光电检测单选题集

1、1. 结型光电器件与三极管连接，A. 基射极间短路C.基射极间反偏2. 光电池的工作条件是（D A .加热 B.加正向偏置3. IRCCD表示的是（D ）A. 增强型；B.时间延迟型;4. Sb Cs材料，主要用于（保证放大，要接在 （A ）.B. 基集极间短路D.基集极间正偏）.C. 加反向偏置 D.加光照CCD.C.电子轰击模D.红外.B ）变像管光阴极.A. 红外B.紫外C.可见D. X射线5. 汞灯是一种（A ）.A. 气体光源B.热光源C.冷光源 D.激光光源6. 辐通量相同时，光通量最小的光的波长是（ D ） nm.A. 555B.590C.620D.7807. 光电倍增管的高压模

2、块，其输出电压一般为直流（A ）.A.C.B. 100V C.8. PN结光生伏特效应（A.电子集中的P区；C.电子集中的P区表面；A. 1000V10000V D. 15VB）.B .电子集中的N区结表面；D.电子集中的N区表面. 选用最合适的的光电器件是（D ）.9. 用光电法测量某高速转轴的转速时，A. PMTC. 2CR42硅光电池D. 3DU型光电三极管10. 充气白炽灯主要充入循环剂是（B ）.C.氖气 D.氪气B. CdS光敏电阻A.氢气B.溴化硼11. 如下不是降低光电倍增管的暗电流的方法（ B ）.直流补偿； 冷却光电倍增管；D.12. 灵敏度最高的光电器件是（A.光电二极管

3、B.选频和锁相缩小B.光敏电阻增加电磁屏蔽B ）.C.光电三极管D.硅光电池13. 发光效率的单位（A ）.B.无量纲 C.流明D.瓦特每球面度14. 已知某种光电器件的本征吸收长波限为A ）.A. 0.886 eV B. 1 eVA.流明每瓦C. 2 eV1.4 um则该材料的禁带宽度为D. 1.3 eV15. 下面属于冷光源的是（C ）.A.太阳 B .白炽灯 C.发光三极管 D.卤钨灯16 .太赫兹波频率的范围在（A ）.A. 1011 1012B. 108 109C. 1013 1014D. 1015 101617 .假设将人体作为黑体，正常人体体温为365C，那么由维恩定律，可以计算

4、出正常人体的峰值辐射波长为（D ）.D. 9.36 umA. 0.936 um B. 93.6 um C. 0.0936 um18. 半导体中施主能级的位置位于（ A ）.A.禁带19. 波长为0.8的光线属（A ）。B.中红外线 C.远红外线20. 下边哪一项可作为光电耦合器件的发光件（A.光电三极管C.光敏电阻1.光度量是辐射度量的（A.683B. V （ R2 .波长为500nm的波属于（A.远红外线B.太赫兹波A.近红外线D.极远红外线D ）.B.光电池D.半导体激光器 ）倍.C.683 V （入）C ）.C.可见光D . 1/683 V ( R3 .任何温度下对任何波长的入射辐射能的

5、吸收比都小于A .黑体5 .斯忒藩-玻耳兹曼定律为（C. TDB 灰体C 黑洞A. （T T 4B. （T T 26. 热敏电阻的种类不包括（A. PTC B. NTC C. CTC7. 属于相干光源的是（ CD. X射线1,称为（B ）.D 绝对黑体A )。Rm B).D.（入，T）= & （入，T）D. ZTC）.C.固体激光器A.气体放电灯B.黑体辐射器8 下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（AA 卤钨灯 B 氘灯C 汞灯D 汞氙灯D.发光二极管）B. 满带C.导带D.价带9. 属于成像的器件是（C ）.A. LD B. LED C. CCD D. PMT10. 充气卤钨灯是一种

6、（B ）.A.气体光源 B.热光源C.冷光源 D.激光光源11. TDICCD 表示的是（B ） CCD.A.增强型；B.时间延迟型；C.电子轰击模式；D.红外.12. 热效应较小的光是（ D ）.A.紫光 B.红光C.红外 D.紫外13. 在光电倍增管中，产生二次电子发射的是（ C ）.A .阴极B.阳极 C.倍增极 D.玻璃窗14. 光纤纤芯、包层、外套的折射率 n 1、n 2、n 0的关系是（D ）A. n 1> n 2> n 0B. n 2> n 0> n 1C. n 0> n 2> n 1D. n 1> n 0> n 215. 光照一定

