电子技术基础

1、电子技术基础一、填空题。1、导电能力介于_和_之间的物质是半导体。2、N型半导体中多数载流子是_，P型半导体中多数载流子是_。3、硅二极管的门坎电压是_V，锗二极管的门坎电压是_V；硅二极管的正向导通电压降是_V，锗二极管的正向导通电压降是_V。4、三极管内部形成两个PN结，分别是_和_。5、三极管工作在放大状态，必须使_正偏，_反偏。6、以静态工作点的位置不同，我们将功率放大器分为 类、 类和 类三种。7、三端稳压器7812输出电压为_伏，7905输出电压为_伏。8、基本的逻辑门电路有_、_、_三种门电路。9、在对放大电路作静态分析时，电容器视为_；作动态分析时，耦合电容和旁路电容可视为_。

2、10、负反馈放大器是由_电路和_电路组成的一个闭环系统。11、正弦波振荡器一般由_、_和_三部分构成。12、多级放大电路的级间耦合方式常用的有_耦合、_耦合和_耦合三种。13将PN结封装在一支管壳内，就制成了一支二极管，P区的引出端叫_极，其文字符号为V，箭头指向为PN结_向电流的方向。14、一般正常工作时，硅管的正常导通压降为_V，锗管的正常导通压降为_V。15、三极管内部结构的不同,三极管分为_型三极管和_型三极管两类。16、要使三极管能正常工作，对于NPN型管来说，c、b、e三个电极的电位必须符合_，PNP型符合_。17、要使三极管处于放大区时，其发射结需加_电压，集电结需加_电压。18

3、、OTL功放电路由_级和_级两部分电路组成。19、为防止失真，放大器发射结电压直流分量VBEO应比输入信号峰值_，并且要大于发射结的_。20、温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，可能引起_失真，为使工作点稳定，通常采用_电路。21、二极管最主要的特性是_。稳压二极管工作在_。22、要使晶体管起电流放大作用时，发射结必须_；集电结必须_。23、基本与逻辑门的逻辑代数表达式为_、或逻辑门的逻辑代数表达式为_。24、能降低输出电阻的是_负反馈，能提高输入电阻的是_反馈。 25、若三级放大电路中Au1、Au2为30dB，Au3为20dB，则其总电压增益为_dB，折合为_倍。27、集成三端稳压器CW

4、7815的输出电压为_V。28二进制数与十进制数间的关系是（110111）2=（_）10、（45）10=（_）229、二极管单相整流电路一般有_、_和变压器中心抽头式_电路。30、N型半导体导电主要靠_，P型半导体导电主要靠_。31、带有放大环节的串联型稳压电源是由_、基准电压、_、调整元件四部分组成。32、(101010)2=_10 , (17.25)10=_233、在集成电路内部常用电流源作有源负载，是利用电流源的_特点。34、引起零漂的主要因素有两点：一是_，二是_。35、在差分放大器中，共模放大倍数Avc愈_（填大或小），则表明抑制零漂能力愈强。实用型差分放大器的调零电位器Rp的作用是

5、_；射极电阻Re的作用是_。36、所谓“振荡”是指没有_信号，也能得到持续的输出信号。37、正弦波振荡器由_、_和_三部分所组成。38、基本逻辑门电路有_、_和_三种。39、开关稳压电源是通过调整_来保持输出电压的稳定。40、晶闸管导通必须具备两个条件：一是_，二是_。41、半导体中有两类载流子：_和_；N型半导体中多数载流子是_，P型半导体中多数载流子是_。42、物质按导电能力的强弱可分为_、_和_三大类。43、二极管是由PN结构成的，它最重要的特性是_。硅二极管的死区电压约为_伏，锗二极管的死区电压约为_伏；硅二极管的正向导通电压降约为_伏，锗二极管的正向导通电压降约为_伏；44、滤波是指

