长治IGBT项目可行性分析报告-模板范本

1、CMC·泓域咨询 /长治IGBT项目可行性分析报告长治IGBT项目可行性分析报告xxx（集团）有限公司报告说明第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。根据谨慎财务估算，项目总投资30491.5

2、6万元，其中：建设投资24751.92万元，占项目总投资的81.18%；建设期利息673.52万元，占项目总投资的2.21%；流动资金5066.12万元，占项目总投资的16.61%。项目正常运营每年营业收入54100.00万元，综合总成本费用44378.58万元，净利润7097.48万元，财务内部收益率16.61%，财务净现值4162.61万元，全部投资回收期6.44年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。IGBT是现代电力电子器件中的

3、主导型器件，被誉为电力电子行业里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。IGBT作为工业控制及自动化领域的核心元器件，能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，被称为现代电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等众多领域。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、

4、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 项目总论11一、 项目名称及投资人11二、 编制原则11三、 编制依据11四、 编制范围及内容12五、 项目建设背景13六、 支持民营经济发展13七、 项目建设的可行性14八、 结论分析15主要经济指标一览表17第二章 项目背景、必要性19一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新19二、 新能源汽车的电力系统中，功率IGBT价值占比达达52%23三、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代25四、 聚力打造一流创新生态，厚植转型发展新优势。27五、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国

5、产化机遇29六、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展30七、 项目实施的必要性31第三章 行业发展分析33一、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大33二、 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上36三、 家电行业是IGBT器件的稳定市场37第四章 项目承办单位基本情况39一、 公司基本信息39二、 公司简介39三、 公司竞争优势40四、 公司主要财务数据41公司合并资产负债表主要数据41公司合并利润表主要数据41五、 核心人员介绍42六、 经营宗旨43七、 公司发展规划44第五章 产品规划方案50一、 建设规模及主要建设内容50二、 产品规划方案及生产纲领50产品规划方案一览

6、表51三、 IGBT技术发展历程及趋势51四、 新能源应用驱动IGBT快速增长54五、 IGBT基本情况57六、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力59第六章 选址分析61一、 项目选址原则61二、 建设区基本情况61三、 全力打造一流创新生态65四、 积极融入双循环新发展格局65五、 加快构筑现代产业体系66第七章 建筑工程技术方案67一、 项目工程设计总体要求67二、 建设方案68三、 建筑工程建设指标69建筑工程投资一览表69第八章 原辅材料供应71一、 项目建设期原辅材料供应情况71二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理71第九章 工艺技术及设备选型72一、 企业技术研发分析72二、

7、 项目技术工艺分析75三、 质量管理76四、 设备选型方案77主要设备购置一览表78第十章 项目环保分析79一、 编制依据79二、 环境影响合理性分析80三、 建设期大气环境影响分析81四、 建设期水环境影响分析82五、 建设期固体废弃物环境影响分析83六、 建设期声环境影响分析83七、 环境管理分析84八、 结论及建议85第十一章 人力资源配置86一、 人力资源配置86劳动定员一览表86二、 员工技能培训86第十二章 节能可行性分析89一、 项目节能概述89二、 能源消费种类和数量分析90能耗分析一览表91三、 项目节能措施91四、 节能综合评价93第十三章 项目进度计划94一、 项目进度安

8、排94项目实施进度计划一览表94二、 项目实施保障措施95第十四章 安全生产分析96一、 编制依据96二、 防范措施98三、 预期效果评价102第十五章 投资计划方案104一、 投资估算的依据和说明104二、 建设投资估算105建设投资估算表109三、 建设期利息109建设期利息估算表109固定资产投资估算表110四、 流动资金111流动资金估算表112五、 项目总投资113总投资及构成一览表113六、 资金筹措与投资计划114项目投资计划与资金筹措一览表114第十六章 项目经济效益分析116一、 基本假设及基础参数选取116二、 经济评价财务测算116营业收入、税金及附加和增值税估算表116

