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文档简介

1、编辑ppt4.5 可见光LD编辑pptv目的：条形码扫描器，激光扫描，Laser印刷，高密度光盘存储，水下通信。 1. 波长 780nm 670nm为理论极限 GaAsAsAlGaxx/1编辑ppt xAl含量 直接带隙间接带隙 不参加振荡的载流子比例，内 ， Al含量 Al分凝系数大， 结晶质量 热应力， 要求有一定电导率，包层须掺杂，工艺难。量子thJ编辑ppt2. GaInP / GaAs or GaInP / GaAsP 工作波长 600730nm缺点：生长缺陷大，寿命短。编辑ppt3. InGaAlP / GaAs 理论激射波长 580650nm；在族材料中能提供最大直接带隙，并与G

2、aAs衬底晶格匹配。增益导引型激光器脊型双异质结异质结势垒锁定激光器条形耦合波导结构编辑ppt 问题： 电流从有源区向包层“溢出” InGaAsP / GaAs 结构的价带不连续值大 在Al含量增大之时，给结晶外延层带来困难，使解理面破坏阈值 热阻率大，对器件性能影响大， v缩短波长的方法： 在加大有源层 时，有源层和包层之间的带隙差便小，载流子溢出，因而：thJgE编辑ppt 高掺杂P型包层能抑止载流子溢出； 多量子阱结构对高能电子有很高反射率改善高功率下温度特性，减小载流子溢出； 采用张应变量子阱有源层； 增加Al含量，使 gE编辑ppt二.兰绿光LD / LED1. SiC LED 间接

3、带隙v在1450下用CVD技术可以生长出质量优良的薄膜。生长速度慢 ，几m/h 只能室内显示。目前液相外延(LPE)有可能替代CVD ，它可以将生长速率提高到每小时150 m/h。evevEg3 .39 .2)473%(05. 0处量子nm编辑ppt2. 族氮化物 InN, AlN, GaN 直接带隙材料 InN: evEg2编辑ppt AlN =6.2ev 用缓冲层 InGaN 400580nm,p6mw,10 FWHM2nm 缺乏与GaN材料在晶格常数及热膨胀系数匹配的衬底 缺乏获得高P型掺杂的方法 外延生长会形成高的缺陷密度gEgE编辑ppt3. 族LD ZnSe、ZnS 直接带隙材料 480510nm ZnS

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