6、_。45、电容滤波是将电容与负载_，电感滤波是将电感与负载_。46、三极管放大电路中静态工作点设置过高会产生_失真，静态工作点设置过低会产生_失真。47、三极管有三个电极，分别是_、_和_；三极管内部形成两个PN结，分别是_和_。48、要使三极管能够正常放大信号，必须给管子的_加正向电压，_加反向电压。49、三极管输出特性曲线可分为_、_和_三个区域。50、多级放大器的级间耦合方式有四种，分别是_、_、_和_。51、三极管在电路中可构成三种放大电路，分别是_放大电路、_放大电路和_ 放大电路。其中_放大电路同时具有放大和反相两个作用。52、当PN结正偏时，正向电阻_，正向电流很大；当PN结反偏

7、时，反向电阻_，反向电流很小。53、内热式电烙铁的发热器(烙铁芯)装置于烙铁头_。54、物质按导电能力的强弱可分为_、_和_三大类。55、二极管是由PN结构成的，它最重要的特性是_。硅二极管的死区电压约为_伏，锗二极管的死区电压约为_伏；硅二极管的正向导通电压降约为_伏，锗二极管的正向导通电压降约为_伏。56、示波器上聚焦旋钮的作用是_。57、滤波的作用是_。58、要使三极管能够正常放大信号，必须给管子的_加正向电压，_加反向电压；三极管内部形成两个PN结，分别是_和_。59、三极管放大电路中静态工作点设置过高会产生_失真，静态工作点设置过低会产生_失真。60、多级放大器的级间耦合方式常见有四

8、种，分别是光电耦合、_耦合、_耦合和_耦合。61、测量电路中某一电阻的电压时，应将电压表与这个电阻_；测量电路中某一电阻的电流时，应将电流表与这个电阻_。62、1pF=_F。63、电容滤波是将电容与负载_。64、电感器的特点可归纳为“_”。65、在反馈电路中，要稳定输出电流应引入_负反馈。66、根据功率放大器所设静态工作点的不同，功率放大器可为_类、_类和_类三种。67、（11010）B=（_）D。68、自由电荷的_就形成了电流。我们把_定向移动的方向规定为电流方向。69、1A=_A=_mA.70、我们规定电压的方向为_。71、所谓周期就是指交流电完成一次周期性变化所需要的_；频率就是指交流电

9、在单位时间内变化的_；我们国家使用的工频交流电的周期为_，频率为_。72、在三相四线制交流电传输中，相线与相线之间的电压叫_，相线与零线之间的电压叫_，它们之间的大小关系为_。73、电流在导体中流动时受到的_叫电阻。在一定温度条件下，导体的电阻与导体的电阻率成_，与导体的长度成_，与导体的横截面积成_，这就是电阻定律。74、节点电流定律告诉我们流过任何一节点的电流的_为零。回路电压定律告诉我们任意绕回路一周_为零。75、常用的电烙铁有_、_、_和_四种。76、写出阻值和误差，（必须写出其单位符号） 二、选择题。1、型号为2CW4的二极管是_。A、硅材料整流管 B、锗材料整流管C、硅材料稳压管

10、D、锗材料稳压管2、二极管的正极电位是10V，负极电位是9.3V，则该二极管处于 状态 。A、正偏 B、反偏 C、零偏 3、如果二极管的正、反向电阻都很大，则二极管 。A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 4、用万用表欧姆档判断小功率二极管的性能好坏时，一般将欧姆档拨到_。A、R×1档 B、R×10档 C、R×100或R×1K档 D、R×10K档5、NPN型三极管的基区是 。A、N型半导体 B、P型半导体 C、硅材料 D、锗材料6、某三极管标注为3DG100A，则其管型和材料为 。A、NPN型、硅材料管 B、PNP型、硅材料管 C、NPN型、锗

11、材料管 D、PNP型、锗材料管7、某放大器中晶体管三个极的电压分别为2V、1.7V、5V，可判断该管为 。A、硅材料NPN型管 B、硅材料PNP型管 C、锗材料NPN型管 D、锗材料PNP型管8、放大器的静态工作点设置过高，会产生 。A、截止失真 B、饱和失真 C、交越失真 D、以上都不是9、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是 。A、同相位 B、相位差900 C、相位差1500 D、相位差1800 10、稳压二极管工作在伏安特性曲线的 。A、正向截止区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区11、逻辑函数式A+AB，简化后结果是 。A、A B、B C、AB D、112、

