动同类门的个数扇出系数与门电路输出驱动同类门的个数输出低电平时，流入前级的电流（灌电流）：输出低电平时，流入前级的电流（灌电流）：21ILILOLIII输出高电平时，流出前级的电流（拉电流）：输出高电平时，流出前级的电流（拉电流）：IH2IHOHIII1标准标准TTL系列器件，系列器件，规范值为规范值为NO8 。IOL（max）越大越大,带灌电流负载能力越强带灌电流负载能力越强; IOH（max）越大越大,带拉电流负载能力越强。带拉电流负载能力越强。

28、 （4）传输延迟时间传输延迟时间传输延迟时间传输延迟时间)(21drdfpdttt输出波形相对输入波形的滞后时间称为传输延迟时间输出波形相对输入波形的滞后时间称为传输延迟时间 tpd 集成电路一般平集成电路一般平均传输延迟时间的单均传输延迟时间的单位是纳秒位是纳秒（ns）。 （5）输入短路电流）输入短路电流IIS 输入短路电流输入短路电流IIS是与非门的某一输入端接地（输是与非门的某一输入端接地（输入电压入电压vI=0V）而其余输入端悬空时，流出此输入端）而其余输入端悬空时，流出此输入端的电流。的电流。 （6）输入漏电流）输入漏电流 IIH：输入高电平电流输入高电平电流IIH又称为输入漏电流或

29、输入交又称为输入漏电流或输入交叉漏电流，它是与非门某一输入端接高电平而叉漏电流，它是与非门某一输入端接高电平而其余输入端接地时，流进此输入端的电流。其余输入端接地时，流进此输入端的电流。当数字系统中与非门处于串联运用时，若前级当数字系统中与非门处于串联运用时，若前级（驱动）门输出高电平，则后级（负载）门的（驱动）门输出高电平，则后级（负载）门的IIH就是驱动门的拉电流负载。因此就是驱动门的拉电流负载。因此IIH的数值愈的数值愈小愈好。对于标准小愈好。对于标准TTL系列器件，规范值为系列器件，规范值为IIH40A。 （8）扇出系数：）扇出系数： 扇出系数是门电路能够驱动同类负载门的最扇出系数是门

30、电路能够驱动同类负载门的最大个数，它分低电平扇出系数大个数，它分低电平扇出系数NOL和高电平扇出和高电平扇出系数系数NOH。 对于标准对于标准TTL系列器件，规范值为系列器件，规范值为NO8 。 （9）空载功耗：）空载功耗：（7）工作电压：）工作电压：TTL系列数字集成电路的工作电压范围为系列数字集成电路的工作电压范围为4.755.25V。1、悬空的输入端相当于接高电平。、悬空的输入端相当于接高电平。2、为了防止干扰，可将悬空的输入、为了防止干扰，可将悬空的输入端接高电平。端接高电平。3.2.2 其它其它TTL门电路门电路 或非门、与或非门、与门、或门、异或门、或非门、与或非门、与门、或门、异

31、或门、三态门、集电极开路门（三态门、集电极开路门（OC门）门） 。 其中，或非门、与或非门等是指逻辑功能，而其中，或非门、与或非门等是指逻辑功能，而 三态门、集电极开路门则是指逻辑门的输出结构，三态门、集电极开路门则是指逻辑门的输出结构，非逻辑功能。非逻辑功能。3.2.2 其它其它TTL门电路门电路 1、TTL或非门或非门 AB Y3.6V导通导通1.4VT2、T4导通导通1V113.6V03.2.2 3.2.2 其它其它TTLTTL门电路门电路 1、TTL或非门或非门 AB Y0.3导通导通1.4VT2、T4导通导通1V11 01001 03.6V00.4V0.7V3.2.2 其它其它TTL

32、门电路门电路 1、TTL或非门或非门 AB Y0.3导通导通0.4VT2、T4截至截至5VBAY00 11 010 001 00.3V12、集电极开路、集电极开路TTL门（门（OC门门) 1CDABABCD“L”“H”i: Vcc R4 T3 D3T4因为因为 输出电阻小，所以输出电阻小，所以i 很大。很大。1. 使输出低电平升高。使输出低电平升高。2. 功耗过大损坏管子。功耗过大损坏管子。解决解决输出级改为集电极开路输出级改为集电极开路 2、集电极开路、集电极开路TTL门（门（OC门门) 表示开路输出，下画横线表示表示开路输出，下画横线表示L型，即型，即输出晶体管导通时为输出晶体管导通时为低

33、电平低电平。截止时为。截止时为高高阻状态阻状态。表示开路输出，下画横线表示表示开路输出，下画横线表示H型，即型，即输出晶体管导通时为输出晶体管导通时为高电平高电平。截止时为。截止时为高高阻状态阻状态。 OC门：集电极开路的与非门门：集电极开路的与非门电阻的阻值和电源电压的数值选择得当电阻的阻值和电源电压的数值选择得当 3、三态输出、三态输出TTL门门 3.2.2 其它其它TTL门电路门电路 1. 如何实现？如何实现？2. 效果如何？效果如何？高电平、低电平高电平、低电平问题：问题：T3和和T4同时处于截止同时处于截止状态状态 高阻状态，简称高阻状态，简称3S（Three State）门。）门。

34、 为了使器件能够在数据总线为了使器件能够在数据总线构成时正确传输逻辑信号还构成时正确传输逻辑信号还应使输出不发送信号的状态应使输出不发送信号的状态3、三态输出、三态输出TTL门门 3.2.2 其它其它TTL门电路门电路 E1时，输出时，输出Y与输入与输入A、B之之间为正常的与非关系。间为正常的与非关系。 E0时，时，T2和和T4截止。同时，二截止。同时，二极管极管D正偏导通，将正偏导通，将T3的基极钳的基极钳位在低电平，使位在低电平，使T3也处于截止状也处于截止状态，从而实现了态，从而实现了T3与与T4同时截止。同时截止。 3、三态输出、三态输出TTL门门 3.2.2 其它其它TTL门电路门电路 高电平使能三态门符号高电平使能三态门符号 低电平使能三态门符号低电平使