7、，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的（C ）特性:A.频率；B.伏安;C.光谱；D.温度.16. 像管中（C ）的出现和使用，成为了第二代像管出现的标志性部A.负电子亲和势阴极；C.微通道板MCP;17. 充气白炽灯主要充入A.氩气B.氙气B. 电子光学系统;D. 光纤面板A ）.C.氖气 D.氪气18. 硅光电二极管与硅光电池比较，后者（B ）.A .掺杂浓度低B.电阻率低C.反偏工作D .光敏面积小19. 线阵CCD主要是通过（ A ）工作.A.电荷 B.电压 C.电流 D.电阻20. 彩色CCD有（C ）种.A. 1 B. 2 C. 3 D. 41. 本征半导体样品两端数有电极，沿电

8、极方向加油电场，当在垂直于电场方 向有均匀光照入射到样品表面，且入射光通量恒定时，样品流出的光流称为（D ）光电流。A、动态B、亮态C、暗态 D稳态2. 光电式车（C） 一组光电耦合元件。A、1个 B、2个 C、4个 D、6个5. 光电池的基本结构就是一个（B）结。A、CNB/ PNC/ PNPD/NPN6. 主动监测系统的光源主要为（A）光源A、激光B、太阳光C、发光二级管7. 以下（D）不是影响广外差检测灵敏度的因素.A/空间调准B/频率条件C,噪声15. 下（A）不是直接检测系统存在的噪声A、电噪声B、热噪声C、散粒噪声D、荧光D/传输通道D、背景噪声16.锗光敏二极管OOOOOOOOO

9、OOOO匕在（Djo。A、散线B、紫外光C可见光灵敏度D、红外光D、精确化D、激光光源17. 将光电信息。电信号的（B）处理 A、信息化B、二值化C、系统化18. （D）是不属于非相干光源A、热辐射光源B、气体放电光源C、固体发光光影1. 任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于1，称为（A ）A .黑体B.灰体C.黑洞D .绝对黑体3 .在给定入I疋波长范围内，某一辐射源发出的辐射通量与产生这些辐射 通量所需的电功率之比，称为（B ）.A.辐射效率B.发光效率C.光谱功率D.空间光强4. 热效应较大的光是（C ）.A.紫光 B.红光 C.红外 D.紫外5 结型光电器件与三极管连接，保证

10、放大，要接在 （C ）.A.集射极间短路B.基集极间短路C. 基射极间正偏D.基集极间反偏6.为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（A ）.A.浓度均匀B.浓度大C.浓度小D.浓度适中7.波长为10 g的光线属（C ）。A.近红外线B.中红外线C.远红外线D.极远红外线8 光纤折射率纤芯n 1、包层n 2、外套n 3的关系是（B ）.A. n 1> n 2> n 3B. n 1> n 3> n 2C. n 3> n 2> n 1D. n 2> n 3> n 19 波长为1mm的波属于（B ）.A.远红外线B.太赫兹波 C.可见光D.

11、X射线10硅光电二极管与硅光电池比较，前者（A ）.A 掺杂浓度低B 电阻率低C 零偏工作 D 光敏面积大11. 卤钨灯是一种（B ）.A.气体光源B.热光源C.冷光源D.激光光源12. 下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（A ）.A .氙灯B.氢灯C.汞灯D.汞氙灯13. 光的发射，属于受激发射的器件是（A ）.A. LD B. LED C. CCDD. PMT14 .在光电倍增管中，产生光电效应的是（A ）.A.阴极 B.阳极 C.倍增极D.玻璃窗15 .A.负电子亲和势阴极；C .微通道板MCP;16 .半导体结中并不存在（A. PN 结 B. PIN 结17 .光通量是辐射通量的（A.