12、某三级放大器中，各级电压放大倍数分别是10、20、30，则总的电压放大倍数是 。A、20 B、30 C、60 D、6000 13、射极输出器的反馈类型是 。A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈14、OCL功放电路输出理想效率为 。A、100% B、78.5% C、50% D、30%15、在单相桥式整流电路中，若有一支二极管开路，电路将出现 。A.、损坏变压器 B、输出电压降低C、损坏其余二极管 D、没有什么影响16、集成运放组成的电压跟随器的输出电压Vo=( )A.I B.1 C.Av D.Avf17、正弦波振荡器中选频网络的作用是（ ）A提高输出信号

13、的振幅 B产生单一频率的振荡 C保证电路起振 D使振荡有丰富的频率成分18、共射变压器耦合振荡器的信号幅度受（ ）影响大，但易于起振。A放大倍数 B温度 C工作频率 D耦合度19、单结管用于可控整流电路，其作用是组成（ ）A整流电路 B放大电路 C反相电路 D控制电路20、集成运放的输入级采用差动放大电路的原因主要是为了（ ）。A. 提高电压增益 B. 提高输入阻抗 C. 减小零点漂移 D. 减小信号失真21、发光二极管发光时，其工作在( )。A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区 D、非线性区22、在直流放大电路中，抑制零点漂移最常用方法是( )。A、提高输入电阻 B、降低输出电阻

14、C、提高放大倍数 D、用差分放大电路23、为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用方法。( )A、减小Ib B、减小Rc C、减小Rb D、提高VCC的绝对值25通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )A输入电阻高 B输出电阻低 C共模抑制比大 D电压放大倍数大26、有些放大电路在发射极电阻上并联个电容Ce，则Ce的作用是( )A、稳定静态工作点 B、减少信号在Re上的损失C、改善输出电压波形 D、减小信号失真27、画交流通道时，应( )A、把电容视为开路，电源视为短路 B、电容和电源都视为开路C、电容视为短路，电源视为开路， D、电容和电源都视为短路28、逻辑函

15、数式，可以写成( )A、 B、 C、 D、Y=O29、存储8位二进制信息要触发器个数为( )A、2 B、3 C、4 D、830、右图所示稳压电路，稳压管V1与V2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为( )A、1.4V B. 4.6VC. 5.3V D. 6V31、逻辑函数式A+A，简化后的结果是（ ）。A2A BA C 1 DA232、对频率稳定度要求较高的振荡器，要采用( )ALC振荡电路 BRC振荡电路 CRL振荡电路 D石英晶体振荡电路33、直流放大器的级间耦合通常采用（ ）A阻容耦合B变压器耦合 C直接耦合 D电感抽头耦合34、电 路 如 图 所 示，其 输

16、入 电 压 uI1，uI2 为0.4V和0.8V。输 出 电 压 值为（ ）A-4.8V B4.8V C-1.6V D-3.2V35、实用型差分放大器由双端输入变为单端输入，其差模放大倍数（ ）A增加一倍 B减小一半 C不变 D无法确定36、石英晶体谐振于fs时，相当于LC回路的（ ）A串联谐振 B并联谐振 C自激 D串并联谐振37、改进的电容三点式振荡器的主要优点是（ ）A容易起振 B振幅稳定 C频率稳定度高 D减小谐波分量38、要获得-9V的稳定电压，集成稳压器的型号应选用（ ）ACW7812 BCW7912 CCW7809 DCW790939、D触发器在D=1时，输入一个CP脉冲，其逻辑