9、综合总成本费用估算表118利润及利润分配表120三、 项目盈利能力分析120项目投资现金流量表122四、 财务生存能力分析123五、 偿债能力分析123借款还本付息计划表125六、 经济评价结论125第十七章 招标方案126一、 项目招标依据126二、 项目招标范围126三、 招标要求126四、 招标组织方式128五、 招标信息发布129第十八章 项目风险评估130一、 项目风险分析130二、 项目风险对策132第十九章 总结分析135第二十章 补充表格137营业收入、税金及附加和增值税估算表137综合总成本费用估算表137固定资产折旧费估算表138无形资产和其他资产摊销估算表139利润及利润

10、分配表139项目投资现金流量表140借款还本付息计划表142建设投资估算表142建设投资估算表143建设期利息估算表143固定资产投资估算表144流动资金估算表145总投资及构成一览表146项目投资计划与资金筹措一览表147第一章 项目总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称长治IGBT项目（二）项目投资人xxx（集团）有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（待定）。二、 编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设

11、计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。三、 编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模

12、及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。五、 项目建设背景IGBT下游应用包含工控、家电、新能源汽车等，02020年市场规模达到454亿美元。根据Yole，2020年，全球IGBT市场规模约为54亿美元，预计将于2026年增长至84亿美元。IGBT具有多个下游应用市场，主要包括工控、家电、新能源汽车、新能源发电、轨道交通等。其中，工控是IGBT最大的下游应用市场，2020年，工控在全球IGBT下游应用中占比约为31.48%、家

13、电占比约为24.07%、EV/HEV占比约为9%。六、 支持民营经济发展民营企业占我市经济半壁江山，在推进高质量高速度发展中发挥着重要支撑作用。全省百强民营企业中，长治有16家，居全省第二。要精准落地国家、省支持民营企业发展的各项政策措施，充分发挥市级应急周转资金作用，支持中小企业续贷转贷80亿元以上。常态化开展入企帮扶，推进晋材晋用、潞材潞用，协调企业之间建立产业循环、产品互补的合作关系。支持民营企业发展壮大、升规入统，年内新创办小微企业1万户，净增规上工业企业80户，新培育“专精特新”企业20户、“小巨人”企业5户。继续办好清华大学、复旦大学长治企业家高级研修班，打造高素质企业家队伍，构建

14、亲清政商关系。七、 项目建设的可行性（一）符合我国相关产业政策和发展规划近年来，我国为推进产业结构转型升级，先后出台了多项发展规划或产业政策支持行业发展。政策的出台鼓励行业开展新材料、新工艺、新产品的研发，促进行业加快结构调整和转型升级，有利于本行业健康快速发展。（二）项目产品市场前景广阔广阔的终端消费市场及逐步升级的消费需求都将促进行业持续增长。（三）公司具备成熟的生产技术及管理经验公司经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的染整设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化染整综合服务。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取

15、的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对行业的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。（四）建设条件良好本项目主要基于公司现有研发条件与基础，根据公司发展战略的要求，通过对研发测试环境的提升改造，形成集科研、开发、检测试验、新产品测试于一体的研发中心，项目各项建设条件已落实，工程技术方案切实可行，本项目的实施有利于全面提高公司的技术研发能力，具备实施的可行性。八、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（待定），占地面积约62.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运

16、营后，可形成年产xx个IGBT的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资30491.56万元，其中：建设投资24751.92万元，占项目总投资的81.18%；建设期利息673.52万元，占项目总投资的2.21%；流动资金5066.12万元，占项目总投资的16.61%。（五）资金筹措项目总投资30491.56万元，根据资金筹措方案，xxx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）16746.15万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额13745.41万元。（六）经济评价1、项目达

17、产年预期营业收入（SP）：54100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：44378.58万元。3、项目达产年净利润（NP）：7097.48万元。4、财务内部收益率（FIRR）：16.61%。5、全部投资回收期（Pt）：6.44年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：23300.56万元（产值）。（七）社会效益综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会

