华为结构与材料工程师笔试题目

1、判断1、 Fe-C相图,Fe3C是最稳定的富碳相.错误2、在二元合金系中,只有共晶成分的合金在结晶时才能发生共晶转变,其他任何成分的合金在结晶时都不可能发生共晶转变.错误3、从热力学上看,系统的粉是由原子间的键合决定,痼是由晶体的原子排列决定.4、塑性变形时,滑移面总是晶体的密排面,滑移方向也总是密排方向.5、材料的硬度越大,其弹性模量也越大6、 PTFE根据聚合方法的不同可分为悬浮聚合和分散聚合,前者使用与模压成型和挤压成型, 后者制成的乳液可作为金属外表涂层7、 固溶体或合金的强度高于纯金属,主要原因是杂质原子的存在对位错运动具有牵制作用. 正确8、1wt%二氧化钛掺入到氧化铝中,是否有利

2、于降低氧化铝陶瓷的烧结温度.9、 Fe合金的焊缝晶体形态主要是柱状晶和少量的等轴晶.正确10、挛生是晶体难以进行滑移时,而进行的另外一种塑性变形方式.11、 一般情况下,同一种材料使用 DSC、TMA、DMA测试出材料Tg点相差不会超过2度.12、 相图是材料工作者常用的工具之一,其常用来表示材料的相状态与温度和成分之间的关系,其不仅能表示相的平衡态,而且能反响相的亚稳态. 正确13、 根据聚合物和单体元素组成和结构变化,可将聚合反响分成加成聚合反响和缩合聚合反 应两大类.选择1、能进行交滑移的位错必然是：螺旋位错混合位错刀型位错2、Db、Ds、Dl分别代表金属或合金中的晶界扩散、外表扩散、点

3、阵扩散的扩散系数,一般情况下,有:Ds > Db >Dl3、 二氧化错陶瓷可以用做氧气气氛下的炉体加热元件,但需要将氧化错陶瓷加热到1000 C以上,这是由于？产生明显的离子电导增加热膨胀量预防相变发生4、以下三种界面作用力最大的是：氢键 范德华力静电化学键5、以下化学键,键长最短的是：配位键 氢键离子键 共价键6、 烧结过程分下述几个阶段,正确顺序是：1无规那么形状颗粒外表趋圆2颗粒之间颈缩3颈部加宽4晶粒生长7、丙烯酸酯型材料不能通过以下哪种方式固化：UV固化湿气固化双组份室温固化加热固化8、用来反映材料在交变载荷作用下,反抗破坏水平的物理概念是：抗拉强度疲劳强度硬度屈服热度9

4、、每个体心立方晶胞中包含有2个原子.10、以下场景可以使用厌氧胶粘接的是：塑胶支架对接玻璃与PC粘接 PC与PC粘接金属螺钉锁固11、烧结中晶界移动的推动力是：晶界两侧自由粉差空位浓度差自由能12、拉伸试样的直径一定,标距越长那么测出的断面收缩率会：越低 不变无规律可循越高13、CuSi合金中hcp富Si相的111面与fcc富Cu相的0001 面的点阵常数相等,它 们可以形成：半共格界面非共格界面K-S关系的界面完全共格界面14、分体颗粒外表不同部位应力不同,其空位形成所需能量大小关系哪一项正确？无应力张应力 < 压应力？15、陶瓷经烧结后在宏观上的表达表述不正确的选项是？体积收缩气孔率

5、降低致密度减小强度增加16、以下哪类材料随着温度升高电导率降低？氧化铝 空气 碳化硅 金属铝17、以下过程中,哪一个能使烧结体的强度增加而不引起胚体收缩？体积扩散流动传质溶解-沉淀蒸发-凝聚18、 形变后的材料再升温,发生回复和再结晶现象,那么点缺陷浓度下降明显发生在：CA再结晶阶段 B晶粒长大阶段 C回复阶段19、据范特荷夫规那么,纯固相反响,反响过程是？放热反响 等温过程 吸热过程20、用来反响材料在交变荷载作用下,反抗破坏水平的物理概念是：疲劳强度屈服强度硬度抗拉强度21、下述举措哪一项对增加介质陶瓷元件击穿强度不利？增加陶瓷元件面积减少陶瓷内部杂质缺陷增加陶瓷致密度减小陶瓷介质厚度22

6、、产生枝晶偏析的原因是：液固相线间距大,冷却缓慢液固相线间距很小,冷却缓慢液固相线间距大,冷却速度也大液固相线间距很小,冷却速度大23、以下哪一种表征设备不能用来分析陶瓷材料的元素成分？XPS EDS XRD XRF24、应力应变25、涤纶是哪一类聚合物26、金属材料的晶粒尺寸越细,金属强度、硬度越高,塑性、韧性越好.多项选择1、影响固体材料扩散的因素有哪些？A化学键 B杂质 C温度 D结构缺陷 E晶体组成及结构2、影响固相反响的因素有哪些？A反响物颗粒尺寸及分布B反响温度、压力及气氛C矿化剂D反响物化学组成与结构3、以下元素分析手段,适用于进行外表有机污染物分析的为：A TOF-SIMSB EDS C XPS D EPMA4、正火的主要作用有A作为普通结构零件或大型及形状复杂零件的最终热处理B作为中碳钢和低