17、功能是（ ）。A置1 B清0 C保持 D翻转40、电路如右图所示，Y的值为（ ）1ABYAA+B BAB C D 41、多级直流放大电路各级都会产生零点漂移，但抑制零点漂移的重点放在（ ）A中间级 B最末级 C第一级 D哪一级都行42、三端可调式稳压器CW317的脚为（ ）A输入端 B输出端 C调整端 D公共端43、下图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V，则Y= （ ）。A0.7V B3.7V C10VD1.5V44、对于理想运算放大器，输入电阻、输出电阻入开环放大倍数，下列表达式中正确的是（ ）A.ri= ro= Avo= Bri= ro=0 Avo=C.ri= ro=0 Avo=

18、0 Dri=0 ro= Avo=45、某二极管的型号为2AP1，其管子的材料是_A、N型硅管 B、P型硅管 C、N型锗管 D、P型锗管 46、稳压二极管起稳压作用时，其工作在伏安特性曲线的_区域。A、死区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区 47、判断发光二极管的好坏时，我们使用万用表的_档测量其正、反向电阻进行判断。A、R×10K B、R×1K C、R×100 D、R×1048、某三极管的型号为3AG54A，该管子是_A、PNP型锗材料高频小功率管 B、NPN型锗材料高频小功率管C、PNP型硅材料高频小功率管 D、NPN型硅材料高频小功率管

19、49、在单相桥式整流电路中，若有一支二极管开路，负载两端的直流电压将 _A、变为0 B、下降 C、升高 D、没有什么影响50、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是 。A、同相位 B、相位差900 C、相位差1500 D、相位差1800 51、某三级放大器中，各级电压放大倍数分别是10、20、30，则总的电压放大倍数是 。A、20 B、30 C、60 D、6000 52、NPN型三极管基区的半导体是 。A、N型半导体 B、P型半导体 C、NPN型半导体 53、放大电路的电压放大倍数Av=40，其中负号表示 。A、放大倍数小于0 B、衰减 C、反向放大 D、同相放大54、下面表示为放

20、大电路中的交流分量的是 。A、IB B、ib C、Ib D、iB 55、某三级放大器中，各级功率增益分别是5分贝、3分贝、20分贝，则总的功率增益是 。A、22分贝 B、28分贝 C、300分贝 D、300分贝56、单相桥式整流电路的变压器二次电压为20V，负载电阻为10，则整流输出电压为 。A、20V B、18V C、9V D、2V57、某二极管的型号为2AP1，其管子的材料是_A、N型硅管 B、P型硅管 C、N型锗管 D、P型锗管 58、稳压二极管起稳压作用时，其工作在伏安特性曲线的_区域。A、死区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区 59、某三极管的型号为3AG54A，该管子

21、是_A、PNP型锗材料高频小功率管 B、NPN型锗材料高频小功率管C、PNP型硅材料高频小功率管 D、NPN型硅材料高频小功率管60、某三级放大器中，各级功率增益分别是5分贝、3分贝、20分贝，则总的功率增益是 。A、22分贝 B、28分贝 C、300分贝 D、300分贝61、某色环电阻的色环顺序是棕、蓝、黑、黑、棕，其标称阻值是 。A、16001欧 B、1600欧 C、160欧 D、16欧62、三端稳压器W7912输出的电压是 。A、791伏 B、79伏 C、12伏 D、12伏63、NPN型三极管基区的半导体是 。A、N型半导体 B、P型半导体 C、NPN型半导体 64、用万用表的直流电压2

22、.5V档测量某一电路中一个电阻的电压，从万用表第二条刻度线下的第二排数据（最大刻度值为50）去读数，可知读数为20。则被测电阻的电压的大小为 。A、20伏 B、10伏 C、2伏 D、1伏65、示波器测某一交流电压的波形时，灵敏度选择开关置于1伏档，探头上的衰减开头置×10档，其它按钮均为正常状态；垂直方向波峰、波谷之间占四个格子；则该交流电压的峰峰值为 。A、400伏 B、40伏 C、4伏 D、0.4伏66、Y=A+AB+1的化简结果是Y= 。A、1 B、0 C、A D、B67、十六进的数B3转换成十进制数为 。A、113 B、179 C、23 D、3568、“与”门的逻辑功能可概括