18、提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积41333.00约62.00亩1.1总建筑面积79380.241.2基底面积26866.451.3投资强度万元/亩385.402总投资万元30491.562.1建设投资万元24751.922.1.1工程费用万元20989.652.1.2其他费用万元3193.172.1.3预备费万元569.102.2建设期利息万元673.522.3流动资金万元5066.123资金筹措万元30491.563.1自筹资金万元167

19、46.153.2银行贷款万元13745.414营业收入万元54100.00正常运营年份5总成本费用万元44378.58""6利润总额万元9463.31""7净利润万元7097.48""8所得税万元2365.83""9增值税万元2150.90""10税金及附加万元258.11""11纳税总额万元4774.84""12工业增加值万元16730.13""13盈亏平衡点万元23300.56产值14回收期年6.4415内部收益率16.61%所得税

20、后16财务净现值万元4162.61所得税后第二章 项目背景、必要性一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之

21、间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演

22、变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三

23、代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本

24、、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的

25、需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在120

26、0V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低

27、导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFE

28、T适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值

29、2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。二、 新能源汽车的电力系统中，功率IGBT价值占比达达52%新能源汽车核心三电系统（电池、电机、电控）。1）电池是新能源汽车的能量来源，替换传统燃油汽车的油箱；动力电池系统主要由电芯、电池管理系统等组成。2）电机负责将电能转换为机械能，包含定子、转子等；3）电控如同汽车的大脑，用来控制电机的启动、暂停、转速、扭矩等各项“动作”。三电系统需要大量的半导体产品包括功率半导体、模

30、拟芯片、控制芯片等；随着电动汽车的发展与普及，汽车半导体迎来快速发展期。电力系统主要分为四大类：DC/DC转换器、电池管理系统(BMS)、逆变器、车载充电器。逆变器是汽车的关键部件，主要用到的半导体芯片为为IGBT。逆变器类似于燃油车的发动机管理系统EMS，决定着驾驶行为。无论电机是同步、异步还是无刷直流电机，逆变器始终以类似的方式运行，其设计应最大限度地减少开关损耗并最大限度地提高热效率。IGBT是电动汽车逆变器的核心电子器件，重要性类似电脑里的CPU。DC-DC。转换器供电给汽车低压电子系统。DC/DC变换器是新能源汽车必须配置的功能，类似燃油汽车中配置的低电压发电机总成，其功能是给车载1

31、2V或24V低压电池充电，并为整车提供全部的低压供电。在新能源汽车中会配置一个DC/DC变换器作为能量传递部件，从车载动力电池取电，提高能源的利用率，给车载12V或24V低压电池充电，并为整车提供全部的低压电子系统供电。BMS电池管理系统是电动汽车中电池组的大脑。BMS可根据起动能力对充电状态、健康状态和功能状态进行快速、可靠的监测，以提供必要的信息。因此，BMS能够最大限度地降低因为电池意外失效而导致的汽车故障次数，从而尽可能地提升电池使用寿命和电池效率，并实现二氧化碳减排功能。OBC车载充电器主要功能是为电池充电。OBC的核心功能是整流电源输入，并将其转换为适合电池的充电电压可能是400V

32、或越来越多的800V。一个典型的OBC由多个级联级组成，包括功率因数校正（PFC）、DC/DC转换器、次级整流、辅助电源、控制及驱动电路。OBC具有多种功率等级，功率等级越高，充电时间就越短。最流行的OBC功率等级是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽车动力系统中，器逆变器IGBT价值量比占比52%。在电动传统系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车中的一个关键元器件，决定了驾驶行为和车辆的能源效率。并且，主逆变器还用于捕获再生制动释放的能量并将此能量回馈给电池，所以，车辆的最大行程与主逆变器的效率直接相关。三、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代以特色工艺需要工艺与设计