12、 683 B. 1/68318 .斯乃尔公式是（A ）.A . 222101s innnncC . 222011s innnnc像管中（D ）的出现和使用，成为了第一代像管出现的标志性部件。B.电子光学系统；D.光纤面板D ）.C.肖特基结 D.光电结A ）倍.C. 863D. 1/863B . 212201si nnnncD . 202121s innnncD.飞秒脉冲激光器D.电阻19 .可产生太赫兹辐射的光源是（ D ）.A.氙灯B. CO2激光器C.氦氖激光器20 .面阵CCD主要是通过（A ）工作.A.电荷B.电压C.电流1、一个光源发出频率为540X 1012Hz的单色辐射，在此方

13、向上的辐强度为 （1/683） W/sr,则该光源在该方向上发光强度为（ A ）。A、led2、有两块材料制成的热敏电阻, 则两种材料的电阻将（C）A、RA变小；RB变小C、RA变小；RB变大A为半导体材料，B为白金，当温度升高,B、2edC、 3ed D、 4edB、RA变大；RB变大D、RA变大；RB变小3、常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型， 这是按照（C ）区分的。A、光照度B、光亮度C、色温D、光视效率4、 一束线偏光通过两个磁光法拉第转子后偏振方向旋转角，经反射镜反射，再一次经过两个法拉第转子，其偏振方向与初始偏振方向的夹角为（C）C、2A、0B、5、光电倍增管中，产生光电效应的

14、是（ A ）A、阴极 B、阳极C、二次倍增极D、玻璃窗&通过对半导体激光器采用（ B ）来获得调制光信号A、外调制B、直接调制C、相位调制D、电光调制7、现有GDB 423型光电倍增管的阴极灵敏度为 25 A/lm，倍增系统的放大倍数为105，阳极的额定电流为25 A，则允许的最大光通量为（AA、1 X 10 5 ImB、1 X 10 3 lm V/WC、无法判断D、1lm2.维恩位移定律为（C)°A. (T T 4B.(T T 2C. T 入 m BD.a (入，T)=£(入,T)基尔霍夫定律为（D)0A. (T T 4 B.(T T 2C. T 入 m BD.a

15、 (入，T)=,T£（入3. ICCD表示的是（A )CCD.A.增强型；B.时间延迟型； C.电子轰击模式； D.红外.4 波长为2mm的波属于（B ）.A.远红外线B.太赫兹波C.近红外线D. X射线5. 在给定入十入2波长范围内，某一辐射源发出的光通量与产生这些光通量 所需的电功率之比，称为（B ）.A.辐射效率B.发光效率 C.光谱功率D.空间光强6. 在发光二极管中，产生发光的是在（C ）.A. P区 B. N区 C.结区 D.玻璃窗7. 半导体中施主能级的位置位于（B ）.A.禁带低 B.禁带顶 C.导带顶 D.价带低像管中（A ）的出现和使用，成为了第三代像管出现的标志

16、性部件。A.负电子亲和势阴极；C. 微通道板MCP;9 光纤中光传播的条件是（A.光入射角大于临界角C. 光入射角等于临界角10属于自发辐射的光源是（B. 电子光学系统；D. 光纤面板D ）.B. 光入射角小于临界角D. 光入射角大于等于临界角B ）.A. LD B. LEDC. CCD D. PMT11下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（A ）.A .镝灯 B .氘灯C.汞灯D .汞氙灯12. 在大气层外的卫星上，测得太阳光谱的峰值波长为456.0 nm。求出太阳表面的温度。（A ）.A. 6353KB. 7353K14. 光敏电阻的主要作用是（DA.光电检测C. 光电开头6. 波长为17叩

17、的光线属（ DC. 3353K D. 8353K）:B.红外探测D.光电探测与控制）。A.近红外线 B.中红外线C.远红外线D.极远红外线17. 光电倍增管的高压模块，其输入电压一般为直流A. 1000VB. 100VC. 10000V18. 充气白炽灯主要充入（B ）.(D ).D. 15VA.氢气B.氮气C.氖气D.氪气19. 对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下,其光电导灵敏度与时间常数（B ），如果照度相同而温度不同时，二者（ BA .相同；不同; C.不同；相同;B. 不同；不同;D .相同；相同。20. 辐通量是光通量的（BA. 683 B. 1/683 C