23、为 。A、“有0出1，全1出0”B、“有1出1，全0出0”C、“有0出0，全1出1”D、“有1出0，全0出1”69、与乙类互补对称功放方式相比，甲类功放的主要优点是（ ）。A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真71、在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（ ） A 集电极电压VCE上升 B 集电极电压VCE下降C 基极电流保持不变 D 发射极电流保持不变72、放大电路中的饱和失真与截止失真称为（ ） A 线形失真 B 非线形失真 C 交越失真 D 放大失真73、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量的大小关系通常为（ ）

24、A直流分量大 B交流分量大 C 直流分量和交流分量一样大 D无法确定74、满足IC=IB的关系时，晶体三极管工作在 （ ） A 饱和区 B 放大区 C 截止区 D开关状态75、三极管放大作用的实质是 （ ）A 三极管可以把小电流放大成大电流 B 三极管可以把小电压放大成大电压C 三极管可以用较小的电流控制较大的电流D 三极管可以把小电阻放大成大电阻76、如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（ ） A 正常 B 已被击穿 C 内部断路 D无法确定77、PN结形成以后，它的最大特点是具有 （ ） A 导电性 B 绝缘性 C 单向导电性 D 双向导电性78、当晶体三极管的发射结正偏，集

25、电结反偏时，该管工作在 （ ） A 放大状态 B 饱和状态 C 截止状态 D开关状态79、用直流电压表测量NPN晶体三极管各极电压为VB=4.7V,VC=4.7V,VE=4.7V,则该三极管的工作状态是 （ ） A 放大状态 B 饱和状态 C 截止状态 D不确定80、加在二极管上的正向电压从0.65V增大10%，流过的电流增大量为（ ）A大于10% B小于10% C等于10% D不变81、NPN型晶体管构成的共射极放大电路，当Rb减小时，Ic将（ ）A减小 B增加 C不变 D不能确定82、共集电极放大电路的特点是( )。A电压放大倍数小于等于1 B输出电压与输人电压相位相反C电流放大倍数小于等

26、于1 D输入电阻小、输出电阻大83、下图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V，则Y= （ ）。A 0.7V B 3.7V C 10VD 1.5V84、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是( )85、万用表电压档有以下四个量程,当不知被测电压的值时,应采用( )档。 A 10V B 50V C 100V D 250V86、在桥式整流电路中，若有一只二极管断开，则负载两端的直流电压将（ ）A变为0 B 升高 C下降 D保持不变87、NPN型三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为（ ）A VBE>0，VCE>VBE B VBE<0，VCE>VB

27、E C VBE>0，VCE<VBE D VBE<0，VCE>088、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 （ ） A小 B大 C 相等 D 不能确定89、图示稳压电路，稳压管V1与V2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为( )A 1.4V B 4.6V C 5.3V D 6V90、差分放大电路是为了（ ）而设置的。A 稳定Au B 放大信号 C 抑制零点漂移 D 提高放大倍数91、两个10的电阻串接到20V的电源上，每个电阻是的电流是_A、1A B、2A C、0.5A D、3A92、三个3的电阻，任意结合，则组合之后的最小值是( )A、1 B、2

28、 C、3 D、993、三个3的电阻，任意结合，则组合之后的最大值是( )A、1 B、2 C、3 D、994、R1=3，R2=6，将它们并联之后接在6V的电源上，则R1上分得的电流是( )A、2A B、1A C、3A D、4A95、要检测一个10UF的电容的好坏，可选择万用表的哪个档位( )A、RX1 B、RX100 C、RX1K D、RX10K96、如果在测试电容的时候，如果万用表的指针不动，则说明( ) A、电容短路 B、电路断路 C、可能短路，可能断路 D、以上答案均不对97、如果在测试电容的时候，如果漏电电阻为0，则说明( )A、电容开路 B、电容短路 C、可能开路，可能短路 D、以上答