33、的积累，海外企业以MIDM为主。功率半导体主要以特色工艺为主，器件的技术迭代像逻辑、存储芯片依靠尺寸的缩小，因此特色工艺的要求更多需要行业的积累与know-how，包括工艺、产品、服务、平台等多个维度；功率器件产品性能与应用场景密切相关，导致平台多、产品类型多，因此更注重工艺的成熟度和稳定性，工艺平台的多样性。在这样的背景下，由于IDM可以按需生产不同电性功能的功率器件，加速技术及应用积累，在深度及广度上覆盖客户不同的需求，因此IGBT海外的企业大多的生产模式以IDM为主，国内相比海外发展较晚，因此催生出Fabless找代工厂生产的模式，专业化分工加速对海外的追赶。代表IDM型IGBT厂商包括

34、英飞凌、瑞萨、Vishay、罗姆、安森美、富士电机、士兰微、华微电子等；Fabless型IGBT厂商包括斯达半导、新洁能、宏微科技等。IGBT代工厂则包括高塔、华虹、东部高科等厂商。IGBT主要采用成熟制程，目前生产大多以以88英寸晶圆为主。IGBT产品对产线工艺依赖性较强，目前国际IGBT大厂主要采用8英寸生产线。为进一步提升产品性能与可靠性，IGBT制造厂正积极布局可用于12英寸晶圆的相关工艺。英飞凌作为IGBT龙头企业，已于2018年推出以12英寸晶圆生产的IGBT器件。同时，斯达半导12英寸IGBT产能也已实现量产。未来，随着各家IGBT厂商工艺的进步，IGBT产品也将转向12英寸晶圆

35、，并采用更先进的制程。IGBT需求增长扩厂计划持续推进，朝向300mm（12英寸）晶圆发展。英飞凌2021年9月公告其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营，随着数字化和电气化进程的加快，公司预计未来几年全球对功率半导体器件的需求将持续增长，因此当前正是新增产能的最好时机。2021年3月东芝公告准备开工建设300mm晶圆制造厂，由于功率器件是控制和降低汽车、工业和其他电气设备功耗的重要部件，公司预计电动汽车、工厂自动化和可再生能源领域的增长将继续推动功率器件的需求增长。2020年12月士兰微12英寸芯片生产线项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营，第一条12英寸

36、产线，总投资70亿元，工艺线宽90纳米，计划月产8万片。本次投产的产线就是其中的一期项目，总投资50亿元，规划月产能4万片；项目二期将继续投资20亿元，规划新增月产能4万片。第二条12英寸生产线预计总投资100亿元，将建设工艺线宽65纳米至90纳米的12英寸特色工艺芯片生产线。四、 聚力打造一流创新生态，厚植转型发展新优势。 加大科技创新和成果转化力度。充分发挥中科潞安半导体技术研究院、科大讯飞长治研究中心等98家现有产学研平台作用，加快深紫外LED杀菌消毒、第三代半导体、人工智能等关键技术突破和场景应用，带动相关产业加速发展。推进国家第三代半导体技术创新中心紫外分中心、中科院山西煤化所中试基

37、地建设，支持开发区围绕主导产业建设孵化、中试、生产基地，培育1个省级成果转化示范基地，争取2个省级重点实验室落户我市。年内至少完成5项重大科技成果转化，完成技术合同交易额20亿元以上。 培育壮大创新主体。强化企业创新主体地位，持续推动规上工业企业创新全覆盖、上水平，支持潞安太阳能等高科技领军企业、行业龙头企业牵头组建创新联合体、产业技术联盟，新增市级以上企业技术中心20家，全市高新技术企业突破200家。以智创城为载体打造“双创”升级版，构建“创业苗圃+孵化器+加速器+产业园”全产业链，集聚企业80户以上，带动就业5000人以上。实施开发区“双创”载体全覆盖工程，加快推进军民融合“双创”产业园等