18、. 8631. PN结光生伏特效应（ AA.空穴集中的P区结表面；C. 空穴集中的P区外表面；倍.D. 1/863）.B .空穴集中的N区；D. 空穴集中的N区外表面.4.太阳光经过大气，其中100nm200nm的光被（ A 。吸收.A .氧分子B .臭氧C.二氧化碳D .氮原子5. 下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）. A .白炽灯 B .钠灯C.高压汞灯D .汞氙灯6. 氙灯是一种（A ）.A.气体光源B.热光源C.冷光源 D.激光光源7. 充气白炽灯主要充入（ B ）.A.氢气 B.氯化碘 C.氖气 D.氪气8 某一干涉测振仪的最高频率为20 MHz，选用探测器的时间常数应小于

19、多少？（ A ）.A. 8X 10-9s B. 6X 10-8sC. 3X 10-7s D. 4X 10-5s9光电池电流滞后于光照，属于光电池的（A ）特性：A.频率；B.伏安；C.光谱；D.温度.10. 发光二极管的工作条件是（B ）.A 加热 B.加正向偏置 C.加反向偏置D.加光照11. EBCCD 表示的是（ C ） CCD.A.增强型；B.时间延迟型；C.电子轰击模式;D.红外.12. Ag O Cs材料，主要用于（ A ）变像管光阴极.A.红外 B.紫外C.可见 D. X射线13. 辐通量相同时，光通量较大的光的波长是（ A ） nm.A.555B.590C.620D.78014

20、. ZnS的发光是（D ):A.自发辐射B.受激辐射C.热辐射D.电致发光15半导体中受主能级的位置位于（ A ）.A.禁带低 B.禁带顶C.导带顶D.价带低16. 下面哪个不属于摄像管的功能（D ）.A.光电变换B.电荷积累C.扫描输出D.信号变换17. 波长为40 pm的波属于（B ）.A.中红外线B.太赫兹波C.可见光 D.无线电波18. 结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在（A ）.A.基射极间正偏B.基集极间正偏C.基射极间反偏D.基集极间正偏19. 属于激光光放大的器件是（ A ）.A. LD B. LEDC. CCD D. PMT20. 目前最好反隐身战术主要通过（ B ）

21、来实现.A .红外技术B.微波技术C. THz技术D.微光技术1.材料的禁带宽度，最大的是（C ）A.金属； B.杂质半导体C.绝缘体； D.本征半导体.2. 紫外线频率的范围在（D ）.A. 1011 1012 B. 108 109C. 1013 1014 D. 1015 10163. 等离子体是一种（B ）.A.气体光源 B.固体光源C.液体光源 D.激光光源4. 费米能级Ef的意义是电子占据率为（ D）时所对应的能级A. 0;B. 0.1; C. 0.2;D. 0.5.5 光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量的多少，称为（B ）.A.辐功率；B.辐强度； C.辐照度； D.辐出度6

22、光子探测是利用入射光和磁，产生（B ）。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。A.光子效应 B.霍尔效应C.热电效应 D.压电效应7 在光源入一定的情况下，通过半导体的透射光强随温度T的增加而（B ）。A.增加；B.减少;C.不变； D.不能确定.8电子亲和势，是指电子从（A）到真空能级的能级差。A.导带底能级B.价带顶能级 C.费米能级D.施主能级9光纤通信指的是（ B ）0A. 以电波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式B. 以光波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式C. 以光波作载波、以电缆为传输媒介的通信方式D. 以激光作载波、以导线为传输媒介的通信方式

23、10. 光电探测器单位信噪比的光功率，称为光电探测器的（ C ）0A.电流灵敏度；B.光谱灵敏度； C.噪声等效功率；D. 通量阈11. N型半导体的费米能级处于禁带（B ）.A.中间 B.上部C.下部 D.不确定.12. PN结和光敏电阻的时间常数（ B ）.A前者大 B.后者大C. 一样大 D.不能确定13. 下列像管的性能指标（A）的值越高，像管的成像质量越好。A.光电转换特性；B.等效背景照度；C .畸变；D.暗电流。14. 光纤的数值孔径与（ C ）有关。A .纤芯的直径B.包层的直径C.相对折射率差D.光的工作波长15. 硅光电二极管与硅光电池相比，前者比后者不正确的说法是（A ）.A.衬底掺杂浓度高B.电阻率高 C.光敏面小 D.前者反