29、案均不对98、在重新测试电容之前要将电容器的两个电极短路，其目的是( A、提高测量的准确性 B、避免触电 C、保护电容 D、以上答案均不对99、将C1=10UF，C2=20UF的电容串在10V的电源上，则电容上所带电量q1，q2的关系是( )A、q1>q2 B、q1<q2 C、q1=q2 D、不能确定100、将C1=10UF，C2=20UF的电容并在10V的电源上，则电容上所带电量q1，q2的关系是( )A、q1>q2 B、q1<q2 C、q1=q2 D、不能确定101、与电感的大小无关的是( )A、线圈的粗细 B、线圈的长短 C、有无铁芯 D、通过线圈的电流102、关

30、于变压器，下列说法正确的是( )A、变压器能改变直流电 B、变压器能改变功率 C、变压器能改变电流大小 D、变压器不能改变阻抗103、变压器的初级电压是100V，将一个“10V，10W”的灯接在次级线圈上能够正常用发光，则变压器的初级线圈上的电流是( )A、0.1A B、0.2A C、0.3A D、0.4A104、电感的单位是( )A、V B、A C、H D、F105、在电磁感应现像中产生感应电流的条件是，通过闭合回路的磁通量( )A、不变 B、变化 C、可变可不变 D、以上答案均不对三、判断题。1、选用三极管时，值越大越好。2、发射结处于正向偏置的三极管一定工作在放大状态。3、三极管有两个P

31、N结，二极管有一个PN结，因此可用两个二极管连接构成一个三极管。4、半导体的导电能力会随温度的增加而增大。5、N型半导体带负电。6、放大器的放大倍数与信号频率无关，即无论信号是高、中、低任一频段，放大倍数是相同的。7、二极管导通时，电流是从其正极流出，从负极流入的。8、射极输出器具有很大的电压放大能力。9、放大电路引入负反馈后，其放大倍数要下降。10、“与门”电路的逻辑功能是“有1出0，全0出1”。11、振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。（ ）12、差分放大电路中的公共射极电阻Re只对共模信号有抑制作用，而对差模信号没有影响。 （ ）13、直流放大器不能放大交流信号。（ ）14、

32、理想运算放大器的输入电阻小，输出电阻大。（ ）15、并联型石英晶体振荡器中，石英晶体的作用相当于电感元件。（ ）16、串联稳压是稳定输出电压，并联稳压是稳定输出电流。（ ）17、电流源具有直流电阻大，交流电阻小的特点。（ ）18、由集成稳压电路组成的稳压电源的输出电压是不可调节的。（ ）19、单向晶闸管导通的条件之一是控制极加正向电压。（ ）20、双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联。（ ）21、硅二极管的死区电压小于锗管的死区电压（ ）22、晶体二极管击穿后就烧毁（ ）23、对于NPN三极管,若VBE0,VBEVCE，则该管的工作状态是饱和状态（ ）24、晶体三极管的穿透电流Iceo与温

33、度无关（ ）25、放大器级间耦合电容一般是电解电容（ ）26、共射放大器的输出信号和输入信号反相（ ）27、射极输出器有很高的输入阻抗（ ）28、可控硅只要加正向阳极电压就导通（ ）29、非门通常有多个输入端，一个输出端（ ）30、在半导体内，只有电子是载流子（ ）31、桥式整流电路中加上滤波电容后，输出电压的平均值会下降。 32、光照越强，半导体的导电能力越强。 33、二极管导通时，电流是从其负极流出，从正极流入的。 34、单相桥式整流电路中每只二极管的最高反向工作电压VRM与变压器副边电压V2的关系是VRM= V2。35、电容滤波器适用于负载电流较大的场合。36、已知某三极管的IE=1.3