38、项目建设，新培育省级小微企业“双创”基地2家。 突出创新人才支撑。坚持“人才+项目”导向，围绕重点产业、重点领域、重点项目，制定急需紧缺人才年度目录，充分发挥太行高层次人才发展工作联盟作用，引进100名高端人才，实现“引进一名人才、带来一个团队、落地一个项目、培育一个产业”。深入推进产教融合，积极争创国家级产教融合试点市，加快职业教育园区建设，推动职业院校与企业共建实训基地和实验平台，为企业订单式培养各类熟练技术工人1万名以上。继续办好长治技能大赛、“创客中国”创新创业大赛，建立更多的“大师工作室”“技师工作室”，培育一批独具特色的长治工匠。五、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国

39、产化机遇海外企业IGBT产品电压覆盖范围较广，本土企业多集中在中低压市场。中低压IGBT主要可用于新能源汽车、家电、电焊机等领域，需求较为广阔，本土厂商布局也相对较多，士兰微、华润微、新洁能、华微电子的IGBT产品均集中在1350V以下的IGBT市场。斯达半导、时代电气则在高压IGBT产品中也有所布局。海外企业占据国内大部分新能源汽车TIGBT模块市场。相比消费类与工控类IGBT产品，车规级IGBT产品对性能要求更高，且认证时间更长。海外企业凭借多年的积累，在车规级IGBT产品市场占据了一定的先发优势。在中国新能源汽车IGBT模块市场中，英飞凌市占率超过了一半，达到58.20%。比亚迪通过向自

40、供，在新能源汽车IGBT模块市场中市占率也达到了18%。此外，斯达半导、时代电气等国内厂商近年来通过积极投入研发，也成功在国内新能源汽车用IGBT模块市场中占取到了一定份额。国内企业积极开拓IGBT产品线，积极技术升级，紧抓国产替代机遇。由于新能源汽车是IGBT市场增长的主要驱动力之一，国内厂商纷纷积极布局车载IGBT业务。士兰微车载IGBT产品已在部分客户处批量供货；时代电气750V车规级逆导IGBT芯片已处于样件试验阶段；斯达半导基于第七代IGBT技术的车规级650/750VIGBT芯片已研发成功，并预计于2022年开始批量供货；宏微科技750V车规级IGBT预计于2022年开始起量。六、

41、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展IGBT模块是变频器、逆变焊机、UPS电源等传统工业控制及电源行业的核心元器件，根据集邦咨询数据，2019年全球工控市场IGBT市场规模约为140亿元，中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散，工控IGBT市场需求较为稳定，假设未来每年保持3%的规模增速，预计到2025年全球工控IGBT市场规模将达到167亿元。变频器行业：据前瞻产业研究院测算，我国变频器行业的市场规模整体呈上升态势，从2012年至2019年，中国变频器行业规模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均处于稳步增长状态。2019年我国变频器行业的市场规模达到495

42、亿元，相比2018年增长4.7%。在一系列节能环保政策的指引下，预计未来5年内，变频器将在电力、冶金、煤炭、石油化工等领域将保持稳定增长，在市政、轨道交通、电梯等领域需求进一步增加，从而促进市场规模扩大，未来几年整体增幅将保持在10%左右，到2025年，变频器市场规模将达到883亿。变频器靠内部IGBT的开关来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，变频器产业的快速发展势必导致IGBT需求提升。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过

43、IGBT模块的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压，后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。根据国家统计局数据，2020年我国电焊机产量为1108.93万台，同比2019年增加了158.87万台。UPS，电源系统，IGBT被广泛应用于不间断电源系统(UPS)的设计中，数据显示，1200V/100AIGBT的导通电阻为同规格耐压功率MOSFET的1/10，开关时间为同规格GTR的1/10。据QYR电子研究中心统计，2018年全球不间断电源（UPS）市场价值为105.37亿美元，预计到2025年底将达到139.66亿美元。七、 项目

44、实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品

45、精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第三章 行业发展分析一、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以分为HEV（混合电动汽车）、PHEV（插电式混合电动汽车）、BEV（纯电动汽车）。其中，HEV是最常见的混合动力类型，它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大，由较长的纯电续航里程，且有充电接口，一般需要专用的供电桩进行供电，在电能充足的时候，采用电

46、动机驱动车辆，而电能不足时，发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机，只需要依靠电池提供能量，所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的双碳计划，BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球，02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-volumes公布的数据，2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆，2020年达到324万辆，2014-2020年复合增长率为47%；根据中国汽车工业协会公布的数据，2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆，2020年达到136.7万辆，2014-2020年复合增长率为62%；整体来看全球与

47、中国新能源汽车销量皆快速增长，且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展，新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标，可能性路径包括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标，新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段，新能源汽车的碳减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比，单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低，新能源电力使用比例提高，新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍，全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volumes预测，2021年全球新能源汽车

48、销量预计达到640万，相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复，同比增长28%。2021年上半年部分地区新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长，欧洲同比增长157%，中国同比增长197%，美国同比增长166%，其余市场同比增长达到95%；除日本外，所有主要市场在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出，新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右；此外中汽协预测2025年中国汽车销量

49、或到3000万辆，根据保守线性推算，我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆，年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均增速40%以上的预测，2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、AutomotiveGroup等多家机构测算，2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元，相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元，单车半导体价值量翻倍成长；相较于48V轻混合车，单车半导体价值量增加45.8%。预计2025年，48V轻混车、FHEV/PHEV/BEV销量分别将达到1

50、880万辆、2100万辆，基于2020年单车半导体BOM静态测算，2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加，保守估计52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展，半导体在单车上的整体价值也越来越高，根据Gartner预测的数据，2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元，根据前四年的年复合增长率预测，预计2025年达到1046美元，中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量，经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产化率仅10%，前八大欧美日企业占整

51、体市场的63%。根据ICVTank数据，2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司，包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等，占整体市场规模的63%。从自主汽车芯片产业规模来看，欧美日占据整体市场的93%，欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额；中国公司仅为3%，根据中国汽车芯片产业创新战略联盟数据显示，国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%，国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断，并且具备90%的替代空间。二、 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上根据英飞凌年报，2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，斯达半导2.5%，英飞凌IGBT器件产品市占

52、率32.5%，士兰微2.2%。2019年斯达半导IGBT模块营业收入7.6亿元，士兰微IGBT器件营业收入约1亿元，由此可推算2019年全球IGBT模块市场规模约300亿元，IGBT器件市场规模约45亿元。根据ASMC研究显示，全球IGBT市场规模预计在2022年达到60亿美元，全球IGBT市场规模在未来几年时间仍将继续保持稳定增长的势头。根据中国产业信息网和头豹研究院数据整理，2014年，我国IGBT行业市场规模为79.8亿元，预测到2020年，我国IGBT行业将实现197.7亿元的收入，年复合增长率达16.32%。预计到2023年中国IGBT行业整体市场规模有望达到290.8亿元，市场前景

53、广阔。根据Yole预测，2024年我国行业IGBT产量预期达到0.78亿只，需求量达到1.96亿只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市场长期被英飞凌、富士电机等海外公司垄断，英飞凌占据绝对领先的地位。2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，器件产品全球市占率32.5%，IGBT模块领域国内斯达半导是唯一进入前十的企业，市占率2.5%，IGBT器件领域国内士兰微是唯一进入前十的企业，市占率2.2%。国内产品供需不平衡，“国产替代”将是未来IGBT行业发展的主要方向。三、 家电行业是IGBT器件的稳定市场变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执

54、行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起，通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能耗、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜力十分强劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的IGBT的市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。

55、2020年，中国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。第四章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx（集团）有限公司2、法定代表人：莫xx3、注册资本：840万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2016-9-127、营业期限：2016-9-12至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和

56、限制类项目的经营活动。）二、 公司简介面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持