34、6mA， IC=1.33 mA，则IB=0.03 mA.。 37、本征半导体中掺入微量的五价元素（磷或砷），可形成P型半导体。38、放大器的放大倍数与信号频率无关，即无论信号是高、中、低任一频段，放大倍数是相同的。 39、多级放大器的通频带比它的任何一级的通频带都窄。40、为消除放大电路的截止失真，应将上偏置电阻Rb调小一些。41、二极管导通时，电流是从其负极流出，从正极流入的。 42、放大器的放大倍数与信号频率无关，即无论信号是高、中、低任一频段，放大倍数是相同的。 43、多级放大器的通频带比它的任何一级的通频带都窄。44、光照越强，半导体的导电能力越强。 45、本征半导体中掺入微量的五价元

35、素（磷或砷），可形成P型半导体。46、射极输出器的电压放大倍数小于1而约为1。47、已知某三极管的IE=1.36mA， IC=1.33 mA，则IB=0.03 mA.。 48、晶体二极管的正极电位是5.7V，负极电位是5V，则该晶体二极管处于反偏状态。49、OCL功放电路需要双电源供电。50、放大电路引入了负反馈后，该电路的电压放大倍数要下降。51、PN结在正向偏置时导通，反向偏置时截止 （ ）52、PN结在正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大 （ ）53、晶体二极管是线性元件 （ ）54、晶体二极管加正向电压时一定导通 （ ）55、晶体三极管集电极和发射极可以交换使用 （ ）56、三极管交流放

36、大系数表示为IC/IB，它不随工作点的改变而改变( )57、共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以有时称为反相器（ ）58、放大器不设置静态工作点时，会产生失真 （ ）59、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ）60、放大电路静态工作点选的太高，可能出现饱和失真（ ）61、分压偏置电路的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。但Re过大，会使三极管的VCE减小，影响放大器的正常工作。（ ）62、射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，因此，具有较高的电流放大倍数。（ ）63、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。（ ）四、分析计算题。

37、1、画出下图电路的直流通路和交流通路。2、在桥式整流电容滤波电路中，负载电阻为200。输出直流电压为12V，试完成（1）画出包括变压、整流、滤波及负载在内的该电路（2）求电源变压器次级电压V2（3）求流过二极管的电流IF3、电路如图所示，已知：VCC=12V， RC=2.0K, RE=1.0K, RB1=38K, RB2=10K, RL=4.0K,晶体管的= 40，设UBE=0.7V，试完成：（20分）画出直流通路，并估算静态工作点ICQ，IBQ，VCEQ；估算晶体管的输入电阻rbe；计算输入电阻ri和输出电阻ro；计算电压放大倍数Au；4简述负反馈对放大电路除输入输出电阻影响之外的其它性能的

38、影响。5、试用相位平衡条件判断图中所示两个电路是否能振荡？若能振荡，请求出振荡频率。  (b)6、图示为理想运算放大器，求输出电压U0。7、串联型稳压电路如图所示，稳压管DZ的稳定电压DZ=5.3V，电阻R1=R3=200，晶体管的VBE=0.7V。（1）试说明电路的如下四部分分别有那些元器件构成；调整管 ；放大环节 ；基准电压 ；取样环节 ；（2）当RW的滑动端在最下端时VL=18V时，求RW的数值。（3）若RW的滑动端移至最上端 ，求VL的值。8、某交流放大器的输入电压是10mV，输入电流为0.5mA；输出电压为1V，输出电流为5mA；求该放大器的电压放大倍数Av、电流放大倍数Ai和功率放大倍数Ap。9、简述用万用表判定二极管好坏及正负极的方法。10、画出桥式整流、电容滤波电路的电路图。3、判断下列各三极管所处的工作状态。工作状态：_ 工作状态：_ 工作状态：_11、交流放大器的输入电压是10mV，输入电流为0.5mA；输出电压为1V，输出电流为50mA；求该放大器的电压放大倍数Av、电流放大倍数Ai、功率放大倍数Ap和电压增益Gv、电流增益Gi、功率增益Gp。12画出下图电路的直流通路和交流通路，已知三极管的VBEQ=0.7V，试计算静态工作点IBQ，ICQ，VCEQ。（12分）13、简述用万用表判